Frequently occurring flood and drought due to abnormal climate and global warming have increased the necessity of an effective water resources control and management of river flows. The various hydraulic structures are constructed in river as part of an effective water resources management. It is very important to analyse characteristics of flow according to installing hydraulic structures in this situations. The objective of this study is to investigate the hydraulic behaviors of flow considering affections of hydraulic structures using 2-D numerical model. To do this, both RMA-2 model and developed RAM2 model are used to analyse flow phenomena before and after installation of hydraulic structures in Nakdong river. As a result of, the water surface elevation at upstream regions increased about 22cm~66cm and the velocity around the structures sharply increased after installation of structures. The measures for the rise of water surface at upstream and local scour due to high velocity around the structures must be established when the structures is constructed.
In this paper, spray and combustion characteristics of a liquid-fueled ramjet engine were experimentally investigated. The spray penetrations were measured to clarify the spray characteristics of a liguid jet injected transversely into the subsonic vitiated airstream, which is maintained a high velocity and temperature. The spray penetrations are increased with decreasing airstream velocity, increasing airstream temperature, and increasing air-fuel momentum ratio. To compensate our results of penetrations, the new experimental equation were modified from Inamura's equation. In the case of insufficient penetration, the combustion phenomenon in ram-combustor were unstable. Therefore, the temperature distribution was slanted to the low wall of the ram-combustor. These trends gradually disappeared as the length and air temperature of the combustor became longer. Combustion efficiency increased when the length of the combustor was long and the air temperature was high. Especially, stable flame region is enlarged when the length of the combustor was long and the air temperature was high. Type Abstract here. Type Abstract here.
Dual-gate PCRAM which unify capacitor-less DRAM and NVM using a PCM instead of a typical SONOS flash memory is proposed as 1 transistor. $VO_2$ changes its phase between insulator and metal states by temperature and field. The front-gate and back-gate control NVM and DRAM, respectively. The feasibility of URAM is investigated through simulation using c-interpreter and finite element analysis. Threshold voltage of NVM is 0.5 V that is based on measured results from previous fabricated 1TPCM with $VO_2$. Current sensing margin of DRAM is 3 ${\mu}A$. PCM does not interfere with DRAM in the memory characteristics unlike SONOS NVM. This novel unified dual-gate PCRAM reported in this work has 1 transistor, a low RESET/SET voltage, a fast write/erase time and a small cell so that it could be suitable for future production of URAM.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권6호
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pp.258-261
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2011
A ferroelectric $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) thin film fabricated by the pulsed-DC sputtering method was evaluated on a cell structure to check its compatibility to high density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices. The BLT composition in the sputtering target was $Bi_{4.8}La_{1.0}Ti_{3.0}O_{12}$. Firstly, a BLT film was deposited on a buried Pt/$IrO_x$/Ir bottom electrode stack with W-plug connected to the transistor in a lower place. Then, the film was finally crystallized at $700^{\circ}C$ for 30 seconds in oxygen ambient. The annealed BLT layer was found to have randomly oriented and small ellipsoidal-shaped grains (long direction: ~100 nm, short direction: ~20 nm). The small and uniform-sized grains with random orientations were considered to be suitable for high density FeRAM devices.
NVRAM(Non-volatile RAM)이란 전원을 공급하지 않아도 데이터를 유지할 수 있는 RAM 이다. 비휘발성 메모리이기 때문에 Flash 와 동일한 기능을 제공할 수 있다. 또한 Flash 에 비해 저전력으로 동작하고, 읽고 쓰는 동작도 더 빠르며 내구성까지 뛰어나다. 즉, NVRAM 은 리소스가 제한적인 사물인터넷(IoT) 장치에서 Flash 를 대신하여 전력소모 및 지연시간 측면에서 효과적으로 사용될 수 있는 메모리이다. IoT 장치는 일반적으로 배터리와 같은 독립전원 장치로 작동하거나, 최근에는 에너지 하베스터를 활용한 간헐적 컴퓨팅 방식도 활용되고 있다. 간헐적 컴퓨팅 방식에서는 전원이 꺼졌을 때도 프로그램의 상태를 유지하기 위해 비휘발성 메모리에 백업동작이 필수적이다. 그러므로 백업을 위한 메모리를 Flash 가 아닌 NVRAM 으로 대체하게 되면 효율적이고, 상대적으로 백업 및 복구에 의한 비휘발성 메모리에 접근이 많은 간헐적 컴퓨팅에서는 더 큰 효율을 볼 수 있다. 하지만 현재 NVRAM 이 내장된 개발보드가 제한적이고, NVRAM 을 외부 모듈로서 사용하기 위해 SPI 또는 I2C 통신을 사용해야 한다. 그 외에도 동시에 공유 메모리에 접근하는 등의 문제를 막아야 한다. 이러한 문제를 막고, NVRAM 을 편리하게 사용할 수 있도록 추상화 계층을 만들어 NVRAM 테스팅 환경을 제공하여 해당 분야의 연구개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대된다. 본 논문에서는 NVRAM 의 한 종류인 FRAM 을 사용하여 추상화 계층을 구현하였다.
Effects of the extrusion temperature and die angle on the tensile properties of SiCIyAl composites in powder extrusion have been investigated. SiCP/Al composites were extruded at various extrusion temperatures (450, 500, $550^{\circ}C$) under the extrusion ratio of 25 : 1. The ram speed was maintained at 13 cm/min for all the extrusion conditions. The surface of the extruded rod appeared to be smooth without tearing at 450 and 50$0^{\circ}C$, whereas it was very rough due to tearing at $550^{\circ}C$. It was found that the tensile strength and elongation of the composites extruded at $500^{\circ}C$ are greater than those of composites extruded at $450^{\circ}C$ This is due to the easier plastic deformation of composite extruded at $500^{\circ}C$, compared with the composites extruded at $450^{\circ}C$. The effect of die angle was examined under 20=60, 120, $180^{\circ}$die angles at extrusion temperature of $500^{\circ}C$ under 25:1 extrusion ratio. The tensile strength of the composites extruded with 20=$60^{\circ}$approved to be higher than that of the composties extruded with 28 : 120 and $180^{\circ}$This is attributable to the higher extrusion pressure, which mixed composite powders could be densely consolidated at elevated temperatures, resulting from high friction force between billet and sliding surface of conical die.
Won, Jong Woo;Kang, Minju;Kwon, Heoun-Jun;Lim, Ka Ram;Seo, Seong Moon;Na, Young Sang
Metals and materials international
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제24권6호
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pp.1432-1437
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2018
This work investigated edge-cracking behavior of equiatomic CoCrFeMnNi high-entropy alloy during hot rolling at rolling temperatures $500{\leq}T_R{\leq}1000^{\circ}C$. Edge cracks did not form in the material rolled at $500^{\circ}C$, but widened and deepened into the inside of plate as $T_R$ increased from $500^{\circ}C$. Edge cracks were most severe in the material rolled at $1000^{\circ}C$. Mn-Cr-O type non-metallic inclusion and oxidation were identified as major factors that caused edge cracking. The inclusions near edge region acted as preferential sites for crack formation. Connection between inclusion cracks and surface cracks induced edge cracking. Rolling at $T_R{\geq}600^{\circ}C$ generated distinct inclusion cracks whereas they were not serious at $T_R=500^{\circ}C$, so noticeable edge cracks formed at $T_R{\geq}600^{\circ}C$. At $T_R=1000^{\circ}C$, significant oxidation occurred at the crack surface. This accelerated edge crack penetration by embrittling the crack tip, so severe edge cracking occurred at $T_R=1000^{\circ}C$.
본 논문은 범용 16bit Fixed-point DSP를 이용한 새로운 미국 DoD 2.4kbps MELP(Mixed Excitation Linear Predictive)보코더의 실시간 구현에 관한 것이다. 구현된 MELP보코더는 ROM 32.6kword, RAM 12.2kword를 가지며 40MIPS DSP에서 약 29MIPS를 필요로 하였다. 출력된 파형은 C simulator 와 Bit Exact한 출력 결과를 보여주었다. 실시간 구현된 MELP를 동일전송율의 2.4kbps AMBE와 음질 비교한 결과 AME보다는 MOS 0.2 음질 이 떨어졌다
DSP를 이용한 Brushless DC (BLDC) 모터의 초고속 센서리스 제어 기법 및 그 결과가 제시된다. 초고속 BLDC 모터의 센서리스 제어를 위해서 주 제어기로 DSP TMS320C240이 사용되며 제어 기법으로는 Pulse Amplitude Modulation(PAM) 기법이 사용된다. RAM 제어 기법을 사용함으로서 인버터는 six-step 방식으로 구동되며 속도 제어는 인버터 DC 링크 앞 단 쵸퍼의 전압 제어에 의해 이루어진다. 회전자 위치는 역기전력 센싱 방식에 의해 추정되며 TMS320C240의 Event Manager Module에 입력되어 Commutation 위치 및 속도가 계산된다. 계산된 속도는 디지털 PI 제어 알고리즘에 의해 처리되며 제어기의 출력은 쵸퍼의 duty 비를 변화시킨다. 개발된 DSP 제어 보드 및 제어 알고리즘의 성능을 시험하기 위해 실험이 수행되었으며 전체 제어 알고리즘은 DSP TMS320C240의 어셈블리 프로그램에 의해 구현된다. 결과로 최고 속도 50000 [rpm]에서 이상적인 응답 특성을 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 EVRC 음성 부호화 시스템을 7MS320C54x를 이용하여 전 과정을 어셈블리어로 실시간 구현하였다. 구현된 EVRC 음성 부호화기는 최대의 계산량을 요구하는 8kbps 일때 잡음제거 알고리즘을 제치한 인코더부분이 평균 26.3MIPS 이며 디코더부분은 3.6MIPS의 복잡도를 나타낸다. 사용된 메모리양은 프로그램 ROM 16.9K words, 데이터 ROM(table) 7.9K words 및 RAM 5.8K words 이다. 구현된 EVRC 음성 부호화기는 북미 표준화 기구인 TIA(Telecommunications Industry Association)에서 제공하는 19 개의 테스트 백터들을 모두 통과하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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