• 제목/요약/키워드: Reference cell

검색결과 611건 처리시간 0.035초

A New Reference Cell for 1T-1MTJ MRAM

  • Lee, S.Y.;Kim, H.J.;Lee, S.J.;Shin, H.S.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제4권2호
    • /
    • pp.110-116
    • /
    • 2004
  • We propose a novel sensing scheme, which operates by sensing the difference in voltage between a memory cell and a reference cell for a magneto-resistive random access memory (MRAM). A new midpoint-reference generation circuit is adopted for the reference cell to improve the sensing margin and to guarantee correct operation of sensing circuit for wide range of tunnel magneto resistance (TMR) voltages. In this scheme, the output voltage of the reference cell becomes nearly the midpoint between the cell voltages of high and low states even if the voltage across the magnetic tunnel junction (MTJ) varies.

MRAM용 HSPICE 마크로 모델과 midpoint reference 발생 회로에 관한 연구 (HSPICE Macro-Model and Midpoint-Reference Generation Circuits for MRAM)

  • 이승연;이승준;신형순
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제41권8호
    • /
    • pp.105-113
    • /
    • 2004
  • MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory)은 자성체의 스핀 방향을 정보원으로 하는 비휘발성 메모리로 magneto-resistance 물질을 정보 저장 소자로 사용한다. 본 논문에서는 MRAM 시뮬레이션시 MTJ (Magnetic Tunneling Junction)의 hysteretic 특성, asteroid 특성, R-V 특성을 HSPICE에서 재현할 수 있는 새로운 macro-model을 제안하고 HSPICE에 적용하여 그 정확도를 검증하였다. 또한 종래의 reference cell 회로에 비하여 정확한 중간 저항 값을 유지하는 새로운 reference cell 회로를 제안하고 이를 본 논문에서 제안한 macro-model을 이용하여 검증하였다.

부분공간 간섭 정렬에서 셀 용량 최대화를 위한 최적 레퍼런스 벡터 설정 기법 (Optimal Selection of Reference Vector in Sub-space Interference Alignment for Cell Capacity Maximization)

  • 한동걸;회빙;장경희;구본태
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제36권5A호
    • /
    • pp.485-494
    • /
    • 2011
  • 본 논문에서는 다중 셀 환경에서 전체 생 용량을 향상시키기 위하여 부분공간 간섭 정렬 (Sub-space Interference Alignment) 기법을 위한 새로운 레퍼런스 벡터 설정 알고리즘을 제안한다. 송신단에서 임의의 동일한 레퍼런스 벡터를 사용하여 전송 벡터를 생성하고, 수신단에서 이와 직교하는 벡터를 사용하여 정렬된 간섭 신호를 제거하는 기존의 부분공간 간섭 정렬 기법의 경우, 사용되는 레퍼런스 벡터 및 채널 상황에 따라 전체 시스템 용량이 달라지는 문제점을 가지고 있다. 이에 본 논문에서는 레퍼런스 벡터와 채널의 변화에 의해 전체 시스템의 합용량이 변화하는 문제점 및 레퍼런스 벡터 원소들의 크기 분산이 작아질수록 합용량이 향상되는 경향을 보임을 분석한다. 이러한 분석을 바탕으로 새로운 레퍼런스 벡터 설정 방법으로 레퍼런스 벡터 원소들의 크기 분산을 고려하여 설정하는 알고리즘을 제안하며, 모의실험을 통해 기존 알고리즘과 비교하여 제안된 알고리즘이 평균적으로 약 50% 정도 향상된 합용량을 나타냄을 확인한다.

부분공간 간섭 정렬에서 합용량 향상을 위한 직교 레퍼런스 벡터 선정 방법 (Orthogonal Reference Vectors Selection Method of Subspace Interference Alignment)

  • 서종필;김현수;안재진;정재학
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제36권5A호
    • /
    • pp.457-463
    • /
    • 2011
  • 본 논문에서는 다중 셀 환경에서의 부분공간 간섭 정렬에서 레퍼런스 벡터간의 직교성을 통해 여러 개의 직교 레퍼런스 벡터 조합을 제공함으로써 전체 생의 합 용량이 최대화되도록 레퍼런스 벡터를 선정하는 방법을 제안하였다. 제안된 방법은 전체 셀의 채널용량을 최대화시키는 하나의 벡터를 선정하고 나머지 셀에서는 선택된 레퍼런스 벡터와 직교하는 벡터를 생성하여 채널 용량이 가장 큰 벡터를 각 셀의 레퍼런스 벡터로 선정한다. 제안된 방법은 주어진 채널에 적합한 레퍼런스 벡터를 선정 시 선택의 자유도를 높임으로써 기존보다 전체 셀 전송 용량을 증가시킨다. 전산 모의 실험을 통해 기존의 방법에 비해 높은 셀의 합용량 증대 성능을 보였다.

Widely Tunable Adaptive Resolution-controlled Read-sensing Reference Current Generation for Reliable PRAM Data Read at Scaled Technologies

  • Park, Mu-hui;Kong, Bai-Sun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제17권3호
    • /
    • pp.363-369
    • /
    • 2017
  • Phase-change random access memory (PRAM) has been emerged as a potential memory due to its excellent scalability, non-volatility, and random accessibility. But, as the cell current is reducing due to cell size scaling, the read-sensing window margin is also decreasing due to increased variation of cell performance distribution, resulting in a substantial loss of yield. To cope with this problem, a novel adaptive read-sensing reference current generation scheme is proposed, whose trimming range and resolution are adaptively controlled depending on process conditions. Performance evaluation in a 58-nm CMOS process indicated that the proposed read-sensing reference current scheme allowed the integral nonlinearity (INL) to be improved from 10.3 LSB to 2.14 LSB (79% reduction), and the differential nonlinearity (DNL) from 2.29 LSB to 0.94 LSB (59% reduction).

레이다 시스템 실시간 적용을 위한 OS CFAR 연산 시간 단축 방안 (OS CFAR Computation Time Reduction Technique to Apply Radar System in Real Time)

  • 공영주;우선걸;박성호;신승용;장윤희;양은정
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제29권10호
    • /
    • pp.791-798
    • /
    • 2018
  • CFAR(Constant False Alarm Rate)는 레이다 시스템에서 표적 탐지에 주요 사용된다. 그 중에서 OS(Ordered Statistic) CFAR는 비균일 잡음환경에서 사용된다. 그러나 OS CFAR는 참조 셀을 오름차순으로 정렬하여 임계값을 계산하므로 많은 연산량이 필요하다. 이로 인하여 실시간 적용에 어려움이 있다. 본 논문에서는 OS CFAR의 연산량을 줄이는 방안을 서술한다. 단순 표적 유무만 판단하기 위하여 참조 셀들을 오름차순 정렬하는 대신 참조 셀과 크기 비교하는 방식으로 수행하였다. 그리고 3개의 테스트 셀을 묶어 구역을 나누고, 구역 내에서 공통 참조 셀을 구하였다. 공통 참조 셀과 테스트 셀과의 크기 비교를 우선 수행함으로써 연산시간을 단축한다.

기준 특징형상에 기반한 셀 분해 및 특징형상 인식에 관한 연구 (Reference Feature Based Cell Decomposition and Form Feature Recognition)

  • 김재현;박정환
    • 한국CDE학회논문집
    • /
    • 제12권4호
    • /
    • pp.245-254
    • /
    • 2007
  • This research proposed feature extraction algorithms as an input of STEP Ap214 data, and feature parameterization process to simplify further design change and maintenance. The procedure starts with suppression of blend faces of an input solid model to generate its simplified model, where both constant and variable-radius blends are considered. Most existing cell decomposition algorithms utilize concave edges, and they usually require complex procedures and computing time in recomposing the cells. The proposed algorithm using reference features, however, was found to be more efficient through testing with a few sample cases. In addition, the algorithm is able to recognize depression features, which is another strong point compared to the existing cell decomposition approaches. The proposed algorithm was implemented on a commercial CAD system and tested with selected industrial product models, along with parameterization of recognized features for further design change.

Dynamic Reference Scheme with Improved Read Voltage Margin for Compensating Cell-position and Background-pattern Dependencies in Pure Memristor Array

  • Shin, SangHak;Byeon, Sang-Don;Song, Jeasang;Truong, Son Ngoc;Mo, Hyun-Sun;Kim, Deajeong;Min, Kyeong-Sik
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제15권6호
    • /
    • pp.685-694
    • /
    • 2015
  • In this paper, a new dynamic reference scheme is proposed to improve the read voltage margin better than the previous static reference scheme. The proposed dynamic reference scheme can be helpful in compensating not only the background pattern dependence but also the cell position dependence. The proposed dynamic reference is verified by simulating the CMOS-memristor hybrid circuit using the practical CMOS SPICE and memristor Verilog-A models. In the simulation, the percentage read voltage margin is compared between the previous static reference scheme and the new dynamic reference scheme. Assuming that the critical percentage of read voltage margin is 5%, the memristor array size with the dynamic scheme can be larger by 60%, compared to the array size with the static one. In addition, for the array size of $64{\times}64$, the interconnect resistance in the array with the dynamic scheme can be increased by 30% than the static reference one. For the array size of $128{\times}128$, the interconnect resistance with the proposed scheme can be improved by 38% than the previous static one, allowing more margin on the variation of interconnect resistance.

부분공간 간섭 정렬을 이용한 다중 셀 상향링크 시스템에서 합용량 향상을 위한 레퍼런스 벡터 다이버서티 (Reference Vector Diversity of Subspace Interference Alignment in Multi-cell Multi-user Uplink Systems)

  • 서종필;이윤주;권동승;이명훈;정재학
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제47권7호
    • /
    • pp.23-28
    • /
    • 2010
  • 본 논문은 다중 셀 상향링크 시스템의 셀 간 간섭을 완화시키기 위한 부분공간 간섭 정렬을 적용했을 때 높은 채널 이득과 높은 합용량을 얻기 위해 간섭 신호공간 형성에 사용되는 레퍼런스 벡터 설정 방법을 제안하였다. 제안된 방법은 레퍼런스 벡터의 설정에 따라 채널과의 매칭이 달라지고 이로부터 셀의 합용량이 변화하는 레퍼런스 벡터의 다이버서티를 얻는 것이다. 각 셀의 처리량을 최대화시키기 위해 전송 전에 여러 개의 레퍼런스 벡터를 전송하고 이중에서 최적의 레퍼런스 벡터를 선정함으로써 기존의 간섭정렬방식보다 높은 채널 이득과 높은 합용량을 얻을 수 있다. 전산 모의실험을 통해 제안된 방법을 적용한 경우 임의로 설정된 레퍼런스 벡터를 설정했을 때의 셀 합용량에 비해 약 60% 향상된 값을 얻었다.