• 제목/요약/키워드: Rf

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직렬 연결 RF-DC 변환기의 변환효율에 관한 연구 (Study on conversion efficiency of RF-DC converter with series diode)

  • 최기주;황희용
    • 산업기술연구
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    • 제30권A호
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    • pp.69-73
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    • 2010
  • In this paper, we designed the RF-DC converter used in wireless power transmission system and studied how to design the RF-DC converter of high conversion efficiency. The RF-DC converter operate at 2.45GHz and the diode is connected with series. The RF-DC converter uses shorted stub for DC loop and matching. We can divide the RF-DC converter circuit into four blocks. The reflection coefficients between the blocks were optimized for the maximum conversion efficiency at 0 dBm input power and $1300{\Omega}$ load impedance. The final design of the RF-DC converter has a 52 percent conversion efficiency.

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RF보상 삼중탐침을 통한 RF 플라즈마 진단 (The study of RF plasma diagnostics and characteristics for RF compensation triple probe)

  • 최익진;정진욱
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.2063-2065
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    • 2005
  • 삼중탐침법은 세 개의 탐침으로 플라즈마의 전자온도와 밀도를 구할 수 있는 정전탐침법이다. 삼중 탐침은 빠른 시간에 플라즈마 변수를 구할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 따라서 펄스파워로 구동하는 플라즈마나 시간에 대해 변화가 심한 플라즈마에서 주로 사용된다. 하지만 RF전원으로 구동되는 플라즈마의 경우에는 RF교란과 잡음에 의해서 측정값에 왜곡이 일어난다. 또한 바이어스 전압에 따라 측정값에 차이가 나타나게 된다. 유도 결합 플라즈마에서 RF교란을 줄였을 경우에 대한 효과를 알아보기 위해 RF보상 삼중탐침을 통하여 RF 잡음 및 교란을 줄이고, 적당한 바이어스 전위를 구했다. RF보상 삼중탐침의 부유전압을 재어 Self-bias가 줄어듦을 알 수 있었고, 전자온도와 밀도의 측정값이 단일탐침 측정값과 비슷하게 나옴을 알 수 있었다.

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고주파 집적회로를 위한 ESD 보호회로 설계 (Design of ESD Protection Circuits for High-Frequency Integrated Circuits)

  • 김석;권기원;전정훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권8호
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    • pp.36-46
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    • 2010
  • 본 논문은 수 GHz를 상회하는 동작 주파수를 갖는 RF집적회로와 고속 디지털 인터페이스를 위한 ESD 보호회로의 다양한 설계방법을 기술한다. 입/출력에 상당한 양의 기생 커패시턴스를 가지는 ESD 보호소자는 입/출력 임피던스 매칭에 영향을 주며, 이득, 잡음 등의 RF특성을 열화시킨다. 본 논문에서는 이와 같은 ESD 보호소자의 악영향에 대해 분석하고, 이를 감쇄시킬 수 있는 방안을 논한다. 또한 RF 특성과 ESD 내성 측정을 통해 RF/ESD 병합설계 방법을 기존의 RF ESD 보호소자의 설계방법과 비교, 분석한다.

The Design of a Ultra-Low Power RF Wakeup Sensor for Wireless Sensor Networks

  • Lee, Sang Hoon;Bae, Yong Soo;Choi, Lynn
    • Journal of Communications and Networks
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    • 제18권2호
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    • pp.201-209
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    • 2016
  • In wireless sensor networks (WSNs) duty cycling has been an imperative choice to reduce idle listening but it introduces sleep delay. Thus, the conventional WSN medium access control protocols are bound by the energy-latency tradeoff. To break through the tradeoff, we propose a radio wave sensor called radio frequency (RF) wakeup sensor that is dedicated to sense the presence of a RF signal. The distinctive feature of our design is that the RF wakeup sensor can provide the same sensitivity but with two orders of magnitude less energy than the underlying RF module. With RF wakeup sensor a sensor node no longer requires duty cycling. Instead, it can maintain a sleep state until its RF wakeup sensor detects a communication signal. According to our analysis, the response time of the RF wakeup sensor is much shorter than the minimum transmission time of a typical communication module. Therefore, we apply duty cycling to the RF wakeup sensor to further reduce the energy consumption without performance degradation. We evaluate the circuital characteristics of our RF wakeup sensor design by using Advanced Design System 2009 simulator. The results show that RF wakeup sensor allows a sensor node to completely turn off their communication module by performing the around-the-clock carrier sensing while it consumes only 0.07% energy of an idle communication module.

Embedded RF Test Circuits: RF Power Detectors, RF Power Control Circuits, Directional Couplers, and 77-GHz Six-Port Reflectometer

  • Eisenstadt, William R.;Hur, Byul
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제11권1호
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    • pp.56-61
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    • 2013
  • Modern integrated circuits (ICs) are becoming an integrated parts of analog, digital, and radio frequency (RF) circuits. Testing these RF circuits on a chip is an important task, not only for fabrication quality control but also for tuning RF circuit elements to fit multi-standard wireless systems. In this paper, RF test circuits suitable for embedded testing are introduced: RF power detectors, power control circuits, directional couplers, and six-port reflectometers. Various types of embedded RF power detectors are reviewed. The conventional approach and our approach for the RF power control circuits are compared. Also, embedded tunable active directional couplers are presented. Then, six-port reflectometers for embedded RF testing are introduced including a 77-GHz six-port reflectometer circuit in a 130 nm process. This circuit demonstrates successful calibrated reflection coefficient simulation results for 37 well distributed samples in a Smith chart. The details including the theory, calibration, circuit design techniques, and simulations of the 77-GHz six-port reflectometer are presented in this paper.

RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 비정질 InGaZnO 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 RF 파워의 영향 (Effect of RF Power on the Structural, Optical and Electrical Properties of Amorphous InGaZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering)

  • 신지훈;조영제;최덕균
    • 대한금속재료학회지
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    • 제47권1호
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    • pp.38-43
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    • 2009
  • To investigate the effect of RF power on the structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO (a-IGZO), its thin films and TFTs were prepared by RF magnetron sputtering method with different RF power conditions of 40, 80 and 120 W at room temperature. In this study, as RF power during the deposition process increases, the RMS roughness of a-IGZO films increased from 0.26 nm to 1.09 nm, while the optical band-gap decreased from 3.28 eV to 3.04 eV. In the case of the electrical characteristics of a-IGZO TFTs, the saturation mobility increased from $7.3cm^2/Vs$ to $17.0cm^2/Vs$, but the threshold voltage decreased from 5.9 V to 3.9 V with increasing RF power. It is regarded that the increment of RF power increases the carrier concentration of the a-IGZO semiconductor layer due to the higher generation of oxygen vacancies.

유비쿼터스 홈네트워크를 위한 LonRF 디바이스 기반의 센서 네트워크 설계 및 응용 (Design and Application of a LonRF Device based Sensor Network for an Ubiquitous Home Network)

  • 노광현;이병복;박애순
    • 융합신호처리학회논문지
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    • 제7권3호
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    • pp.87-94
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    • 2006
  • 유비쿼터스 홈네트워크 ( uHome-net) 구현을 위해서는 다양한 센서들이 통합된 유무선 센서 네트워크에 연결될 수 있어야 한다. 본 논문은 제어 네트워크에 널리 사용되고 있는 LonWorks 기술을 uHome-net의 유무선 센서 네트워크에 적용한 사례를 소개하고, LonTalk 프로토콜이 탑재된 뉴런칩, 433.92MHz RF 트랜시버, 센서와 응용 프로그램으로 구성되는 LonRF 디바이스의 설계 및 응용 서비스 구현 결과를 설명한다. LonRF 디바이스의 응용 예로 실내에서 물체의 3차원 좌표를 측정할 수 있고 uHome-net과 연동되는 LonRF 스마트배지를 개발하였다. LonRF 디바이스 기반의 위치인식 서비스, 원격검침서비스, 원격경비서비스 등의 홈네트워크 서비스를 uHome-net 테스트베드에 구현하였다. 본 연구는 LonWorks 기술 기반의 센서 네트워크가 유비쿼터스 홈네트워크의 제어 네트워크로 적용할 수 있고, 개발된 LonRF 디바이스가 센서 네트워크의 무선 노드로 사용될 수 있음을 보였다.

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새로운 저가형 고속 RF 자동화 테스트 시스템 (New Challenges for Low Cost and High Speed RF ATE System)

  • Song, Ki-Jae;Lee, Ki-Soo;Park, Jongsoo;Lee, Jong-Chul
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권8호
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    • pp.744-751
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    • 2004
  • 본 논문에서는 RF소자들의 테스트시 비용 절감을 극대화 할 수 있는 저가형 고속 RF 자동화 테스트 시스템(Automatic Test Equipment, ATE)의 제작에 관하여 다루어진다. 제작된 RF ATE는 고속의 스위칭 시간과 고정밀 디지타이저를 포함한 16개의 독립적인 RF 입출력 단자를 갖고 있으며 산업 표준인 VXI(Versus module eXtensions for Instrument)와 GPIB(General Purpose Interface Bus) 인터페이스를 사용하여 구성된다. 또한 소자의 생산효율을 극대화하기 위하여 동시에 4개의 소자를 테스트할 수 있도록 시스템이 구성된다. 마지막으로 현재 가격 경쟁이 상당히 심한 소자 중 하나인 RF 전력증폭모듈올, 제작된 RF ATE를 이용하여 테스트를 진행하여 시스템 성능을 검증한다.

FDTD 방법을 이용한 3T MRI용 RF 코일의 해석

  • 이종오;박준서;명노훈;박부식;김용권;정성택
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제11권6호
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    • pp.976-983
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    • 2000
  • 본 논문은 MRI용 RF 코일로 널리 사용되고 있는 Birdcage type의 RF 코일을 FDTD 방법을 이용해서 해석, 설계하였다. 기존의 저자장(1T, 1.5T) MRI용 RF 코일의 해석 방법은 코일의 공진 주파수를 얻기 위해서 LC 등가 회로를 사용하였으며 코일 내부의 필드 분포를 얻기 위하여 Biot-Savart 법칙을 이용한 방법이 널리 사용되어 왔다. 그러나 3T이상의 고주파에서 동작하는 RF 코일의 해석에는 위의 방법이 커다란 오차를 일으킬 수 있다. 따라서 본 논문에서는 고주파 해석이 가능한 전파 (Full Wave) 해석 방법인 FDTD 방법을 이용하여 3T MRI용 RF 코일을 해석하고 설계하였다. 또한 FDTD 방법을 이용하여 본 논문에서 실제 제작된 Birdcage type과 Spiral type RF 코일에 적용하여 이 방법의 타당성을 실험적으로 검증하였으며 Spiral type의 RF 코일이 B1 field 균일도면에서 Highpass Birdcage type보다 우수함을 수치 해석적으로 검증하였다.

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RF 응용을 위한 플립칩 기술 (Overview on Flip Chip Technology for RF Application)

  • 이영민
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.61-71
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    • 1999
  • 통신분야에서 사용주파수대역의 증가, 제품의 소형화 및 가격경쟁력등의 요구에 따라 RF 소자의 패키징 기술도 플라스틱 패키지 대신에 flip chip interconnection, MCM(multichip module)등과 같은 고밀도 실장기술이 발전해가고 있다. 따라서, 본 논문은 최근 수년간 보고된 응용사례를 중심으로 RF flip chip의 기술적인 개발방향과 장점들을 분석하였고, RF 소자 및 시스템의 개발단계에 따른 적합한 적용기술을 제시하였다. RF flip chip의 기술동향을 요약하면, 1) RF chip배선은 microstrip 대신에 CPW 구조을 선택하며, 2) wafer back-side grinding을 하지 않아서 제조공정이 단순하고 wafer 파손이 적어 제조비용을 낮출 수 있고, 3) wire bonding 패키징에 비해 전기적인 특성이 우수하고 고집적의 송수신 모듈개발에 적합하다는 것이다. 그러나, CPW 배선구조의 RF flip chip 특성에 대한 충분한 연구가 필요하며 RF flip chip의 초기 개발 단계에서 flip chip interconnection 방법으로는 Au stud bump bonding이 적합할 것으로 제안한다.

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