• 제목/요약/키워드: Pinning

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Study on the Dislocation Structure and Work Hardening of Single-crystal L12-Ni3Al Intermetallic Compounds Prepared by Bridgman Method

  • Chang-Suk Han;Chang-Hwan Bae
    • 열처리공학회지
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    • 제37권5호
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    • pp.215-220
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    • 2024
  • Slip lines and dislocation structures developed by deformation at 77 K, 292 K and 500 K have been investigated by an optical microscope and a high-voltage electron microscope. Slip patterns after the deformation by 4-5% at 77 K and 500 K are compared. From the slip line geometry, operation of both primary and secondary {111} slips have been confirmed. However, the primary slip lines formed at 77 K appear coarser and more pronounced than those at 500 K. This indicates that a larger number of dislocations have moved on the same plane at 77 K. Another characteristic difference noted here is that the slip lines are straight and pass through the specimen from one end to the other at 77 K. On the contrary, slip lines are rather faint at 500 K. The typical change found at 77 K is the increase in the [$0{\bar{1}}1$] dipole dislocations and generation of the [$10{\bar{1}}$] screw dipoles upon increase in the strain from 1.2% to 5.2%. This is the indication that the straight dipole dislocations were formed by a pinning effect due to jogs generated by mutual cutting between primary and secondary dislocations. Extremely fine slip has been noted after deformation at 500 K indicating that the usual Frank-Read source is not operative at high temperatures due to the strong KW locking.

번식방법과 재배시스템에 따른 딸기의 생장, 생산성, 품질 (Growth, Productivity, and Quality of Strawberry as Affected by Propagation Method and Cultivation System)

  • 강동일;호강도;리야리;정병룡
    • 생물환경조절학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.326-336
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    • 2020
  • 이 연구는 번식방법과 재배시스템별 딸기 '설향' 품종의 생산성을 조사하기 위하여 수행되었다. 삽목법과 유인법으로 번식된 이식묘를 토경과 수경재배 시스템에서 진주의 딸기 재배농가에서 2018년 9월12일부터 한 작기 동안 재배하였다. 과실 수확은 2018년 12월 20일에 시작하여 작기가 끝날 때까지 4-5일 간격으로 계속하였다. 전 수확기간 동안 생육, 과실 생산성 및 품질을 측정하였다. 번식방법이 크라운 직경, 엽장 및 엽폭에 유의미한 영향을 미쳤다. 재배시스템은 크라운 직경, 엽장, 엽폭, 엽록소 함량 및 엽수에 상당한 영향을 주었다. 전 수확기간 동안 포기 당 총 과실 수량과 과실 당 평균 과중은 토경재배 시스템에서 유의미하게 낮았다. 시장성이 없는 총 과일 비율은 수경재배 보다 토경재배 시스템에서 현저하게 더 높았다. 시장성이 없는 과일 토경에서는 주로 작은 과일인데 인데 반해 수경재배에서는 주로 기형 과일이었다. 전반적인 고품질 과실은 2월에 수확되었고, 수경재배 시스템에서 토경에 비해 과실의 품질이 더 높았다. 삽목번식이 유인번식 보다 더 좋았고, '설향'의 과실 생산성을 높이기 위해서는 수경재배가 토경재배 보다 더 우수하다는 결론을 얻었다.

Abrikosov 볼텍스에 의한 결정입계 볼텍스의 속박 현상 (Possible pinning of grain-boundary vortices by neighboring Abrikosov vortices in the nearby grains)

  • 김동호
    • 한국초전도학회:학술대회논문집
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    • 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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    • pp.1-5
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    • 1999
  • The critical currents I$_c$ of the YBCO grain boundaries of 90-degree [100] symmetric tilt showed a hysteretic behavior depending on how the external magnetic fields were applied. Near 77K for fields less than ${\sim}$1 T, the field-cooled I$_c$ of grain boundaries was larger than the zero-field-cooled I$_c$. This result is consistent with the model in which the grain-boundary vortices can be pinned by neighboring Abrikosov vortices in the nearby grains.

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자기적 성질 변화를 이용한 원자로 압력용기강의 조사효과 평가

  • 박덕근;강영환;홍준화;김인섭
    • 한국원자력학회:학술대회논문집
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    • 한국원자력학회 1996년도 춘계학술발표회논문집(3)
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    • pp.317-322
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    • 1996
  • 원자로 압력공기 재료인 SA508-3 강의 중성자 조사량에 따른 Hysteresis Loop 의 변화와 Barkhausen Noise 의 변화를 조사하였다. 조사량에 따른 최대자기유도, 보자력, 잔류자화 및 Barkhausen Amplitude 의 변화를 측정하였으며, 이를 격자변형에 의한 자구 벽의 pinning 과 중성자 조사에 의한 자기에너지의 변화로 설명하였다. 중성자 조사에의 한 자기적 성질은 기계적 성질의 변화보다 훨씬 민감하게 변화하였으며, 보자력과 잔류자화는 중성자 조사량에 따라 선형으로 증가하였다. 이를 이용하면 조사손상 평가와 함께 조사량을 측정하는 dosimetry 에도 적용될 수 있는 가능성이 있다.

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NiFeSiB / CoFeB 하이브리드 자유층을 사용한 자기터널접합구조에서 Bottom-Type Pinnning MgO 터널 배리어 두께변화에 따른 자기 저항비 증진 연구 (Improvement of Magnetic Transport Properties in Bottom-Type Pinning MgO Magnetic Tunnel Junctions with NiFeSiB/CoFeB Hybrid Free Layer)

  • 김도형;조지웅;김도균;;;;;김영근
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2009년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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    • pp.121-122
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    • 2009
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Contact resistance in graphene channel transistors

  • Song, Seung Min;Cho, Byung Jin
    • Carbon letters
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    • 제14권3호
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    • pp.162-170
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    • 2013
  • The performance of graphene-based electronic devices is critically affected by the quality of the graphene-metal contact. The understanding of graphene-metal is therefore critical for the successful development of graphene-based electronic devices, especially field-effect-transistors. Here, we provide a review of the peculiar properties of graphene-metal contacts, including work function pinning, the charge transport mechanism, the impact of the process on the contract resistance, and other factors.