• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.27-32
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• 1997

본 연구에서는 고밀도 플라즈마를 형성하는 planar magnetron RF 플라즈마 CVD를 이용하여 DLC(diamond-like carbon) 박막을 합성하였다. 이 방법을 이용하여 DLC 박막을 합성한다면 고밀도 플라즈마 때문에 종래의 플라즈마 CVD(RF-PECVD)법보다 증착속도가 더욱더 향상될 것이라는 것에 착안하였다. 이를 위해 magnetron에 의한 고밀도 플라즈마가 존재할 때도 역시 DLC박막형성에 미치는 RF 전력과 반응가스 압력이 중요한 반응변수인가에 대해 조사하였고, 일정한 자기장의 세기에서 RF전력과 DC self-bias 전압과의 관계를 조사하였다. 또한 RF전력변화에 따른 박막의 증착속도와 밀도를 측정하였다. 본 연구에 의해 얻어진 박막의 증착속도는 magnetron에 의한 이온화율이 매우 높아 기존의 RF-PECVD 법보다 매우 빠르며, DLC박막의 구조와 물질특성을 알아보기 위해 FTIR(fourier transform infrared)및 Raman 분광분석을 행한 결과 전형적인 양질의 고경질 다이아몬드상 탄소박막임을 알 수 있었다.

• 폴리머
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• 제31권1호
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• pp.31-36
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• 2007

플라스마 표면처리는 전체적인 물성은 유지하고 표면의 특성만을 변화시킨다고 전해지고 있다. 이번 연구에서는 플라스마 처리에 의해 높은 발수성을 나타내는 나일론 6 섬유로의 개질을 시도하였다. 발수성을 나타내는 나일론 섬유는 가스 종류, 처리시간, 인가 파워를 변수로 하여 RF 진공 플라스마 시스템에서 처리되었다. 플라스마 처리된 섬유의 표면을 scanning electron microscopy(SEM)과 atomic force microscopy(AFM)으로 모폴로지 변화를 살펴보았으며, 기계적 특성과 고분자 고유의 특성을 인장강도와 Differential scanning calorimetry(DSC), thermo-gravimetric analysis (TGA)로 각각 분석하였다. 또한 나일론 섬유의 발수성 평가는 물방울 흡수시간으로 테스트를 실시하였다. 이러한 결과들은 플라스마 표면처리로 인해서 나일론 섬유의 발수성이 향상됨을 나타내었다.

• 전기학회논문지P
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• 제58권4호
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• pp.465-468
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• 2009

The dispersion relation and the characteristic of propagation are measured. The measurements of the dispersion relation are observed by a plunger method employed in slow plasma density by pumping microwaves on the axis are observed in plasma loaded slow wave structure. In case of small incident microwave powers the well known plasma density cavity are observed. At the axial positions of minimal radius in the waveguides, the maxima og the electron density, the plasma potential and the RF electric field are observed in cases of high-power microwaves.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1999년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.47-48
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• 1999

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.113-113
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• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 춘계학술발표회
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• pp.97-97
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• 1997

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.95-96
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• 2014

450mm 반도체 CVD 장비 개발 및 300mm F-CVD (Flowable CVD) 공정 개발에 있어서 공정 마진 확보 및 막질 품질 개선을 위해 주파수 가변형 RF Generator가 필수적으로 요구되고 있다. 20nm이하 STI (Shallow Trench Isolation), PMD (Pre-metal Dielectric) & IMD (Inter-Metal Dielectric) 미세공정 gap fill에 많은 문제점이 도출되고 있으며, 이유로는 Generator 고정 주파수에서 Matching Time delay 또는 Shooting에 의한 산포의 한계로 파악되었으며, 주파수 가변에 의한 고속 Tune 기능이 요구되어진다. 따라서 400kHz 주파수 가변형 RF-Generator 개발을 진행하였으며 본 논문을 통해 개발되어진 장비의 성능과 시험 평가한 결과를 소개하고자 한다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권6호
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• pp.189-194
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• 2017

Effects of gas injection scheme and rf driving current configuration in a dual turn inductively coupled plasma (ICP) system were analyzed by 3D numerical simulation using CFD-ACE+. Injected gases from a tunable gas nozzle system (TGN) having 12 horizontal and 12 vertical nozzles showed different paths to the pumping surface. The maximum velocity from the nozzle reached Mach 2.2 with 2.2 Pa of Ar. More than half of the injected gases from the right side of the TGN were found to go to the pump without touching the wafer surface by massless particle tracing method. Gases from the vertical nozzle with 45 degree slanted angle soared up to the hottest region beneath the ceramic lid between the inner and the outer rf turn of the antenna. Under reversed driving current configuration, the highest rf power absorption region were separated into the two inner islands and the four peaked donut region.

• 한국표면공학회지
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• 제34권5호
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• pp.503-509
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• 2001

Thin films of hydrogenated amorphous silicon (a-Si : H) and hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) of different compositions were deposited on Si(100) wafer and glass by RF plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD). In the present work, we have investigated the effects of the RF power on the properties, such as optical band gap, transmittance and crystallinity. The Raman data show that the a-Si:H material consists of an amorphous and crystalline phase for the co-presence of two peaks centered at 480 and $520 cm^{-1}$ . The UV-VIS data suggested that the optical energy band gap ($E_{g}$ ) is not changed effectively with RF power and the obtained $E_{g}$(1.80eV) of the $\mu$c-Si:H thin film has almost the same value of a-Si:H thin film (1.75eV), indicating that the crystallity of hydrogenated amorphous silicon thin film can mainly not affected to their optical properties. However, the experimental results have shown that$ E_{g}$ of the a-SiC:H thin films changed little on the annealing temperature while $E_{g}$ increased with the RF power. The Raman spectrum of the a-SiC:H thin films annealed at high temperatures showed that graphitization of carbon clusters and microcrystalline silicon occurs.

• 해양환경안전학회:학술대회논문집
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• 해양환경안전학회 2017년도 공동학술발표회
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• pp.268-268
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• 2017

We have investigated effects of AM on initial phase of rf discharge plasmas. Amplitude modulation significantly affects on initial rf discharge plasmas.