• 인터넷정보학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.117-125
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• 2008

유비쿼터스 응용 시스템에 대한 관심의 증대와 함께 소형화된 임베디드 컴퓨팅 시스템의 필요성은 커지고 있다. 이러한 가운데 ARM 임베디드 프로세서는 기능의 우수성과 높은 활용도로 인해 임베디드 시스템 시장에서 높은 점유율을 보여주고 있다. 본 논문에서는 ARM 마이크로컨트롤러를 이용해 RTD-1000 컨트롤러 구성과 개발을 위한 최적의 방법을 제안하였다. 기존 RTD-1000은 케이블의 단선, 단락, 파손 등의 진단이 가능한 TDR를 탑재하여 구리선을 삽입한 감지관의 누수 및 누유, 파괴 등을 원격으로 감지할 수 있는 기기이다. 실제로 시공되어 현장에서 운영되고 있는 RTD-1000은 시스템 운영에 필요한 범위에 비해 리소스 낭비가 크고 그에 따라 구축비용이 높다는 단점을 가지고 있다. 또한, 발열이 심해 별도의 냉각장치가 요구되며, 하드 디스크와 같은 보조저장장치의 사용으로 고장 발생율과 전류의 소비가 커지는 등의 문제점을 야기하였다. 본 논문에서는 도출된 문제점의 해결 방법으로 ARM 마이크로컨트롤러 기반의 RTD-1000A 임베디드 시스템을 제안하고 시뮬레이션 하였다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.1041-1049
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• 2011

사회의 발전과 함께 사회 기반을 구성하는 시설물들의 관리에 대한 연구가 지속되고 있으며, 사회 각 분야에서는 다양한 아이디어를 바탕으로 새로운 시스템을 구축하여 왔다. 그 중 상수도 관망 관리를 위해서 현재 시공되어 운영되고 있는 RTD-1000은 누수 및 파손 등을 원격으로 감지하는 기기로써, PC 기반의 시스템 형태를 가지고 있다. 하지만 PC 기반에서 오는 리소스 소비, 발열, 소비전력이 크다는 취약점이었다. 본 논문에서는 RTD-1000의 취약점을 보완한 개량된 시스템인 RTD-2000을 제안한다. 이 시스템은 WinCE 기반의 ARM9 개발 킷과 LCD가 제거된 TDR만으로 설계 및 구현되었다. RTD-1000에 탑재되었던 윈도우 기반의 각종 감지 프로그램들은 ARM9 기반의 전용 임베디드 S/W로 대체하였고, 성능 비교를 위하여 시뮬레이션 및 평가를 수행하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.911-917
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• 1996

Platinum thin films were deposited on Si-wafer by DC rnagnetron sputtering for RTD (resistance thermometer devices). We investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, temperature of substrate and also after annealing these films. The deposition rate was increased with increasing the input power but decreased with increasing Ar gas pressure. The resistivity and sheet resistivity were decreased with increasing the temperature of substrate and the annealing time at 1000.deg. C. At substrate temperature of >$300^{\circ}C$, input power of 7 w/cm$^{2}$, working vacuum of 5 mtorr and annealing conditions of 1000.deg. C and 240 min, we obtained 10.65.mu..ohm..cm, resistivity of Pt thin films and 3800-3900 ppm/.deg. C, TCR(temperature coefficient of resistance). These values are close to the bulk value. These results indicate that the Pt thin films deposited by DC magnetron sputtering have potentiality for the development of Pt RTD temperature sensor.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1806-1808
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• 1999

The electrical and physical characteristics of MgO and Pt thin-films on Si substrate, deposited by r.f magnetron sputtering. It were analyzed with annealing condition($1000^{\circ}C$ for 120 min) by four point probe, a-step, SEM and XRD. Until $1000^{\circ}C$ of annealing temperature, MgO medium layer had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-films and the resistivity of Pt thin-films was improved. In the analysis of properties of Pt-RTD, TCR value had $3927ppm/^{\circ}C$ and liner in the temperature range of room temperature ${\sim}400^{\circ}C$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권9호
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• pp.1409-1418
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• 1990

Characteristics of NMOS transistors with phosphorus source/drain junctions formed by two-step rapid thermal diffusion (RTD) process using a solid diffusion source have been investigated. Phosphorus profiles after RTD were measured by SIMS analysis. In the case of 1100\ulcorner, 10sec RTD of, P, the specific contact resistance of n+ Si-Al was 2.4x10**-7 \ulcorner-cm\ulcorner which is 1/5 of the As junction The comparison fo P junction devices formed by RTD and conventional As junction devices shows that both short channel effect and hot carrier effect of P junction devices are smaller than those of As junction devices when the devices have same junction depths. P junction device had maximum of 0.4 times lower Isub/Id than As junction device. Characteristics of P junction formed by several different RTD conditions have been compared and 1000\ulcorner RTD sample had the smaller hot carrier generation. Also, it has been shown that the hot carrier generation can be futher reduced by forming the P junctions by 3-step RTD which has RTO-driven-in process additionally.

• 센서학회지
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• 제9권3호
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• pp.171-176
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• 2000

반응성 스퍼터링과 고주파 마그네트론 스퍼터링으로 각각 증착된 MgO 박막과 그 위에 증착된 백금박막의 열처리 온도 및 시간에 따른 물리적, 전기적 특성을 4침 탐침기, 주사전자현미경 및 X선 회절법을 이용하여 분석하였다. $1000^{\circ}C$, 2시간의 열처리 조건하에서 MgO 박막은 백금박막과 화학적 반응없이 백금박막의 열산화막에 대한 부착특성을 개선시켰으며, 그 위에 증착된 백금박막의 면저항 및 비저항은 각각 $0.1288\;{\Omega}/{\square}$, $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$이었다. Lift-off 방법을 이용하여 $SiO_2$/Si기판상에 백금 저항체를 만들었으며, 백금 와이어, 백금 페이스트 그리고 SOG를 이용하여 마이크로 열 센서용 박막형 Pt-RTD를 제작하였다. $25{\sim}400^{\circ}C$의 온도범위에서 $1.0{\mu}m$의 두께를 갖는 제작된 Pt-RTD의 저항온도계수는 벌크 백금에 가까운 $3927ppm/^{\circ}C$로 측정되었다. 측정온도범위내에서 저항값은 선형적인 변화를 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1349-1351
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• 1998

Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on $Al_2O_3$ substrates by r.f. cosputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on the $Al_2O_3$ substrates by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions (the input power, working vacuum, annealing temperature, thickness of thin films) and also after annealing these films. At input power of Pt : $4.4 W/cm^2$. Co:6.91W/$cm^2$. working vacuum of 10 mTorr and annealing conditions of $1000^{\circ}C$ and 60 min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films was $15{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and $0.5{\Omega}/{\square}$, respectively. The TCR value of Pt-Co alloy thin films was measured with various thickness of thin films and annealing conditions. The optimum TCR value is gained under conditions $3000{\AA}$ of thin films thickness and $1000^{\circ}C$ of annealing temperature. These results indicate that Pt-Co alloy thin films have potentiality for the high resolution RTD temperature sensors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.224-227
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• 1996

Platinum thin films were deposited on Si-wafer by DC magnetron sputtering for RTD (Resistance Thermometer Devices). We investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, temperature of substrate and also after annealing these films. The deposition rate was increased with increasing the input power but decreased with increasing Ar gas pressure. The resistivity were decreased wish increasing the temperature of substrate and the annealing time at 1000$^{\circ}C$. At substrate temperature 300$^{\circ}C$, input power 7(w/$\textrm{cm}^2$), working vacuum 5mtorr and annealing conditions 1000$^{\circ}C$, 240 min we obtained 10.65${\mu}$Ω$.$cm, resistivity of Pt thin film closed to the bulk value.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.242-244
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• 1996

Platinum thin films were deposited on Si-wafer by DC magnetron sputtering for RTD (Resistance Thermometer Devices). We investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, temperature of substrate and also after annealing these films. The Resistivity and Sheet Resistivity were decreased with increasing the temperature of substrate and the annealing time at $1000^{\circ}C$. At substrate temperature $300^{\circ}C$, input power 7(w/$cm^2$), working vacuum 5mtorr and annealing conditions $1000^{\circ}C$, 240min we obtained $10.65{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, Resistivity of Pt thin film and $3000{\sim}3900ppm/^{\circ}C$, TCR(temperature coefficient of resistance) closed to the bulk value.

• 센서학회지
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• 제6권2호
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• pp.81-86
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• 1997

DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 측온저항체 온도센서용 백금박막을 $Al_{2}O_{3}$ 기판위에 증착시켰다. 열처리 온도, 시간이 증가할수록 박막의 비저항 및 면저항은 감소하였다. Lift-off 방법을 이용하여 $Al_{2}O_{3}$ 기판위에 백금 저항체를 만들었으며, 텅스텐 wire, 실버 에폭시 그리고 SOG를 이용하여 백금박막 측온저항체 온도센서를 제작하였다. $25{\sim}400^{\circ}C$의 온도범위에서 백금박막 측온저항체 온도센서의 저항온도계수와 저항 변화율을 조사한 결과, 열처리 온도, 시간 및 박막의 두께가 증가할수록 저항온도계수가 증가하였으며 측정 온도범위 내에서 저항값은 선형적인 변화를 보였다. 열처리 온도 $1000^{\circ}C$, 시간 240분 그리고 박막두께 $1{\mu}m$ 조건에서 백금의 벌크에 가까운 $3825ppm/^{\circ}C$의 저항온도계수값을 얻을 수 있었다.