• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.678-684
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• 2013

본 논문에서는 SAW 필터가 없는 LTE-Advanced RF 송신기에 적용 가능한 기저대역 송신단 회로를 제안한다. 제안하는 기저대역 송신단 회로는 Tow-Thomas구조의 2차 능동 저역통과 필터 1개와 1차 수동 RC 필터 1개로 구현되었으며, 0.7 MHz, 1.5 MHz, 2.5 MHz, 5 MHz, 7.5 MHz, 10 MHz, 그리고 20 MHz의 총 7개의 채널 차단 주파수를 제공하며, 각 채널 별로 -41 dB에서 0 dB까지 1-dB 단계로 이득 조절이 가능하다. 제안하는 2차 능동 저역 통과 필터 회로는 DC 소모 전류 효율을 높이기 위해 채널 차단 주파수를 세 그룹으로 나누어서 선택된 차단 주파수 그룹에 따라 연산증폭기의 전류 소모를 3단계로 가변 할 수 있도록 연산증폭기 내부에 3개의 단위-연산증폭기(OTA)를 병렬로 연결하여 선택적으로 사용할 수 있도록 설계하였다. 또한, 제안하는 연산 증폭기는 저전력으로 1-GHz UGBW(Unit Gain Bandwidth)를 얻기 위해 Miller 위상 보상 방식과 feed-forward 위상 보상 방식을 동시에 사용하였다. 제안하는 기저대역 송신기는 65-nm CMOS 공정을 사용하여 설계되었고 1.2 V의 전압으로부터 선택된 채널 대역폭에 따라 최소 6.3 mW, 최대 24.1 mW의 전력을 소모한다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권1호
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• pp.172-178
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• 2014

본 논문은 공통 소스 증폭기의 부유 커패시턴스에 밀러 정리를 적용할 때 출력 커패시턴스를 고려한 AC 이득을 사용하여 정확한 밀러 효과 모델을 도출하였다. 정확한 AC 이득을 사용하면 부유 커패시턴스는 입력과 출력 부분에 C와 병렬 RC 회로의 직렬연결로 변환된다. 제안한 밀러 효과 모델로 구성된 등가회로의 주파수 응답 특성은 변환 전 회로의 주파수 응답 특성과 일치해 제안한 모델의 정확성이 확인되었다. 제안한 밀러 효과 모델과 소자 값이 다소 복잡하지만 공통 소스 증폭기의 특성을 이용하여 간략화 시킬 수 있다. 또한 개방 회로 시정수 방법을 사용하면 증폭기의 3-dB 주파수도 쉽게 예측이 가능하며 예측된 3-dB 주파수는 공통 소스 증폭기의 주 극점 근사 방법과 같은 값을 가진다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권8C호
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• pp.1210-1217
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• 2004

LILI-II 스트림 암호는 NESSIE 후보로 제안된 바 있는 LILI-128의 성능개선 알고리듬이다. 이 알고리듬은 클럭 조절형 스트림 암호방식이며, 구조적으로 동기식 논리회로 구현시 속도가 저하되는 단점이 있다. 본 논문에서는 이 문제를 보완하고자 4-비트 병렬 LFSR을 제안하였으며, 각 레지스터 비트는 4개의 서로 다른 귀환 또는 이동 경로를 갖게 된다. 그리고 ALTERA 사의 Max+plus II 툴과 FPGA 소자(EPF10K20RC240-3)를 선정하여 하드웨어 구현 및 타이밍 시뮬레이션을 실시하였으며. 최신 Lucent ASIC 소자 기술(LV160C, 0.13$\mu\textrm{m}$ CMOS ＆ 1.5v technology)로 설계시 지연시간이 1.8㎱ 이하였고, 500 Mbps 이상의 고속화가 가능함을 확인하였다. 마지막으로 LILI-II 암호를 병렬 구현시 속도가 4, 8, 또는 16 Gbps (m=8. 16 또는 32)로 고속화 가능함을 제시하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.102-112
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• 2005

본 논문에서는 CSP(Chip Size Package)를 이용하여 정합소자 및 모든 바이어스소자, ESD(Electrostatic Dis-charge) 보호소자를 MMIC상에 완전집적한 K/Ka밴드 광대역 MMIC chip set에 관하여 보고한다. CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 $STO(SrTi_{3})$ 필름 커패시터가 이용되었으며, DC 피드소자와 ESD 보호소자로서는 LC 병렬회로가 사용되었다. 그리고, K/KA 밴드 광대역에 걸친 MMIC의 정합과 안정도를 위해서는 프리매칭회로와 RC 병렬회로가 이용되었으며, 제작된 CSP MMIC는 광대역(K/Ka) 밴드에서 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문은 K/Ka 밴드의 주파수 대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC 칩셋에 관한 최초의 보고이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.824-831
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• 2014

In this study, structural variations and overlay errors caused by multiple patterning lithography techniques to print narrow parallel metal interconnects are investigated. Resistance and capacitance parasitic of the six lines of parallel interconnects printed by double patterning lithography (DPL) and triple patterning lithography (TPL) are extracted from a field solver. Wide parameter variations both in DPL and TPL processes are analyzed to determine the impact on signal propagation. Simulations of 10% parameter variations in metal lines show delay variations up to 20% and 30% in DPL and TPL, respectively. Monte Carlo statistical analysis shows that the TPL process results in 21% larger standard variation in delay than the DPL process. Crosstalk simulations are conducted to analyze the dependency on the conditions of the neighboring wires. As expected, opposite signal transitions in the neighboring wires significantly degrade the speed of signal propagation, and the impact becomes larger in the C-worst metals patterned by the TPL process compared to those patterned by the DPL process. As a result, both DPL and TPL result in large variations in parasitic and delay. Therefore, an accurate understanding of variations in the interconnect parameters by multiple patterning lithography and adding proper margins in the circuit designs is necessary.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1990년도 하계학술대회 논문집
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• pp.215-220
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• 1990

A.C. impedance properties of $RuO_2$ based thick film resistors which having different resistivity value (DuPont 1721 : $100{\Omega}$/ sq., 1741 : $10K{\Omega}$/sq.) were investigated using by impedance analyzer. In case of lower resistivity 1721 system, the complex impedance was composed nearly R component for all speciman sintered at above $600^{\circ}C$, and the frequency dependancy on impedance was not affected very much up to 5MHz and again gradually increase with increasing the frequency. In case of higher resistivity 1741 resistor system, impedance properties were very depandant on sintering temperature. When sintering temperature was $600^{\circ}C$, the complex impedance plot shows a vertical line, which correspond to lone capacitance equivalant circuit, and the impedance linearly decreased with increasing frequency. In case of speciman sintered at $700-900^{\circ}C$, the complex impedance plot shows semi-circular are correspond to a lumped RC combination, and the impedance shows constant value to 5MHz, again decreased with increasing frequency. But the complex impedance behavior of speciman sintered at $1000^{\circ}C$ was shows the equivalent circuit correspont to parallel combined LCR component, and the impedance was not varied with frequency.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.675-678
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• 2005

An improved BSIM3v3 RF Macro model with RC parallel substrate circuit has been developed to simulate RF characteristics of the output admittance in MOSFET accurately. This improved model shows better agreements with measured $Y_{22}-parameter$ up to 10 GHz than conventional one with a single substrate resistance, verifying the accuracy of the improved one.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권6호
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• pp.569-575
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• 2013

An improved non-quasi-static gate-source impedance model including a parallel RC block for short-channel MOSFETs is developed to simulate RF MOSFET input characteristics accurately in the wide range of high frequency. The non-quasi-static model parameters are accurately determined using the physical input equivalent circuit. This improved model results in much better agreements between the measured and modelled input impedance than a simple one with a non-quasi-static resistance up to 40GHz, verifying its accuracy.

• 한국토양비료학회지
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• 제33권1호
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• pp.15-23
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• 2000

비닐 튜브로 절연한 센서 봉을 토양에 박아 콘덴서로 하고, RC 발전식으로 토양의 유전율을 측정하는 수분 센서의 반응 특성을 조사하였다. 출력은 표준 콘덴서에 비교된 상대 카피씨티, C였는데, 이 카파시티의 등가 회로는 병렬로 연결된 기본 카파씨티와 센서 봉 카파씨티인데, 센서봉 카파씨티는 다시 직렬로 연결된 센서봉 절연 튜브 카파씨티와 센서봉 사이 측정 부위 유전율, U에 따라 변하는 카파시티로 구성되어, 아래 반응 수식에 따라 작동하였다. $$\frac{1}{C-B}=\frac{k}{U}+Z$$는 기본 콘덴서에서 유래하는 상대 카파시티로서 불변 값이며, k은 측정부위 유전율에 따라 출력에 관여하는 상수로서, 토양과 접촉하는 센서봉의 외경과 센서봉 간격 및 길이 등의 기하학적 배치로 결정되는 값으로 거의 불변 값이고, Z은 비닐 튜브와 그 안에 금속봉 사이의 공기 층으로 결정되는 값으로 이론상으론 불변 값이나 만약 이 센서를 토양에 설치할 때 토양과 센서봉 사이에 틈이 생기면, 이 값에 변화가 온다. 따라서, 이 토양 수분 측정기는 현장 매설후 Z 값을 보정하여야 하며 그후 Z값이 변화하지 않도록 센서봉이 충격을 받지 않게 관리하여야 한다.

• 센서학회지
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• 제23권6호
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• pp.368-376
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• 2014

In order to measure the segmental impedance of the body, a bioelectrical impedance measurement system (BIMS) using multi-frequency applying method and two-electrode method was implemented in this study. The BIMS was composed of constant current source, automatic gain control, and multi-frequency generation units. Three experiments were performed using the BIMS and a commercial impedance analyzer (CIA). First, in order to evaluate the performance of the BIMS, four RC circuits connected with a resistor and capacitor in serial and/or parallel were composed. Bioelectrical impedance (BI) was measured by applying multi-frequencies -5, 10, 50, 100, 150, 200, 300, 400, and 500 KHz - to each circuit. BI values measured by the BIMS were in good agreement with those obtained by the CIA for four RC circuits. Second, after measuring BI at each frequency by applying multi-frequency to the left and right forearm and the popliteal region of the body, BI values measured by the BIMS were compared to those acquired by the CIA. Third, when the distance between electrodes was changed to 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, and 15 cm, BI by the BIMS was also compared to BI from the CIA. In addition, BI of extracellular fluid (ECF) was measured at each frequency ranging from 10 to 500 KHz. BI of intracellular fluid (ICF) was calculated by subtracting BI of ECF measured at 500 kHZ from BI measured at seven frequencies ranging from 50 to 500 KHz. BI of ICF and ECF decreased as the frequency increased. BI of ICF sharply decreased at frequencies above 300 KHz.