A high-frequency therapy device with improved output by modifying a high-frequency stimulator was fabricated. The details of the design include generating part design, high-frequency transformer design, large output FET installation, DC voltage input part design and gate input driver design. Based on the real test using the pork meat, the temperature distributions according to the current electric transfer method, penetration depth, electrode diameter size were measured. In the CET method, the penetration depth was 0.5 cm and in the RET method, the penetration depth was 20 cm or more. In addition, it was confirmed that the temperature rise according to the penetration depth in the RET system was substantially constant, and the temperature rise was remarkable as the electrode diameter was small. As a result, it has been confirmed that the high frequency therapy device is highly affected by various conditions of the electrode.
This review paper describes the overall operating principle of a discrete-time delta-sigma modulator (DTDSM) and a continuous-time delta-sigma modulator (CTDSM) using a switched-capacitor (SC). In addition, research that has solved the problems related to each delta-sigma modulator (DSM) is introduced, and the latest developments are explained. This paper describes the chopper-stabilization technique that mitigates flicker noise, which is crucial for the DSM. In the case of DTDSM, this paper addresses the problems that arise when using SC circuits and explains the importance of the operational transconductance amplifier performance of the first integrator of the DSM. In the case of CTDSM, research that has reduced power consumption, and addresses the problems of clock jitter and excess loop delay is described. The recent developments of the analog front end, which have become important due to the increasing use of wireless sensors, is also described. In addition, this paper presents the advantages and disadvantages of the three-opamp instrumentation amplifier (IA), current feedback IA (CFIA), resistive feedback IA, and capacitively coupled IA (CCIA) methods for implementing instrumentation amplifiers in AFEs.
This paper demonstrated a voltage-controlled oscillator (VCO) using cost-effective (1-poly 6-metal) mixed signal standard CMOS process. To have the high-quality factor inductor in LC resonator with thin metal thickness, patterned-ground shields (PGS) was adopted under the spiral to effectively reduce the ac current of low resistive Si substrate. And, because of thin top-metal compared with that of RF option (2 ㎛), we make electrically connect between the top metal (M6) and the next metal (M5) by great number of via array along the metal traces. The circuit operated from 2.48 GHz to 2.62 GHz tuned by accumulation-mode varactor device. And the measured phase noise of LC VCO has -123.7 dBc/Hz at 1MHz offset at 2.62 GHz and the dc-power consumption shows 2.07 mW with 1.8V supply voltage, respectively.
본 논문에서는 자동차 전장용 Power IC, 디스플레이 구동 칩, CMOS 이미지 센서 등의 응용분야에서 필요로 하는 동기식 256-bit OTP(one-time programmable) 메모리를 설계하였다. 동기식 256-bit OTP 메모리의 셀은 고전압 차단 트랜지스터 없이 안티퓨즈인 NMOS 커패시터와 액세스 트랜지스터로 구성되어 있다. 기존의 3종류의 전원 전압을 사용하는 대신 로직 전원 전압인 VDD(=1.5V)와 외부 프로그램 전압인 VPPE(=5.5V)를 사용하므로 부가적인 차단 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압 회로를 제거하였다. 그리고 프로그램시 전류 제한 없이 전압 구동을 하는 경우 안티퓨즈의 ON 저항 값과 공정 변동에 따라 프로그램 할 셀의 부하 전류가 증가한다. 그러므로 프로그램 전압은 VPP 전원 선에서의 저항성 전압 감소로 인해 상대적으로 증가하는 문제가 있다. 그래서 본 논문에서는 전압 구동 대신 전류 구동방식을 사용하여 OTP 셀을 프로그램 할 때 일정한 부하전류가 흐르게 한다. 그래서 웨이퍼 측정 결과 VPPE 전압은 5.9V에서 5.5V로 0.4V 정도 낮출 수 있도록 하였다. 또한 기존의 전류 감지 증폭기 대신 Clocked 인버터를 사용한 감지 증폭기를 사용하여 회로를 단순화시켰다. 동기식 256-bit OTP IP는 매그나칩 반도체 $0.13{\mu}m$ 공정을 이용하여 설계하였으며, 레이아웃 면적은 $298.4{\times}3.14{\mu}m2$이다.
Recently, In the production line of batteries, charge and discharge tests are essential to verify battery characteristics. In this case, the battery charging uses a unidirectional AC/DC converter capable of output voltage and current control, and the discharge uses a resistive load. Since this method consumes energy during discharge, it must be replaced with a bi-directional AC/DC converter system capable of charging and discharging. Although it is difficult to replace the connected inverter part of the bi-directional AC/DC converter system due to the high cost, the spread of the solar-connected inverter rapidly increases as the current solar supply business is activated, and thereby the solar-connected type Inverter prices are plunging. If it can be used as a power converter for battery discharge without program modification of the solar-powered inverter, it will have competition. In this paper, propose a new battery discharge system using a combination of a photovoltaic DC/DC simulator and photovoltaic PCS using a battery to be used as a power converter for battery discharge without program modification of a low-cost photovoltaic inverter. In addition, propose an optimal solar characteristic curve for the stable operation of PCS. The validity of the proposed system was verified using a 500[W] class solar DC/DC simulator and a solar PCS prototype.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.210-213
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1999
Magnetoresistance and magnetization of Sr$_{l-x}K_xBiO_3$ were both measured as functions of temperature and magnetic field. Resistivity goes to zero at T=10.1K and the overall superconducting transition behavior under applied magnetic fields is similar to that of other BiO based superconductors. Also, below T<5K we have observed the reappearance of finite resistivity with a power law temperature dependence( ${\rho}$${\sim}$T$^1$); the reentrant superconducting transition of resistivity. Contrary to the Josephson weak link effect in polycrystalline samples, which gives the depression of the superconducting state with increasing electrical current or magnetic field, the superconducting state for T<5K is resumed by applying a higher current or magnetic field. Magnetic susceptibility( ${\chi}$ ) of Sr$_{l-x}K_xBiO_3$ for T<5K also shows similar trends to that observed in transport measurements: increase of ${\chi}$ (paramagnetic-like behavior) at a low magnetic fields(B=50 Oe) and, the resumption of perfect diamagnetism at high fields.
현재 120kV/70A 고압 스위치가 KSTAR의 NBI 시스템에 사용되기 위하여 대전의 원자력 연구소에 설치되어 있다. NBI 시스템은 아크 발생시 이온 소스를 보호하기 위하여 전압의 빠른 차단 및 빔 전류의 유시를 위하여 전압의 빠른 턴온이 요구된다. 따라서 고압 스위치와 아크 검출회로는 NBI 시스템에서 중요한 부분을 차지하고 있다. 고압의 반도체 스위치는 NBI 시스템 뿐만 아니라 산업전반에서 요구되고 있다. NBI 시스템에 적용된 120kV/70A 고압 스위치는 100개의 MOSFET 소자를 직렬연결하였으며 본 논문에서 제안한 바이어스 전원이 없는 간단한 구동회고를 사용하였다. 실험식에서의 시험 및 현장에서 100kW의 모의 저항부하와 NBI 이온 소스에 적용한 실험결과를 제시하였다. 본 논문은 120kV/70A 고압 MOSFET 스위치와 간단한 게이트 구동회로의 설계를 제시하였으며, 제작 및 시험기간 동안의 문제점 및 해결방안에 대해서도 제시하였다.
As a drive for an ETC (Electro-thermal Chemical) launcher, a large pulse power system of a 2.4MJ energy storage was designed, constructed and tested. The overall power system consists of eight capacitive 300kJ energy storage banks. In this paper we describe the design features, setup and operation test result of the 300kJ pulsed power module. Each capacitor bank of the 300kJ module consists of six 22kV 50kJ capacitors. A triggered vacuum switch (TVS-43) was adopted as the main pulse switch. Crowbar diode circuits, variable multi-tap inductors and energy dumping systems are connected to each high power capacitor bank via bus-bars and coaxial cables. A parallel crowbar diode stack is fabricated in coaxial structure with two series 13.5kV, 60kA avalanche diodes. The main design parameters of the 300kJ module are a maximum current of 180kA and a pulse width of 0.5 - 3ms. The electrical performances of each component and current output variations into resistive loads have been investigated.
To improve in-field critical current densities ($J_c$) of $GdBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (GdBCO) coated conductors(CCs) fabricated by the reactive co-evaporation by deposition and reaction (RCE-DR) process, employing the nominal composition of Gd:Ba:Cu=1:1:2.5, we tried to refine the $Gd_2O_3$ particles trapped in the GdBCO superconducting matrix. For this purpose, we carefully selected the processing conditions on the stability phase diagram of GdBCO for this composition. By lowering the growth temperature of $Gd_2O_3$ in the liquid, we could refine the average particle size of $Gd_2O_3$ particles trapped in the GdBCO matrix and also achieve the zero-resistive transition temperatures ($T_{c,zero}$) of 92.3~94.2 K. Unfortunately, however, it was unsuccessful to achieve enhanced in-field $J_c$ values from these samples because of an air-contamination of the amorphous precursor film before its conversion into crystalline GdBCO film, suggesting that any exposure of the amorphous precursor film to air is fatal in obtaining high performance GdBCO CCs via the RCE-DR process.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.348-351
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1999
Cold 층을 입힌 저항형 초전도 한류기의 전류 제한 특성을 통하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 고장발생후 3.2 msec 후에 quench가 발생하였으며, 부분적인 quench가 발생한 다음 시간이 지나면서 완전한 quench로 진행되었다. 즉, 선로고장에 따른 quench 발생 후 YBCO 초전도체의 gold층으로 대부분의 전류가 흐르게 되고, quench 되면서 발생하는 열도 대부분 gold층에서 흡수하여저항이 증가하였으며 이에 따른 전류감소, 전압증가 및 소비전력증가가 발생하였다. 인가전압 V$_0$=65 V$_{peak}$이고 R$_0$는 1 ${\omega}$, 그리고 R$_L$을 7.7 ${\omega}$으로 하였을 때 사고모의 위상각 0$^{\circ}$에서 고장발생후 0.9 msec 후인 9.6 A$_{peak}$ 되는 지점에서 quench가 발생하여 13.0 A$_{peak}$의 최대한류전류값을 보인후 11.4 A$_{peak}$의 전류값에서 fast quench가 완료되었다. 이때 quench 시간은0.63 msec 이었다. 저항값은 gold층에서 발생한 열때문에 점진적인 상승을 보이다가 약 3주기후에 일정한 값에 도달하였다. 한류소자의 온도는 약 11 msec 후에 상온에 도달하였으며, 3 주기후인 54 msec에는 150 $^{\circ}C$까지 상승하였다. gold 박막을 입힌 meander line은 임계전류 이상의 전류를 통전하였을 때에 용단되지 않았으며 ??치된 상태에서 3 사이클 이상 유지하였다. 약65 A$_{rms}$가 흘렀을 때에야 ??치후 3 사이클 지나용단되었다. 이러한 YBCO/gold에 의한 초전도한류기의 용량은 gold에 발생하는 열을 gold가감당할 수 있는 전류의 크기와 관련이 있으며, gold층이 YBCO 한류소자가 quench되었을 때 발생하는 열을 효과적으로 분산시킬 뿐만 아니라 전기적으로 shunt 회로 역할을 하고 있음을 확인할 수 있다. 이에 더하여 앞으로 quench 후 한류소자에서 발생할 수 있는 인덕턴스의 저감방안에 대한 설계 및 모델 탐구를 통하여 좀더 효율적인 한류소자 구성에 대한 연구를 병행하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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