• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.234-240
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• 2001

Using RF magnetron sputtering, amorphous carbon(a-C) thin films as electron filed emitter were fabricated. these a-C thin films were deposited on Si(001) substrate at several temperatures. The field electron emission property of these a-C thin films was estimated by a diode technique. As the result, we observed that the field emission properties of the films were changed singnificantly with the substrate temperature and structural features of a-C film. The field emission properties were promoted by higher substrate temperatures. Furthermore N-doped a-C film exhibits more field emission property than that of undoped a-C film. These results are explained as change of surface morphology and structural properties of a-C film.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.776-780
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• 2000

ZnGa$_2$O$_4$thin films were prepared on Si(100) wafer in terms of RF power, substrate temperatures and Ar/O$_2$flow rate by RF Magnetron Sputtering. Photoluminescence(PL) measurement was employed to observe the emission spectra of ZnGa$_2$O$_4$films. The influences of various deposition parameters on the properties of grown films were studied. The optimum substrate deposition temperature for luminous characteristics was about 50$0^{\circ}C$ in this investigation. PL spectrum of ZnGa$_2$O$_4$ thin films showed broad band luminescence spectrum.

• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.44-49
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• 1997

반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링하여 AIN박막을 형성하였다. polycarbonate기판이나 이 디스크 표면 위의 micron크기의 pregroove형태의 손상이 일어나지 않을 정도의 저온의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(plasma) 자체 온도($100^{\circ}C$이하)로 가열하면서 silicon과 glass기판 위에 AIN박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율 변화 등을 분석 하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.313-316
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• 2003

The lead zirconate titanate, $Pb(Zr_{0:52}Ti_{0:48})O_3$, films of $0.5\;{\mu}m,\;1\;{\mu}m$ and $2\;{\mu}m$ thickness were fabricated on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by the rf magnetron sputtering method. The PZT films were annealed using by a rapid thermal annealing (RTA) method. The thickness dependence of the film structure, dielectric properties, Polarization-electric field hysteresis loops and capacitance-voltage characteristics were investigated over the thickness range of $0.5\;{\mu}m,\;1\;{\mu}m$ and $2\;{\mu}m$. According to the XRD patterns of the films, (110) peak intensity increases with film thickness increased. The increase of PZT films thickness leads to the decrease of the remanent polarization and the dielectric constant.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.772-777
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• 2018

본 논문은 RF 마크네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리에 N-type 및 P-type을 증착하였다. N-Type의 오믹접촉은 모든 조건에서 잘 되었다. 면저항은 RF Power가 증가할수록 면 저항이 증가되는 현상을 나타내었다. 증착한 박막의 표면을 분석해 본 결과, RF Power가 250W이고, 기판온도가 $250^{\circ}C$의 조건에서 입자가 균일하고 크기가 일정한 박막이 증착 된 것으로 측정되었다. P-Type은 모든 조건에서 오믹접촉이 잘 이루어졌으며 면저항은 RF Power가 증가할수록 증가되는 것으로 나타내었다. RF Power가 증가할수록 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막과 NP junction 박막은 스퍼터링 시간이 증가할수록 박막의 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막을 제작한 결과, 변환효율은 스퍼터링 시간이 10분일 때 0.2로 가장 우수하였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제27권5호
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• pp.105-108
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• 2018

Transparent $TiO_2$ nanotube arrays are successfully prepared by a two-step approach involving electrochemical anodization and RF magnetron sputtering. First, a Ti film is deposited on an FTO substrate by RF magnetron sputtering at room temperature. The morphologies of the Ti film are controlled by the working distance, Ar flow, and DC power. Second, an anodization treatment is electrochemically performed for the formation of nanotube arrays from the deposited Ti film, followed by post-annealing treatment in air for the formation of $TiO_2$ crystallization. The back side of the crystallized $TiO_2$ nanotube arrays is illuminated with solar light to characterize the photoelectrochemical reaction, and their photoelectrochemical properties are investigated. This work provides information on application of a thin film deposited by RF sputtering in the field of photoelectrochemical water splitting.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권11호
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• pp.694-697
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• 2015

We investigated the characterizations of carbon films fabricated by dual magnetron sputtering under various RF powers for the improvement of physical properties in carbon fiber (CF). All sputtered carbon films exhibited amorphous structure, regardless of RF powers, resulting in uniform and smooth surfaces. The hardness and elastic modulus are increased with the increase of RF power, and the adhesion and friction properties of carbon films were improved with the increase of RF power. In the results, The increase of RF power in the sputtering method improved tribological properties of the carbon films, and these attributes can be expected to improve the physical properties of the carbon fiber reinforcement plastics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.624-627
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• 2003

The BLT thin-films were one of the promising ferroelectric materials with a good leakage current and degradation behavior on Pt electrode. The BLT target was sintered at $1100^{\circ}C$ for 4 hours at the air ambient. $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_3O_{12}$ (BLT) thin-film deposited on $Pt/Ti/SIO_2/Si$ wafer by rf magnetron sputtering method. At annealed $700^{\circ}C$, (117) and (006) peaks appeared the high intensity. The hysteresis loop of the BLT thin films showed that the remanent polarization ($2Pr=Pr^+-Pr^-$) was $16uC/cm^2$ and leakage current density was $1.8{\times}10^{-9}A/cm^2$ at 50 kV/cm with coersive electric field when BLT thin-films were annealed at $700^{\circ}C$. Also, the thin film showed fatigue property at least up to $10^{10}$ switching bipolar pulse cycles under 7 V. Therefore, we induce access to optimum fabrication condition of memory device application by rf-magnetron sputtering method in this report.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권3호
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• pp.15-20
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• 2007

플라스틱 기판에 적용이 가능한 최대 공정온도 $270^{\circ}C$ 이하에서 ZnO-TFT 소자를 제작하였다. ZnO-TFT 소자는 bottom gate 구조로 제작되었으며, ICP-CVD로 형성된 $SiO_2$ 산화물 게이트 공정을 제외하고는 모든 박막증착 공정은 RF-magnetron sputtering process를 이용하였다. ZnO 박막은 Ar과 $O_2$ gas 유량의 비율에 따라 여러 가지 조건에서 RF-magnetron sputtering 시스템을 이용하여 상온에서 증착하였다. Ar과 $O_2$ gas의 비율에 따라 제작된 TFT 소자는 모두 enhancement 모드의 소자특성을 나타내었고, 또한 가시광선영역에 있어 80% 이상의 높은 투과율을 보였다. ZnO 증착시 순수 Ar을 사용하여 제작된 ZnO-TFT의 경우에, $1.2\;cm^2/Vs$의 field effect mobility, 8.5 V의 threshold voltage, 그리고 $5{\times}10^5$의 높은 on/off ratio, 1.86 V/decade의 swing voltage로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.1-7
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• 2002

RF Magnetron Sputtering 방법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 증착하였다. $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막 증착시 기판온도는 실온으로 고정시켜주었고, 작업 가스 유량(Ar:$O_2$)과 RF Power는 각각 90:10에서 60:40까지 그리고 50 W와 75 W로 하였다. 또한 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 산소분위기에서 $600^{\circ}C$로 고온 순간 열처리를 하였다. 커패시터 제작을 위해 UHV System의 E-beam evaporator를 이용하여 Pt를 증착하였다. XRD 측정을 통한 구조적 특성에서는 작업 가스 유량과 RF Power에 비해 고온 순간 열처리가 결정화에 기여도가 큼을 확인할 수 있었다. 전기적 특성에서는 RF Power가 50 W이고 열처리를 한 샘플에서 비교적 우수한 특성을 보여주었다.