한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.924-927
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2003
Aluminium-doped ZnO (ZnO:Al) films were grown by atomic layer-controlled deposition on glass substrates at temperature of 200 $^{\circ}C$ using diethylzinc($Zn(C_{2}H_{2})_{2}$; DEtZn), water($H_{2}O$) and trimethylaluminium ($Al(CH_{3})_{3}$; TMA) as precursors. As the cycle ratio of TMA to DEZn(TMA/DEZn) increased, the resistivity of the films decreased and the roughness increased. In the case of TMA/DEZn pulse ratio of 1 to 10, the film had a resistivity of $9.7{\times}l0^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and a roughness of 2.25nm(rms), while in the case of only DEZ injection the film had a resistivity of $3.5{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ and a roughness of 1.07nm(rms)
초발수 $SiO_2$ 박막을 sol-gel법에 의해 유리 기판 위에 성공적으로 제조하였다. 높은 표면 조도를 갖는 $SiO_2$ 박막을 제조하기 위하여 tetraethoxysilane(TEOS) 용액에 $SiO_2$ 나노 입자들을 첨가하였다. $iO_2$ 입자를 첨가하지 않은 용액을 이용하여 제조한 코팅막은 RMS roughness가 1.27 nm의 매우 평평한 표면 구조를 나타낸 반면, $SiO_2$ 나노 입자들을 1.0, 2.0, 3.0 wt% 첨가한 용액을 이용하여 제조한 $SiO_2$ 박막의 RMS roughness는 44.10 nm, 69.58 nm, 80.66 nm로 측정되었다. 제조된 $SiO_2$ 박막의 표면을 소수성 표면으로 바꾸기 위하여 FAS 용액을 이용하여 발수 처리를 하였다. FAS 처리 이후 거친 표면구조를 갖는 $SiO_2$ 박막의 표면은 친수성에서 소수성으로 바뀌었고 특히, 80.66 nm의 RMS roughness를 갖는 박막은 $163^{\circ}$의 물 접촉각을 갖는 초발수 표면을 나타내었다.
단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10~30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.
본 논문에서는 거친 바다표면의 마이크로파 반사를 계산할 수 있는 이론적 모델의 정확도를 검증한다. 우선 Pierson-Moskowitz 해양 스펙트럼을 이용하여 거친 바다표면을 생성하였다. 생성된 바다표면의 유의파고와 유효높이(root-mean square height)값을 추정하여 풍속에 따른 유의파고, 유효높이 관계식을 유도하였고, 다른 측정 데이터들과 비교하였다. 수치해석적 방법을 이용하여 다양한 거칠기 조건(풍속)에서 생성된 바다표면의 반사계수를 계산하였고, 기존에 반사계수를 계산하기 위해 사용하는 이론적 모델인 Ament 모델, PO(Physical Optics) 모델, GO(Geometrical Optics) 모델, B-M(Brown-Miller) 모델과 비교하였다. 비교적 거칠기가 매우 낮은 경우($kh_{rms}$<0.4, k는 파수, $h_{rms}$는 RMS 높이) 외에는 Ament 모델은 정확하지 않았다. 또한 거칠기가 크지 않은 바다($kh_{rms}$<10)에서는 PO, GO, B-M 모델들의 정확도가 보장되지만, 풍속이 높아 거칠기가 높은 바다($kh_{rms}$>10)에서는 입사각이 $70^{\circ}$ 이하에서는 PO 모델과 GO 모델이 수치해석결과와 비교적 잘 일치하였으며, $80^{\circ}$ 이상에서는 B-M 모델이 수치해석 결과와 비교적 잘 일치함을 보였다.
Recently, lightweight materials such as Ti alloys have been used increasingly in the aerospace and high-tech industries for weight loss and fuel efficiency. Because of built-up edges and workpiece deflection due to low stiffness, the Ti alloys have poor machinability. In our study, systematic experiments were conducted to investigate the milling characteristics of the Ti alloy (Ti-6A1-4V) with endmills. The independent variables in the experiment were spindle speed, feed per tooth, and axial depth. Cutting force, acceleration RMS, and surface roughness were measured. Using the response surface method, the optimal cutting conditions were analyzed to improve machining quality and productivity.
Al doped ZnO (AZO) thin films were deposited on textured glass substrate by magnetron sputtering method. Also, AZO films on textured glass were etched by hydrochloric acid (HCl). Average thickness of etched AZO films are 90 nm. We observed morphology of AZO film by AFM with various etchant concentration and etching time. Etched AZO films have low resistivity and high haze. The surface RMS roughness of AZO film was increased from 53.8 nm to 84.5 nm. The haze ratio was also enhanced in above 700 nm of wavelength due to light trapping effect was increased by rough AZO surface. The etched AZO films on textured glass are applicable to fabricate solar cell.
CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 반도체 소자 제조공정 중 다층 배선구조의 평탄 경면화에 널리 이용되고 있다. 차세대 웨이퍼로 각광받는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 제조공정 중 웨이퍼 표면 미소 거칠기를 개선하기 위해서 본 논문에서는 여러 가지 가공변수(슬러리와 연마패드)에 따른 CMP 연마능률과 표면 미소 거칠기 변화에 대해 연구하였다. 결과적으로 연마능률은 슬러리의 입자 크기가 증가할수록 이에 따라 증가하였으며, 미소 거칠기는 슬러리의 연마입자보다는 연마패드에 영향이 더욱 지배적이다. AFM(Atomic Force Microscope)에 의한 평가에서 표면 미소 거칠기가 27 $\AA$ Rms에서 0.64 $\AA$ Rms로 개선됨을 확인할 수 있었다.
NiCr thin films were fabricated by rf magnetron sputtering for applying to both the top electrode and absorption layer on Pb(Zr, Ti)O$_3$(PZT) thin films for infrared sensors. The rms roughness and resistivity of NiCr films prepared with Ni power of 80 W and Cr power of 50 W showed the most stable oxidation resistance after annealing at $600^{\circ}C$ for 5 min in oxygen ambient. The rms roughness and resistivity of NiCr films annealed at $V^{\circ}C$ in oxygen ambient were about 2$0\AA$ and $70 \mu$Ω-cm, respectively. As-deposited Ni/PZT/Pt and NiCr (Ni 80 W, Cr 50 W)/PZT/Pt structures showed well saturated hysteresis loops. However, in case of the samples annealed at $500^{\circ}C$ in oxygen ambient, only NiCr/PZT/Pt showed saturated loops having a remanent polarization of 20$\mu$C/$\textrm{cm}^2$. Ultra-thin NiCr films showed a possibility as a top electrode for infrared sensors.
N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)1-1' biphenyl-4,4'-diamine (TPD) hole-transporting layers were deposited using a continuous slot-die coating method on ITO/PET flexible substrates. It is crucial that the substrates have a very smooth surface with a RMS roughness of less than 2 nm for the deposition of semiconductor nanocrystals or Quantum Dots. The parameters of the slot-die coating, including the solution concentration of the TPD, the gap between the slot-die and the substrates, and the coating speed were controlled in these experiments. To obtain full coverage of the TPD films on the ITO/PET substrates (40 mm wide and several meters long), the injection rates of the TPD solution were increased proportional to the coating speed of the flexible substrates. Additionally, the injection rates must be increased as the gap distance changes from 400 to 600 ${\mu}m$ at the same coating speed. A RMS surface roughness of less than 2 nm was obtained, in contrast to bare ITO/PET substrates, at 13 nm, as the coating speed and gap distance increased.
폴리아릴레이트(polyarylate, PAR) 섬유의 산 처리와 자외선 조사 처리에 의한 섬유표면의 미세구조 변화를 SEM과 AFM을 통하여 살펴보고 RMS roughness로 분석하였으며, 접촉각 측정을 하였다. 또한, PAR 섬유의 표면개질이 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 수지와의 계면접착력에 어떠한 영향을 미치는지를 섬유 풀-아웃 시험(Fiber Pull-out)을 통해 분석하였다. 산처리 농도와 자외선 조사 처리 시간이 증가함에 따라 PAR 섬유의 표면에 에칭이나 크랙이 발생하면서 표면의 거칠기가 증가하는 양상을 보였으며, 물에 대한 접촉각은 감소하는 결과를 보였다. PEN 수지와의 계면접착력을 분석한 결과, 산 처리 농도의 증가와 자외선 조사처리 시간이 경과에 따라 증가하였고 특히, 산 처리 농도 pH 3, 자외선 조사 처리시간이 24 h일 때 최대 계면접착력을 보였다. 이는 섬유표면조도의 증가에 따른 섬유 표면적의 증가로, 계면에서 상호작용할 수 있는 면적이 증가하기 때문이라고 볼 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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