Improvement of Magnetic Transport Properties in Bottom-Type Pinning MgO Magnetic Tunnel Junctions with NiFeSiB/CoFeB Hybrid Free Layer

NiFeSiB / CoFeB 하이브리드 자유층을 사용한 자기터널접합구조에서 Bottom-Type Pinnning MgO 터널 배리어 두께변화에 따른 자기 저항비 증진 연구

  • Kim, Do-Hyeong ;
  • Jo, Ji-Ung ;
  • Kim, Do-Gyun ;
  • Tan, Reasmey ;
  • Isogami, Shinji (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
  • Tsunoda, Masakiyo (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
  • Takahashi, Migaku (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
  • Kim, Yeong-Geun
  • 김도형 (고려대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 조지웅 (고려대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 김도균 (고려대학교 공과대학 신소재공학과) ;
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  • 김영근 (고려대학교 공과대학 신소재공학과)
  • Published : 2009.05.31