• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2001년도 학술대회논문집
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• pp.145-149
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• 2001

The most of faults in gas insulation of power facilities are caused by partial discharge. Therefore we simulated partial discharge and measured the radiated electromagnetic wave emitted from partial discharge in SF$_{6}$ gas by biconical antenna. This paper describes time delay and electric fields pulse characteristics of radiated electromagnetic waves with distance(1[m], 3[m], 5[m]) between antenna and discharge source.e.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.587-588
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• 2008

Digital PLL을 위한 높은 해상도를 갖는 TDC(Time to Digital Converter)를 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하였다. 2단 구조를 갖는 TDC를 제안하였고 이를 Cadence Spectre를 이용하여 검증하였다. TDC는 Difference pulse generator, coarse 변환기와 fine 변환기로 구성된다. 그리고, 2단 변환기와 Thermometer decoder를 이용하여 delay cell의 수를 적게 유지하면서도 높은 해상도를 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.10-14
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• 1981

This paper deals with design of circuit that gives a linear relationship between the voltage controlling the Phase delay an인e of thrysistor trigger pulse and the average voltage in the load. The design is based an the method of linear triggering of thrysistion. It is shown that method is also effective with the input signal how variable frequencies.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.57-60
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• 1999

In many radio communication environments, there is a special component, called inter-symbol interference (ISI), mused by multipath time delay of signal and ISI components impose limitation of the data transmission rate. In this paper, we consider signaling pulse shapes, called partial response signaling (PRS), for minimizing the effect of ISI and show the improvement of performance by applying one of the partial-response signaling (PRS) pulses to two types of receiver system under dependent noise environments through the Monte-Carlo computer simulations.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.102-108
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• 1991

Utilizing self-phase modulation effects of a dispersion-shifted fiber and delay-line characteristics of two gratings, mode-locked 80 ps pulses at 1.319${\mu}{\textrm}{m}$ wavelength from a Nd: YAG laser are compressed down to 2.1 ps. These pulses are further compressed down to 340 fs using higher order soliton effects in a common single mode fiber.

• 전기의세계
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• 제21권1호
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• pp.17-21
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• 1972

Electrical resistivity and switching phenomena in glass semiconductor of AsTe and AsTeGa is studied. Samples sliced from ingot which is air quenched or water quenched, show high resistivity at room temperature. The resistivity of the AsTe and AsTeGa is 1*10$^{6}$ .ohm.-cm and 5*10$^{6}$ .ohm.-cm at 27.deg. C. Switching phenomena take place in thin the thick samples. Holding voltage is different with the thickness of the samples and the characteristics of switching in the thin and thick samhles are similar. When square wave pulse voltage is applied, delay time is detected to 5.mu.sec by oscilloscpoe.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• 한국통신학회논문지
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• 제33권4A호
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• pp.352-360
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• 2008

최근 IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.15.4a TG (Task Group)에서는 저소비, 저전력 뿐만 아니라 다수개의 피코넷이 공존하는 즉, SOPs (simultaneously operating piconets) 환경하에서 거리 인지가 가능하도록 규정하고 있으며 거리인지 (ranging)의 서비스에 따라 Ternary 코드를 이용한 coherent/non-coherent 방안이 표준으로 채택되었다. 그러나 표준안에서 제시된 최소의 펄스 간 간격(Pulse Repetition Interval; PRI)은 채널의 최대 초과 지연 aximum Excess Delay; MED) 보다 좁아 펄스 간 간섭 (Inter-Pulse Interference; IPI) 문제가 발생되어 DS(Direct Sequence) 기반의 추정기법으로는 부정확한 최초 도착 시간(Time Of Arrival; TOA)을 얻게 된다. 따라서 본 논문에서는 IPI을 줄이면서 고정밀 TOA를 추정하기 위한 비주기적 펄스 전송 (non-periodic transmission; NPT) 패턴 기법을 제안한다. 수신단은 저속 무선 개인 영역 네트워크의 모티브를 고려하여 에너지 검출을 이용한 non-coherent 기반의 수신 구조로 구성하였다. TOA 정보는 슬라이딩 상관처리 후 역 탐색 구간 (Search Back Window; SBW)을 두어 오차를 감소시키고 사전 정해진 임계치를 이용하여 얻기 된다. 제안된 펄스 패턴 기법에 대한 성능을 검증하기 위해서 BEE 802.15.4a TG에서 제시한 두 가지 채널 모델을 적용하였고 시뮬레이션 결과로부터 제안된 기법이 다수개의 피코넷이 공존하는 다중 경로 환경에서 일반적인 기법보다 성능이 개선됨을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.2479-2485
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• 2013

본 논문에서는 순차 바이어스를 이용한 반도체 레이더용 SSPA를 설계 하였다. 전력증폭기의 상승/하강 바이어스 지연에 의해 발생되는 신호의 왜곡을 제거하기 위하여 가변확장 펄스 생성기를 적용하였다. 최적화된 임피던스 매칭회로는 GaN-전력 소자의 높은 효율을 갖기 위하여 로드-풀 방식을 통한 마이크로파 특성 측정으로 설계되었다. 설계된 SSPA는 X밴드 반도체 레이더에 적용하기 위하여 전치 증폭기, 구동 증폭기 그리고 주 증폭기의 3개의 단으로 구성되었다. 그 결과로 200W 출력 펄스 최대 53.67dBm을 가지고 평균 52.85dBm의 SSPA를 만들 수 있었다. 본 논문에 제시된 반도체 펄스 압축 레이더 트랜시버 모듈의 최적화 설계는 추가적인 디지털 레이더에 대한 연구를 통해 소형화와 동작향상이 가능하다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.880-883
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• 2012

본 논문에서는 CMOS 논리소자의 과도방사선 피해 영향을 분석하기 위해 0.18um CMOS 공정으로 NMOSFET, PMOSFET을 이용하여 기본 논리소자인 INVERTER, NAND, NOR를 설계하고 제작하였다. 제작된 논리 소자 실측결과 1.8V 전원에서 1kHz의 Pulse 입력을 가하였을 때 소모 전류는 70uA 이내, Rising Time, Falling Time 또한 4us 이내이며 펄스 방사선 실측시험을 위해 50M Cable을 이용하여 측정결과 Line Delay가 발생하는 것을 확인하였다.