• 한국전자파학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.648-655
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• 2007

본 논문에서는 유도결합을 이용한 RFID 시스템에서 주변의 RF 잡음의 영향을 감소할 수 있는 이중 코일 안테나를 새로이 제안하고 실험하였다. 이중 코일 안테나는 동일한 구조의 코일 2개가 직렬로 연결되어 있으며 두 코일에 유도되는 잡음 전압의 크기가 같고 극성이 반대가 되어 서로 상쇄되도록 고안된 구조이다. RFID 리더에 이중 코일 안테나를 사용한 경우에 단일 코일 안테나에 비하여 RF 유도 잡음이 약 15 dB 감소하였다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.15-22
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• 2011

주성분 분석(PCA)은 데이터의 차원을 줄이면서 최대의 데이터 변이를 보존하는 기법으로 차원 축소나 특징 추출을 위해 널리 사용되고 있다. 하지만 PCA는 잡음에 민감하며 가우스 분포에 대하여만 유효하다는 단점이 있다. 잡음 민감성의 개선을 위해 다양한 방법이 제시되었고 그 중 퍼지 소속도를 이용한 반복적 최적화 기법인 RF-PCA2가 다른 방법에 비해 우수한 성능을 보였다. 하지만 RF-PCA2는 가우스 분포에만 사용할 수 있는 선형 알고리듬이라는 한계가 있다. 이 논문에서는 RF-PCA2와 커널 주성분 분석(kernel PCA, K-PCA)을 결합하여 가우스 분포 이외의 분포들도 다룰 수 있는 비선형 알고리듬인 improved robust kernel fuzzy PCA (RKF-PCA2)를 제안한다. RKF-PCA2는 RF-PCA2 알고리듬의 잡음 강건성과K-PCA의비선형성을 통해 기존알고리듬에 비해 잡음민감성이 적으며 가우스분포 한계를 효과적으로 극복할 수 있다. 이러한 사실은 실험 결과를 통해 확인할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.603-611
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• 2008

본 논문에서는 유도 결합을 이용한 RFID 시스템에서 주변의 RF 잡음의 영향을 감소할 수 있는 다중 코일 안테나를 새로이 제안하고 실험하였다. 다중 코일 안테나는 1개의 중심 코일과 그 주변에 4개의 보조 코일이 등거리에 배치되어 구성되며, 이들을 직렬로 연결하여 중심 코일과 보조 코일에 유도되는 전압이 서로 상쇄되도록 설계된 구조이다. 다중 코일 안테나를 사용한 경우에 단일 코일 안테나에 비하여 유도 잡음이 약 30 dB 감소하였으며, 잡음의 공간적 분포가 급격히 변화하는 환경에서도 유도 잡음의 소거 효과가 매우 높아 이중 코일에 비하여 유도 잡음이 약 16 dB 감소하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권12호
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• pp.4891-4895
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• 2010

본 자기공명영상장치(MRI: Magnetic Resonance Imaging)의 구성 요소인 RF Coil의 성능은 영상의 신호대 잡음비(Signal to Noise Ratio)를 결정하는 장치이다. RF Coil의 성능은 민감도(Sensitivity)와 라디오주파수 필드 균질성(RF Field Uniformity)으로 나타내고, RF Coil에 의해 유기되는 라디오 주파수 자기장(B1 Field)의 세기는 RF Coil의 구조 및 배열에 따라 공간적으로 달라진다. MRI 신호의 크기는 RF Coil이 만들어내는 자기장의 세기에 의해 결정되기 때문에 RF Coil에 의해 형성되는 공간상의 B1 Field의 분포를 확인할 수 있어야 한다. 본 논문에서는 다채널 RF Coil 설계에 있어서 가장 기본이 되는 형태의 RF Coil 구조와 이의 B1 Field 분포를 Matlab을 이용하여 모의실험을 통해 확인 하였다. Matlab을 이용하여 계산된 기본 구조의 RF 코일이 형성하는 B1 Field 분포는 다채널 RF 코일 설계시 매우 유용하게 사용될 수 있을 것이다.

• ETRI Journal
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• 제25권3호
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• pp.203-209
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• 2003

This paper reports on our investigation of DC and RF characteristics of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (pMOSFETs) with a compressively strained $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ channel. Because of enhanced hole mobility in the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ buried layer, the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET showed improved DC and RF characteristics. We demonstrate that the 1/f noise in the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET was much lower than that in the all-Si counterpart, regardless of gate-oxide degradation by electrical stress. These results suggest that the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET is suitable for RF applications that require high speed and low 1/f noise.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -1
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• pp.329-332
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• 2002

In this paper a common design method fur RF receivers of different CDMA standards is introduced. The method adopted a new equation, receiver noise equation, for the analysis of each standard. The test conditions for RF receivers in four different CDMA standards, CDMA cellular, PCS, WCDMA, and cdma2000 are analyzed based on the receiver noise equation. With the result of the analysis, the specifications fer RF receivers of different CDMA standards are derived.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제14권2호
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• pp.61-67
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• 2014

This paper presents a zero-IF CMOS RF receiver, which supports three channel bandwidths of 5/10/40MHz for LTE-Advanced systems. The receiver operates at IMT-band of 2,500 to 2,690MHz. The simulated noise figure of the overall receiver is 1.6 dB at 7MHz (7.5 dB at 7.5 kHz). The receiver is composed of two parts: an RF front-end and a baseband circuit. In the RF front-end, a RF input signal is amplified by a low noise amplifier and $G_m$ with configurable gain steps (41/35/29/23 dB) with optimized noise and linearity performances for a wide dynamic range. The proposed baseband circuit provides a -1 dB cutoff frequency of up to 40MHz using a proposed wideband OP-amp, which has a phase margin of $77^{\circ}$ and an unit-gain bandwidth of 2.04 GHz. The proposed zero-IF CMOS RF receiver has been implemented in $0.13-{\mu}m$ CMOS technology and consumes 116 (for high gain mode)/106 (for low gain mode) mA from a 1.2 V supply voltage. The measurement of a fabricated chip for a 10-MHz 3G LTE input signal with 16-QAM shows more than 8.3 dB of minimum signal-to-noise ratio, while receiving the input channel power from -88 to -12 dBm.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권2호
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• pp.98-104
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• 2009

An InGaP/GaAs MMIC LC VCO designed with Harmonic Noise Frequency Filtering(HNFF) technique is presented. In this VCO, internal inductance is found to lower the phase noise, based on an analytic understanding of phase noise. This VCO directly drives the on-chip double balanced mixer to convert RF carrier to IF frequency through local oscillator. Furthermore, final power performance is improved by output amplifier. This paper presents the design for a 1.721 GHz enhanced LC VCO, high power double balance mixer, and output amplifier that have been designed to optimize low phase noise and high output power. The presented asymmetric inductance tank(AIT) VCO exhibited a phase noise of -133.96 dBc/Hz at 1 MHz offset and a tuning range from 1.46 GHz to 1.721 GHz. In measurement, on-chip down-converter shows a third-order input intercept point(IIP3) of 12.55 dBm, a third-order output intercept point(OIP3) of 21.45 dBm, an RF return loss of -31 dB, and an IF return loss of -26 dB. The RF-IF isolation is -57 dB. Also, a conversion gain is 8.9 dB through output amplifier. The total on-chip down-converter is implanted in 2.56${\times}$1.07 mm$^2$ of chip area.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1990년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.380-383
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• 1990

When the MOSPET is applied as a switching device for the resonant inverter, a damped oscillating noise is appeared at specific frequency band. This damped Oscillation is caused by the series and parallel resonance due to distributed circuit parameter of snubber and main circuit. This paper describes the frequency-impedance characteristic of the resonant inverter and optimal snubber design strategy to reduce the RF noise.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2012년도 전기공동학술대회 논문집
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• pp.130-132
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• 2012

In this paper, a temperature control for LED(Light Emitting Diode) lamp using a cooling fan is studied. An efficient temperature control scheme for the LED lamp using the fan wind at the lowest sound noise is studied. For the study, after measurement of the minimum sound noise of the fan and related temperature of the LED lamp through tests, experiments on temperature control of the LED lamp using the fan with various size of heat sinks was performed. To minimize the fan sound noise, optimal size of the heat sink was studied. Also, a teleoperting control of LED lamps using RF communication was studied.