• 한국전자통신학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.357-364
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• 2022

의사난수 생성기(PRNG)는 많은 양의 난수가 필요할 때 사용되는 프로그램이다. 대칭 키 암호시스템에서 대칭 키를 생성, 공개 키 암호나 디지털 서명에서 공개 키 쌍의 생성, 일회용 패드로 패딩에 사용되는 열을 생성하는 데 사용한다. 다양한 과학 분야에서 비선형 동역학계를 구체적으로 표현하는데 유용한 셀룰라 오토마타(CA)는 이산적이고 추상적인 계산 시스템으로 하드웨어 구현이 가능하여 암호시스템에서 키를 생성하는 PRNG로 응용되고 있다. 본 논문에서는 이웃 셀의 반경을 2로 증가한 5-이웃 CA를 이용하여 비선형 수열을 효과적으로 생성할 수 있는 프로그램 가능한 5-이웃 CA기반의 PRNG를 합성하는 알고리즘을 제안한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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• pp.441-445
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• 2009

본 논문에서는 Self-Programmable Cellular Automata(SPCA)를 기반으로 하여 최대주기수열을 생성하는 방법을 제안한다. 최근 긴 주기의 수열을 생성하기 위해서 CA의 차원을 증가시키거나, 상태전이 단계마다 각 셀의 전이규칙을 바꾸는 PCA를 사용하여 왔다. 본 논문에서는 셀의 전이 규칙에 역동성을 부여하기 위하여 각 셀의 상태전이 규칙을 각 시간 단계마다 바꿈으로써 더 긴 주기의 수열을 생성하고 생성된 수열의 랜덤성을 높이고자 한다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.319-326
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• 2020

PRNG(Pseudorandom number generator)는 안전한 온라인 통신을 위한 암호화 키 생성에 있어서 필수적이다. PRNG에 의해 생성되는 비트 스트림은 대칭키 암호 시스템에서 빅 데이터를 효과적으로 암호화할 수 있도록 고속으로 생성되어야 하며 또한 여러 통계적 테스트를 통과할 수준의 랜덤성을 확보해야 한다. CA(Cellular Automata) 기반의 PRNG는 하드웨어로 구현이 용이하고, LFSR기반의 PRNG보다 렌덤성이 우수하다고 알려져 있다. 본 논문에서는 대칭키 암호시스템에서 효과적인 키 수열을 생성할 수 있는 PMLCA(Programmable Maximum Length CA)기반의 PRNG를 설계한다. 제안하는 PRNG는 비선형 제어 방식을 통해 비트 스트림을 생성한다. 먼저 주기가 긴 선형 수열을 생성하는 단일 여원벡터를 갖는 (m,n)-셀 PMLCA ℙ 기반의 PRNG를 설계하고 주기와 생성다항식을 분석한다. 또한 ℙ와 주기가 같으면서 비선형 수열을 생성하는 두 개의 여원벡터를 갖는 (m,n)-셀 PC-MLCA기반의 PRNG를 설계하고 비선형 수열이 출력되는 위치를 분석한다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제6권2호
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• pp.233-238
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• 2011

In the present work, a new approach is proposed for via interconnects of semiconductor devices, where multi-wall carbon nanotubes (MWCNTs) are used instead of conventional metals. In order to implement a selective growth of carbon nanotubes (CNTs) for via interconnect, the buried catalyst method is selected which is the most compatible with semiconductor processes. The cobalt catalyst for CNT growth is pre-deposited before via hole patterning, and to achieve the via etch stop on the thin catalyst layer (ca. 3nm), a novel 2-step etch scheme is designed; the first step is a conventional oxide etch while the second step chemically etches the silicon nitride layer to lower the damage of the catalyst layer. The results show that the 2-step etch scheme is a feasible candidate for the realization of CNT interconnects in conventional semiconductor devices.