• Journal of Biosystems Engineering
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• 제33권4호
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• pp.230-238
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• 2008

Mechanization such as machine harvesting, precleaning, drying and cleaning for rapeseed harvested with high moisture content should be accomplished for biodiesel production. In addition, machine drying and cleaning is inevitable in the mechanization of work, just because rice should be transplanted right after harvesting rapeseed in Korea. Particularly, early harvested rapeseed with the combine have high moisture content and undesirable materials such as stalks and stones which make drying-process difficult and lower the efficiency of drying. Therefore, this study was conducted to develop precleaner and cleaner which could remove foreign substances from harvested rapeseeds. The precleaner consists of throw-in hopper, conveyor, feeding hopper, two precleaning sieves and discharging sections. Precleaning capacity was 1,505 kg/hr in shaking frequency of 370 cpm (cycles per minute) and tilt angles of between $5^{\circ}$ and $7^{\circ}$. The efficiency of precleaning was between 90.9% and 91.5%. The cleaner consists of feeding, shaking, blowing, cleaning and discharging sections. Cleaning performance was 435.4kg/hr in the number of rocking motions of 475 cpm and tilt angle of $10^{\circ}$. The ratios of cleaning, foreign substances and loss were 96.5%, 3.5% and 0.2%, respectively.

• 한국진공학회지
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• 제4권S1호
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• pp.81-86
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• 1995

Aluminum has been deposited selectively on TiN surfaces in the presence of Si, SiO2 from Dimethyethylamine Alane(DMEAA). The film properties of the deopsited AI film were determined by various methods(SEM, Auger, UV-photospectrometer, Four point-probe, XRD). The effect of in-situ H2 plasma precleaning was studied. The effect of gap distance, pressure and temperature on the properties(crystallinity, resistance, grain size, morphology) of AI film and on the growth rates was investigated. It was found that the plasma precleaning promotes the growth rate and there exists optimum thmperature for maximum growth rate.

• 한국진공학회지
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• 제2권4호
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• pp.480-485
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• 1993

Factros considered building the magnetron sputtering system for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display0 metallization were thin film thichnes uniformity, temperature uniformity and the pressure gradient of sputtering gas flow in vacuum chamber, base pressure, and the stability fo the carrier moving . The system was consisted of a deposition chamber, a pre-heating chamber, a RF-precleaning chamber and a load/unload lock chamber. The system was designed to handle a substrate with dimension of 400$\times$400mm. The temperautre uniformity of a heater table developed showed $250 ^{\circ}C\pm$5% accuracyon the substrate glass. A base pressure of 1.8 $\times$10-7 torr was obtained after 24 hours pumping with a cryo pump. After an aluminum target was installed in a sputtering source and the film wa sdeposited on the glass, the uniformity, reflectivity and sheet resistance of the deposited film were measured.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.1-10
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• 1992

Three chemical precleaning methods-degreasing, electropolishing and acidic etching-suitable for stainless steel vacuum chamber have been studied and compared. The techniques used in evaluating and comparing the three treatments include Auger analysis and the measurement of the outgassing rate. The obtained outgassing rates (N2 equivalent) are 1.1 $\times$ 10-10torr l/s cm2 and 3.9 $\times$ 10-11torr l/s cm2 for degreasing electropolishing, and etching method, respectively, after 48 hours from the initial pumpdown at room temperature. A simple model is introduced to analyze the pumpdown curve. Some surface parameters, such as surface coverage, mean residence time, and desorption energy, are calculated from corresponding equations derived from this model.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.833-837
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• 2012

SC1(Standard Cleaning) 시간을 줄여 STI 측벽에서의 실리콘 손실 및 과도절개를 최소화하여 DRAM에서의 데이터 유지시간을 증가시키는 방법을 제안한다. SC1 시간 최적화를 통해 STI 상층 모서리부에서의 기생 전기장을 약화시킴으로서 Inverse Narrow Width 효과를 감소시키면 셀 트랜지스터의 Subthreshold 누설의 증가없이 채널 도핑농도가 감소하게 된다. 이것은 셀 접합에서 P-Well간 공핍 영역에서의 전기장을 최소화하여 일드나 데이터 유지시간의 증가를 보여 주었다.

• Clinical Endoscopy
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• 제57권4호
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• pp.534-541
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• 2024

Background/Aims: In March 2022, the Association for the Advancement of Medical Instrumentation (AAMI) released the American National Standards Institute (ANSI)/AAMI ST91:2021, their latest update on comprehensive, flexible, and semirigid endoscope reprocessing. These updated standards recommend the sterilization of high-risk endoscopes when possible and provide new recommendations for the precleaning, leak testing, manual cleaning, visual inspection, automated reprocessing, drying, storage, and transport of endoscopes. Methods: ANSI/AAMI ST91:2021 was compared with ANSI/AAMI ST91:2015 for major reprocessing differences that result in either time and/or cost increases. Time estimates were captured by explicit recommendation inclusion or taken from the literature. All the costs were estimated using publicly available resources. Results: The updated standards represent a potential 24.3-minute and 52.35 to 67.57 United States dollars increase per procedure in terms of reprocessing time and spending, respectively, not including capital investments. Capital costs per procedure were highly dependent on the procedure volume of the facility. Conclusions: The new AAMI standards recommend several major changes, such as sterilization, for facilities to reprocess and manage endoscopes between uses. As more facilities increase their reprocessing methods to reflect the updated standards, they do so at a cost and introduce several delays. As the reprocessing landscape evolves, facilities should consider their true costs and alternative solutions, such as single-use endoscopes.

• 한국재료학회지
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• 제6권7호
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• pp.692-699
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• 1996

nptype Si(100)웨이퍼를 precleaning하고 HF 용액에 dip etching한 후 E-beam dvaporator에 장착하여 Co 단일막($170\AA$, $340\AA$)과 Co/Ti 이중막($200\AA$/ $(50-100)\AA$)을 성장시켰다. 시편의 RTA 과정에서는 N2분위기에서 direct annealing 방식으로 열처리 온도와 시간을 변화시켜가며 Co-silicidation 공정을 수행하였다. Co 단일막으로 형성된 Co-실리사이드의 면저항은 $500^{\circ}C\leq$T$\leq$$850^{\circ}C$범위에서 열처리 온도와 시간의 변화에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다. Co/Ti 이중막의 경우 Co-실리사이드의 형성온도가 Co 단일막의 경우에 비해 높게 나타나고 낮은 비저항의 CoSi2를 얻기 위해서는 $800^{\circ}C$이상의 온도로 열처리해야 함을 알 수 있었다. XRD 분석결과, Co 단일막으로부터 얻어진 CoSi2는 (111) 및 (220) 결정상을 나타내었으나, Co/Ti 이중막에 의한 CoSi2는 (200)결정상만이 나타나서 Si(100)기판과 에피층을 이루고 있음을 알 수 있었다. 본 실험에서 CoSi2의 비저항은 약 $18\mu$$\Omega$.cm로 나타났으며, TEM 및 AES 분석으로부터 Co/Ti bilayer-실리사이드가 다량의 Si과 Ti 외에 소량의 Co가 섞여있는 표면 복합층과, Si과 Co만이 존재하는 내부 에피층으로 구성됨을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제11권5호
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• pp.361-366
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• 2001

TiN barrier 막 위에 metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)법으로 Cu막을 증착함에 있어 TiN막 표면을 먼저 세정처리하지 않고 바로 Cu막을 증착하려하면 Cu의 핵생성이 어렵고, 그 결과 연속된 Cu막이 형성되지 못한다. 본 연구에서는 SEM, AES, AFM 등의 분석방법을 사용하여 TiN 막 표면에 대한 플라즈마 전처리 세정이 Cu막의 핵생성에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. Gu의 전처리 세정방법으로는 direct플라즈마 방식이 원거리 플라즈마 방식보다 훨씬 더 효과적이다. 또한 수소플라즈마 전처리 시 rf-power와 플라즈마 조사시간이 증가함에 따라 세정효과는 더 증대된다. 플라즈마 전처리가 Cu의 핵생성을 고양시키는 원리는 다음과 같다. 플라즈마 내의 수소이온이 TiN과 반응하여 $NH_3$가 됨으로서 질소 성분이 제거되어 TiN이 Ti로 환원된다. Cu는 TiN기판보다는 Ti기판상에서 핵생성이 더 잘 되므로 플라즈마 전처리는 Cu의 핵생성을 돕는 효과를 가져온다.

• 자원리싸이클링
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• 제16권5호
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• pp.71-76
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• 2007

가정에서 분리 배출된 폐플라스틱은 일반적으로 수선별 등 분리선별 공정을 거친 후 종말품으로 회수되어, 현재 대부분이 매립이나 소각되고 있다. 혼합폐플라스틱 종말품의 경우 2006년 약 175만톤 발생된 것으로 예측되고 있으나, EPR실시 이후로 발생량은 2000년에 비해 2배 이상 크게 증가한 실정이다. 특히, 혼합폐플라스틱 종말품의 경우 PVC 함량(4 wt.% 이하)이 매우 높아 이들의 재활용에 커다란 제약이 되고 있다. 본 연구에서는 혼합폐플라스틱 종말품으로부터 풍력 및 습식 비중선별장치를 이용하여 폴리올리핀계 (PE, PP, PS) 플라스틱을 경량물로 회수하는 선별시스템을 개발하였다. 본 선별시스템은 풍력선별, 자력선별, 1단계 파쇄, 정량공급 및 습식 비중선별 공정으로 구성되어 있으며, 습식 비중선별 공정은 원심분리를 기본으로 혼합-세척-선별 및 탈수가 단일장치내에 집약된 특징이 있다. 또한, 본 연구에서는 연질 플라스틱의 분쇄 효율을 크게 개선한 파쇄기를 개발하였다. 개발된 습식 비중선별장치의 용량은 시간당 0.5 톤으로, 이를 이용하여 회수된 경량물의 PVC 함량은 0.3wt.% 이하이며, 경량 및 중량 회수물의 수분 함량도 각각 10% 이하를 달성하였다.