In this paper, it was demonstrated that the organic thin film transistors were fabricated by the organic gate insulators with vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polyimide as a gate insulator, vapor deposition polymerization process was also introduced instead of spin-coating process, where polyimide film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) and 4,4'-oxydianiline (ODA) and 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and ODA, and cured at $150^{\circ}C$ for 1hr. Electrical output characteristics in our organic thin film transistors using the staggered-inverted top-contact structure obtained to the saturated slop in the saturation region and the subthreshold non-linearity in the triode region. Field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio in $0.45\;{\mu}m$ thick gate dielectric layer were about $0.17\;cm^2/Vs$, -7 V, and $10^6\;A/A$, respectively. Details on the explanation of compared to organic thin-film transistors (OTFTS) electrical characteristics of ODPA-ODA and 6FDA-ODA as gate insulators by fabricated thermal co-deposition method.
폴리이미드 표면에 대한 습식 개질 전처리 조건에 따른 폴리이미드와 무전해 도금 Ni 박막사이의 계면파괴에너지를 $180^{\circ}$ 필 테스트를 통해 정량적으로 구하였다. KOH 처리시간이 1분인 경우 계면파괴에너지는 24.5 g/mm에서 5분 처리 시 33.3g/mm로 증가하였고, EDA처리 시간이 1분인 경우 31.6 g/mm에서, 5분 처리 시 22.3g/mm로 저하되었다. 이러한 습식 개질전처리 조건에 따른 폴리이미드 표면 거칠기 변화는 매우 작아서, 기계적 고착 효과는 계면파괴에너지 변화에 기여하지 못했음을 알 수 있다. KOH는 carboxyl기, EDA는 amine기를 폴리이미드 표면에 형성시켜 Ni과 강한 화학적 결합을 이루어, 폴리이미드 내부의 cohesive 박리거동을 보였다. 습식 개질전처리 조건에 따른 계면파괴에너지의 거동은 파면 부근에 형성된 O=C-O 결합과 매우 밀접한 연관성이 있는 것으로 판단된다.
Organic thin film transitors(TFTs) are of interest for use in broad area electronic applications. For example, in active matrix liquid crystal displays(AMLCDs), organic TFTs would allow the use of inexpensive, light-weight, flexible, and mechanically rugged plastic substrates as an alternative to the glass substrates needed for commonly used hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H). Recently pentacene TFTs with carrier field effect, mobility as large as 2 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ have been reported for TFTs fabricated on silicon substrates, and it is higher than that of a-Si:H. But these TFTs are fabricated on silicon wafer and $SiO_2$ was used as a gate insulator. $SiO_2$ deposition process requires a high insulator which is polyimide and photo acryl. We investigated trasfer and output characteristics of the thin film transistors having active layer of pentacene. We calculated field effect mobility and on/off ratio from transfer characteristics of pentacene thin film transistor, and measured IR absorption spectrum of polymide used as the gate dielectric layer. It was found that using the photo acryl as a gate insulator, threshold voltage decreased from -12.5 V to -7 V, field effect mobility increased from 0.012 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ to 0.039 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ , and on/off current ratio increased from $10^5\;to\;10^6$. It seems that TFTs using photo acryl gate insulator is apt to form channel than TFTs using polyimide gate insulator.
폴리이미드에 폴리실록산 블록을 포함시키는 형태의 공중합체를 통해 내열 점착특성을 갖는 박막층을 형성하였다. 카르복시기를 포함하는 폴리이미드를 중합하여 디아미노실록산과 반응하면서 필름을 형성하는 제조방법에서 그래프트화 및 가교결합을 형성하였다. 투과전자현미경과 energy dispersive X-ray spectroscopy(EDX)를 통한 모폴로지 조사에서 폴리이미드와 폴리실록산 부분은 각각 100 nm 크기의 구형 도메인과 연속상을 갖는 마이크로 상분리 구조를 갖는 것을 확인하였다. 또한 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석에서는 공기-필름 계면에 폴리실록산 성분이 주로 노출되고 있음이 나타났다. $400^{\circ}C$까지 내열성을 갖는 폴리(이미드실록산) 박막층은 상온에서 $300^{\circ}C$까지 그 점착 특성이 유지됨을 확인하였다. 폴리이미드의 카르복시기와 아미노실록산의 그래프트화가 마이크로도메인 형성과 점착특성을 나타내는데 중요하게 작용함을 비교실험을 통해 확인하였다.
The display industry is transitioning from traditional rigid products such as flat panel displays to flexible or wearable ones designed to be folded or rolled. Accordingly, colorless and optically transparent polyimide (CPI) films are one of the prime candidates to substitute traditional cover glass as a passivation layer to accommodate product flexibility. However, CPI films subjected to repetitive pure bending loads inevitably entail an accumulation of residual strain that can eventually cause wrinkles or delamination in the underlying component after a certain number of static and cyclic loading. The purpose of this study is to establish an experimental method to systematically evaluate the bending residual strain of CPI films. Films were monotonically and cyclically wrapped on mandrels of various diameters to ensure a constant strain in each. After unwrapping the wound CPI film, the residual radius of curvature remaining on the film was measured and converted into residual strain. The critical radius of curvature at which residual strain does not remain was about 5 mm, and the residual strain decreased in proportion to the log time. It is expected that flexible displays can be reliably designed using the data between the applied bending strain and the residual strain.
정보전달 매체 중 시각을 통하여 우리에게 정보를 제공해 주는 디스플레이는 직관적으로 정보를 전달해 줌으로써 매우 중요한 정보전달 수단이라고 할 수 있으며 액정표시장치는 디스플레이 중에서 가장 많이 보급되어 있는 정보전달기기라고 할 수 있다. 본 논문에서는 액정디스플레이 제작을 위하여 필수적인 러빙 기반 액정 배향 공정을 대체할 수 있는 공정으로서 solvent assisted micromolding을 연구하였으며 가장 일반적인 액정 배향막인 polyimide에 나노구조를 형성함으로써 균일하게 액정 배향을 달성하고자 하였다. Polyimide 나노구조 형성 시 공정 온도에 따라 용매에 의한 고분자 용해효과와 몰드의 나노구조 안으로 polyimide 분자의 모세관 효과 사이의 상보적 상관관계가 존재하였으며 최적온도 도출을 통해 높은 단차를 갖는 나노구조를 형성할 수 있었다. 이러한 나노구조는 액정 분자를 균일하게 배향할 수 있었으며 일정한 선경사각을 형성할 수 있음을 증명하였다.
In this study, reduced graphene oxide/polyimide (r-GO/PI) composite films, which showed significant enhancement in their electrical conductivity, were successfully fabricated. GO was prepared from graphite using a modified Hummers method. The GO was used as a nanofiller material for the preparation of r-GO/PI composites by in-situ polymerization. An addition of 20 wt% of GO led to a significant decrease in the volume resistivity of composite films by less than nine orders of magnitude compared to that of pure PI films due to the electrical percolation networks of reduced GO created during imidization within the films. A tensile test indicated that the Young's modulus of the r-GO/PI composite film containing 20 wt% GO increased drastically from 2.3 GPa to 4.4 GPa, which was an improvement of approximately 84% compared to that of pure PI film. In addition, the corresponding tensile strength was found to have decreased only by 12%, from 113 MPa to 99 MPa.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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