• 제목, 요약, 키워드: Quadrupole illumination

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패턴 분해능 및 초점심도 향상에 대한 사입사 조명 (Off-Axis Illumination)

  • 박정보;이성묵
    • 한국광학회지
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    • v.10 no.6
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    • pp.453-461
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    • 1999
  • 본 연구에서는 파장 0.248$\mu$m의 KrF Eximer Laser를 광원으로 하고 NA가 0.65인 광학계를 사용하는 리소그래피 시스템에서, 환형(annular)조명과 4구(quadrupole)조명의 조건들을 바꾸어 가며 구현하고자 하는 패턴의 분해능과 초점심도 향상에 어떠한 영향을 주는지 알아보았다. 그 결과, 환형 조명에서는 원형 마스크와 광학적 근접효과를 보정하기 위해 보조 패턴을 삽입한 마스크의 경우, 최적의 분해능과 초점심도를 보이는 조명조건이 다름을 알 수 있었다. 또한, 사구 조명의 경우에는 일반적으로 사용되는 45$^{\circ}$위치의 X자형 배치를 주요 패턴의 방향에 따라 적절히 바꾸어 주면 분해능과 초점심도를 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

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마스크 뒷면에 2 위상 회절 격자를 구현한 변형 조명 방법 (Modified Illumination by Binary Phase Diffractive Patterns on the Backside of a Photomask)

  • 이재철;오용호;고춘수
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • v.17 no.7
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    • pp.697-700
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    • 2004
  • We propose a method that realizes the modified illumination by implementing a binary phase grating at the backside of a photomask. By modeling the relationship between the shape of a grating on the photomask and the light intensity at the pupil plane, we developed a program named MIDAS that finds the optimum grating pattern with a stochastic approach. After applying the program to several examples, we found that the program finds the grating pattern for the modified illumination that we want. By applying the grating at the backside of a photomask, the light efficiency of modified illumination may be improved.

마스크 뒷면에 동심원 격자를 사용한 변형조명 방법 (Modified Illumination with a Concentric Circular Grating at the Backside of a Photomask)

  • 오용호;고춘수;임성우;이재철
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • v.18 no.3
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    • pp.212-215
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    • 2005
  • Modified illumination techniques have been used to enhance the resolution of the sub-wavelength lithography. But, since they shield the central part of incident light, the light efficiency is seriously degraded, which in turn reduces the throughput of a lithography process. In this research, we introduced an annular illumination structure that enhances the light efficiency with a concentric circular grating at the backside of a photomask. The efficiency of the structure was theoretically analyzed.

$0.1{\mu}m$급 dense 패턴 형성을 위한 사입사 조명 조건과 OPC 보조 패턴 크기의 최적 조건에 관한 연구 (Research on the optimization of off-axis illumination condition and sub-resolution pattern size for the $0.1{\mu}m$ rule dense pattern formation)

  • 박정보;이재봉;이성묵
    • 한국광학회지
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    • v.12 no.3
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    • pp.190-199
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    • 2001
  • 본 연구에서는 193nm의 ArF excimer laser 광원과 0.65의 NA를 갖는 광학계에서 기본 선폭이 $0.1{\mu}m$이고 duty ratio 가 1:1인 dense line & space(LS) 패턴에 대하여 여러사입사 조명 조건에 따른 초점심도(Depth of Focus; DOF)와 cutoff intensity를 확인하고 기본 capacitor 패턴에서 광학적 근접효과 보정을 위한 hammer head형 보조 패턴의 크기와 여러사입사 조건에 다른 DOF와 cutoff intensity의 변화에 대하여 알아보았다. 그결과 0.1$\mu$m급의 dense 패턴 구현을 위해서는 전형적인 X자형 사구 조명보다는 십자(+)형 사구 조명이나 환형조명이 보다 효과적인 것을 알수 있었다. 이와 더불어 보조 패턴의 크기가 약간 변한다 하더라도 일정한 초점심도와 cutoff intensity를 유지하는 경향을 보이는 특정한 조명 조건이 존재함을 밝히고 그에 따라 최적의 조명 조건과 보조 패턴의 크기에 대하여 알아보았다.

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