친환경 마늘재배농가의 엽초유인 및 제초작업에 소요되는 노동력을 절감하고 비닐피복으로 인한 비상품성 마늘의 비율을 낮추기 위하여 왕겨 등 4종의 피복재료를 이용하여 본 시험을 수행하였다. 출현기는 투명P.E.필름 피복구에서 2월 18일로 가장 빨랐으며 무피복구에서 3월 23일로 가장 늦었고, 이중피복구는 투명P.E.필름 피복구보다 다소 늦다. 지상부 생육은 관행>이중피복구>무피복 순으로 양호한 생육을 보였지만 엽초장은 짚+투명P.E.피복구와 톱밥+P.E.피복구에서 투명P.E.필름 피복보다 양호하였다. 피복재료별 잡초발생량은 검정유공P.E.필름+투명P.E.피복구에서 가장 적었고, 이중 피복구에서 48%~56%의 방제가를 보였다. 이중피복 처리에 따른 육쪽비율을 보면 짚+투명P.E.피복구에서 가장 높았고, 이중 피복구가 투명P.E.필름 피복구보다 2배 이상 육쪽비율이 높은 경향을 보였다. 지하부 특성은 투명P.E.필름 피복구에서 구경, 구고, 구중이 가장 양호하였으나 이차생장율이 가장 높았으며, 왕겨+투명P.E.피복구에서 이차생장율이 가장 낮았다. 전체수량은 투명P.E.필름 피복구에서 961kg/10a로 가장 많았지만 상품수량은 왕겨 피복구에서 848kg/10a로 가장 많았다.
CEM BIO P.E.필름으로 피복된 시설에서 300~1,100nm 사이의 분광투과율은 일반 P.E. 필름으로 피복된 시설보다 높았다. 전반적으로 시설내 광투과율은 이중피복, 골조, 기타시설물 때문에 노지에 비하여 절반 수준을 나타냈다. 순복사량은 CEM BIO P.E. 필름 피복시설이 5,424.5W.m$^{-2}$ 로서 일반 P.E.필름 피복시설보다 2.9% 낮았고, 광합성유효복사 투과율은 CEM BIO P.E.필름 피복시설이 3,861.2W.n$^{-2}$ 로서 일반 P.E. 필름 피복시설보다 3.8% 높았으며, 무가온기의 적산최저온도는 CEM BIO P.E. 필름 피복시설이 일반 P.E. 필름 피복시설보다 1일 평균 0.35$^{\circ}C$ 높았다. 정식후 30일의 풋고추 생육은 CEM BIO P.E. 필름 피복시설에서 초장, 경경, 엽면적, 생체중, 건물중 및 군락생산구조가 우수하였고, 과실은 과중이 11.28g으로 일반 P.E. 필름 피복시설 보다 1.25g 무거웠으며, 상품율은 2.7% 높았다. 1997년 11월 19일부터 1998년 3월 3일 사이의 수량은 CEM BIO P.E. 필름피복시설에서 7.4% 많았으나 전체적인 수량은 차이를 보이지 않았다.
In order to study the effect of modified atmosphere packaging(M.A.P.) and controlled atmosphere(C. A.) storage on keeping freshness of mushrooms (Agricus-bisporus). Mushrooms was packaged with polyethylene(P.E.) film (40${\mu}{\textrm}{m}$, 60${\mu}{\textrm}{m}$, 80${\mu}{\textrm}{m}$) and C.A. conditions(CO2 concentration of 2%, O2 concentration of 2%) and storage at 0$\pm$1$^{\circ}C$, RH(relative hummidity) 92$\pm$1%. Gas composition in film was changed rapidly at early of storage, but it kept a constant level after 14 days of storage, and then kept at the level of 6~9% CO2 and 2~5% O2. Weight loss was 5% in non-packed mushrooms after 3 days of storage, but P.E. film, CO2 treated, C.A. conditions were 5% after 21 days of storage. Flesh firmness of the mushrooms was continuously decreased throughout storage period and the lowest of flesh firmness changed was 80${\mu}{\textrm}{m}$-P.E. film packing. Discoloration of the piteous of mushrooms appears to be the most Important factors to determine its marketability, L value of it appears to be of the high values at P.E. film packing and C.A. conditions during period. Large amount of ethanol and acetaldehyde were produced from the 7 days during storage, large contents of mannitol and trehalose were at the 14 days and 7 days during storage.
Polycrystalline CdTe thin film has been studied for photovoltaic application due to the 1.45 eV band gap energy ideal for solar energy conversion and high absorption coefficient. The formation of low resistance contact to p-CdTe is difficult because of large work function(>5.5eV). Common methods for ohmic contact to p-CdTe are to form a p+ region under the contact by in-diffusion of contact material to reduce the barrier height and modify a p-CdTe surface layer using chemical treatment. In this study, the surface chemical treatment of p CdTe was carried out by H$\_$3/PO$\_$4/+HNO$\_$3/ or K$\_$2/Cr$\_$2/O$\_$7/+H$\_$2/SO$\_$4/ solution to provide a Te-rich surface. And various thin film contact materials such as Cu, Au, and Cu/Au were deposited by E-beam evaporation to form ohmic contact to p-CdTe. After the metallization, post annealing was performed by oven heat treatment at 150.deg. C or by RTA(Rapid Thermal Annealing) at 250-350.deg. C. Surface chemical treatments of p-CdTe thin film improved metal/p-CdTe interface properties and post heat treatment resulted in low contact resistivity to p-CdTe.Of the various contact metal, Cu/Au and Cu show low contact resistance after oven and RTA post-heat treatments, respectively.
The ferroelectric properties of Pb(Zr,Ti)O$_3$[PZT] films degrade when the films with Pt top electrodes are annealed in hydrogen containing environment. This is due to the reduction activity of atomic hydrogen that is generated by the catalytic activity of the Pt top electrode. At the initial stage of hydrogen annealing, oxygen vacancies are formed by the reduction activity of hydrogen mainly at the vicinity of top Pt/PZT interface, resulting in a shift of P-E (polarization-electric field) hysteresis curve toward the negative electric field direction. As the hydrogen annealing time increases, oxygen vacancies are formed inside the PZT film by the inward diffusion of hydrogen ions, as a result, the polarization degrades significantly and the degree of P-E curve shift decreases gradually. The direction and the magnitude of the remnant polarization in the PZT film affect the motion of hydrogen ions which determines the degradation of polarization characteristics and the shift in the P-E hysteresis curve of the PZT capacitor during hydrogen annealing. When the remnant polarization is formed in the PZT film by applying a pre-poling voltage prior to hydrogen annealing, the direction of the P-E curve shift induced by hydrogen annealing is opposite to the polarity of the pre-poling voltage. The hydrogen-induced degradation behavior of the PZT capacitor is also affected by the internal field that has been generated in the PZT film by the charges located at the top interface prior to hydrogen annealing.
In the present work, we investigated the photodissolution and photodiffusion effect on the interface of Ag/chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film by measuring the absorption coefficient, the optical density, the resistance change of Ag layer. It was found that the photodissolutioniphotodiffution ratio depends on the magnitude of photon energy absorbed in the chalcogenide thin film and the depth of photodiffution was proportional to the square root of the exposed time. Also, we have investigated the holographic grating formation with P-polarization states on chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film and $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag$ double layer structure thin film. Holographic gratings have been formed using He-Ne laser (632.8 nm) which have a smaller energy than the optical energy gap, $E_g\;_{opt}$ of the film, i. e., an exposure of sub-bandgap light $(h{\upsilon} under P-polarization. As the results, we found that the diffraction efficiency on $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag$ double layer structure thin film was more higher than that on single $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film. Also, we obtained that the maximum diffraction efficiency was 0.27 %, 1,000 sec on $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}\;(1{\mu}m)/Ag$ (10 nm) double layer structure thin film by (P: P) polarized recording beam. It will offer lots of information for the photodoping mechanism and the analyses of chalcogenide thin films.
A stochiometric mix of CuInTe₂ polycrystal was prepared in a honizonatal furnace. To obtain the single crystal thin films, CuInTe₂ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the HWE system. The source and substrate temperatures were 610℃ and 450℃ respectively, and the thickness of the deposited single crystal thin film was 2.4㎛. CuInTe₂ single crystal thin film was proved to be the optimal growth condition when the excition emission spectrum was the strongest at 1085.3 nm(1.1424 eV) of photoluminescence spectrum at 10 K, and also FWHM of Double Crystal X-ray Rocking Curve (DCRC) was the smallest, 129 arcsec. The Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw, and the carrier density and mobility dependent on temperature were 9.57x10/sup 22/ electron/㎥, 1.31x10/sup -2/㎡/V·s at 293 K, respectively. The ΔCr(Crystal field splitting) and the ΔSo (spin orbit coupling splitting( measured at f10K from the photocurrent peaks in the short wavelength of the CuInTe₂ single crystal thin film were about 0.1200 eV, 0.2833 eV respectively. From the PL spectra of CuInTe₂ single crystal thin film at 10 K, the free exciton (E/sub x/) was determined to be 1064.5 nm(1.1647 eV) and the donor-bound exciton(D/sup 0/, X) and acceptor-bound exciton (A/sup 0/, X) were determined to be 1085.3 nm(1.1424 eV) and 1096.8 nm(1.1304 eV0 respectively. And also, the donor-acciptor pair (DAP)P/sub 0/, DAP-replica P₁, DAP-replica P₂ and self-activated (SA) were determined to be 1131 nm (1.0962 eV), 1164 nm(1.0651 eV), 1191.1 nm(1.0340 eV) and 1618.1 nm (0.7662 eV), respectively.
본 시험은 최근에 경북 북부지역을 중심으로 면적이 증가하고 있는 강활재배에서 노두로 번식되고 있는 북강활을 중심으로 피복재료에 따른 추대반응과 생육특성을 분석하여 재배기술 체계를 확립코자 수행한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 토양 피복재료별 오전 10시의 지온은 무피복구에 비해 흑색P.E피복구와 투명P.E피복구가 각각 0.5, $2.9^{\circ}C$ 높았고, 오후 2시의 지온은 각각 0.8, $4.8^{\circ}C$ 높았으며, 볏짚피복구는 무피복구에 비해 지온이 낮았다. 2. 추대율은 무피복구 및 볏짚피복구에 비해 투명P.E피복구와 흑색P.E피복구구는 각각 11.4, 13.6%로 유의하게 높았고, 개화기는 투명P.E피복구와 무피복구에서 빨랐으며, 화경장과 화경수는 피복재료에 따른 차이가 없었다. 3. 근생엽장은 흑색P.E피복구가 가장 길었고 다음이 투명P.E피복구이며, 엽수 및 노두수는 흑색P.E피복구에서 가장 많았다. 지하부의 건근수량은 흑색P.E피복구에서 가장 높았고 다음이 투명P.E피복구이며 벗짚피복구과 무피복구가 가장 낮았다. 토양 피복재료별 잡초발생은 무피복구와 투명P.E피복구에서 많았고, 흑색P.E피복구에서 가장 적었다. 강활재배에 있어서 흑색P.E피복이 추대율을 다소 증가시키는 반면 잡초방제와 수량 증대에 가장 효과가 있는 것으로 나타났다.
밤의 안전저장 방법을 개발하고자 충남 공주산 옥광밤을 공시품종으로 하여 호흡량 조사 및 P.E 필름 두께별 저장시험을 실시하였던 바 수확후 호흡량은 온도가 상승함에 따라 증가하여 $20^{\circ}C$에서 수확 3일후에 35$CO_2$mg/kg/hr이었으며, 호흡량의 온도계수 $Q_{10}$은 2.4$\sim$2.7이었다. 그러고 방을 상온에서는 0.03mm 저온에서는 0.05mm P.E 필름으로 밀봉저장하는 것이 포장내의 가스농도가 C.A 저장의 적정가스농도에 접근하는 탄산가스 $5{\sim}6%$, 산소 3% 정도로 유지되어 감모율을 $8{\sim}15%$로 억제한 상태에서 $7{\sim}9$개월간 저장 가능하였으며 저장기간이 길어짐에 따라 수용성탄닌은 감소하고 환원당이 증가하여 식미가 향상되었다.
This study was conducted to produce effectively more leaves of Angelica acutiloba through year-round production system by using various mulching materials. Soil temperature by covering treatment was the highest in P.E.(Polyethylene Film) mulching and followed by rice straw mulching, especially showing highest temperature in Tr. PE(Transparent Polyethylene Film) from April through May. Water content of soil was higher in P.E. mulching than in non-mulching. Leaf and stem production of Angelica acutiloba through year-round production showed the highest in PE mulching also root production of Angelica acutiloba showed the highest in P.E. mulching. These results suggest that leaf and stem production of Angelica acutiloba can be maximized through P.E. mulching cultivation system.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.