In this study, there are examined to the grounding of lightning protection system and electrical continuity tests in the field. The standard for lightning protection system is different design or construction according to the characteristics of the structure. Ground is measured and compared at least four locations. According to the measured results in the field, the sampled values of the ground resistance are measured $5{\Omega}$ or less and the difference between each value is suitable as $0.2{\Omega}$ or less. The values of the electrical continuity test between ground and metal bodies are measured 3 groups such as isolated portion, the mechanical contacted portion, and the electrical continuity portion measuring $0.2{\Omega}$ or less. It is measured to be less than $0.2{\Omega}$ at all in metal bodies of underground. A metal body installed inside the structure is not isolated, but the resistance values are higher than $0.2{\Omega}$. Therefore, It must be carried out the structure having lightning protection system confirm the LPL(lightning protection level) and design the strategy.
ECR(Electron Cyclotron Resonance) occure at ${\omega}_c$=${\omega}$, ${\omega}_c$:electron cycltron frequency, ${\omega}$:electromagnetic wave frequency. ECR system have several merit, 1) power transefer efficiency 2) low neutral gas pressure (below 1 mTorr) 3) high plasma density($10^{12}$$cm^{-3}$). It is applicated variously in the field of semiconductor and new materials as the manufacturing equipment. Magnetic field in ECR system contruct resonance layer (${\omega}$=2.45GHz, $B_z$=875 Gauss) and control plasma. Plasma is almost generated at resonance layer. If the distance between substrate and resonance layer is short, uniformity of plasma is related with profile of resonance layer. Plasma have the property "Cold in Field", so directonality of magnetic field is one of the control factors of anisotropic etching. In this study, we calculate B field and flux line distribution, optimize geometry and submagnet current and improve of magnetic field directionality (99.9%) near substrate. For the purpose of calculation, vector potential A(r,z) and magnetic field B(r,z), green function and numerical integration is used. Object function for submagnet optimization is magnetic field directionality on the substrate and Powell method is used as optimization skim.
This study concerns the existence of positive solution for the following nonlinear system $$\{-div(|x|^{-ap}|{\nabla}u|^{p-2}{\nabla}u)=|x|^{-(a+1)p+c_1}({\alpha}_1f(v)+{\beta}_1h(u)),x{\in}{\Omega},\\-div(|x|^{-bq}|{\nabla}v|q^{-2}{\nabla}v)=|x|^{-(b+1)q+c_2}({\alpha}_2g(u)+{\beta}_2k(v)),x{\in}{\Omega},\\u=v=0,x{\in}{\partial}{\Omega}$$, where ${\Omega}$ is a bounded smooth domain of $\mathbb{R}^N$ with $0{\in}{\Omega}$, 1 < $p,q$ < N, $0{{\leq}}a<\frac{N-p}{p}$, $0{{\leq}}b<\frac{N-q}{q}$ and $c_1$, $c_2$, ${\alpha}_1$, ${\alpha}_2$, ${\beta}_1$, ${\beta}_2$ are positive parameters. Here $f,g,h,k$ : $[0,{\infty}){\rightarrow}[0,{\infty})$ are nondecresing continuous functions and $$\lim_{s{\rightarrow}{\infty}}\frac{f(Ag(s)^{\frac{1}{q-1}})}{s^{p-1}}=0$$ for every A > 0. We discuss the existence of positive solution when $f,g,h$ and $k$ satisfy certain additional conditions. We use the method of sub-super solutions to establish our results.
본 논문에서는 $\infty$rrugation이 개구변에 수직인 환형 급전-혼 안테나의 전파반사를 FDTD 방법으로 해석하였 다. 동축선로로 혼 안테나가 급전할 때 thin wire 안테나 모델과 전계와 자계를 전압과 전류로 모댈렁한 1차원 F FDTD코딩방법을 이용하여 계산시간을 효율적으로 줄일 수 있었다. 중심주파수 11.8 GHz(X -band)에서 급천 동축선로의 특성임피던스를 50$\Omega$에서 20$\Omega$까지 lO$\Omega$씩 변화시켜 가며 계산한 결과 특성임피던스가 30$\Omega$인 경우 11 GHz-14 GHz의 넓은 주파수 영역에서 반사손실이 -25 dB 이상의 좋은 특성을 보인다. 또한 corrugation이 있을 때 방사패턴의 지향성이 개선되며 개구변에서의 위상오차가 감소됨을 확인하였다.
Yang, Yi;Xie, Zhuangning;Tse, Tim K.T.;Jin, Xinyang;Gu, Ming
Wind and Structures
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제15권5호
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pp.409-421
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2012
In this paper, the method of introducing additional source/sink terms in the turbulence and momentum transport equations was applied to appropriately model the effect of the tree canopy. At first, the new additional source term for the turbulence frequency ${\omega}$ equation in the SST k-${\omega}$ model was proposed through theoretical analogy. Then the new source/sink term model for the SST k-${\omega}$ model was numerically verified. At last, the proposed source term model was adopted in the wind environment optimal design of the twin high-rise buildings of CABR (China Academy of Building Research). Based on the numerical simulations, the technical measure to ameliorate the wind environment was proposed. Using the new inflow boundary conditions developed in the previous studies, it was concluded that the theoretically reasonable source term model of the SST k-${\omega}$ model was applicable for modeling the tree canopy flow and accurate numerical results are obtained.
저렴한 비용으로 도전성 투명 필름을 제조하기 위해 PET 필름 위에 습식 도포법으로 ITO/ATO 막을 적층시켰다. 압력 15 MPa, 온도 $50^{\circ}C$의 SAS 합성 조건으로 ITO를 합성하였으며 ITO의 최적 조성비(In/Sn)는 65, 합성된 ITO의 평균입경은 $15{\pm}2nm$, 표면저항 값은 $4{\times}10^4{\Omega}{\cdot}cm$였다. 도포액은 pH 10에서 제조하였으며 ATO 막의 표면조도(Ra), 표면저항 값, 빛투과율은 각각 9 nm, $5.5{\times}10^6{\Omega}{\cdot}cm$, 91%였다. 일차 도포된 ATO 막 위에 0.1, 0.5, 1.0, 2.0 ITO wt% 첨가한 도포액으로 ITO 막을 적층 제조하였으며, ITO/ATO 적층 필름의 표면조도는 4, 10, 12, 16 nm이였으며 표면저항 값은 각각 $3.7{\times}10^6$, $2.4{\times}10^6$, $8{\times}10^5$, $2{\times}10^5{\Omega}{\cdot}cm$로 측정되었다. 적층 필름의 빛투과율은 각각 89, 88, 86, 82%이였으며 ITO 농도가 높아질수록 빛투과율은 낮아졌다.
접지 시스템은 전력설비의 안전적 운영을 위해 필수적이며, 주요 고려대상인 대지저항률은 토양 종류, 수분, 온도에 따라 변하기 때문에 접지 시스템 설계에서 가장 중요하다. 제주의 지질구조는 화산지역의 특성상 다층구조를 형성하고 있어 지질구조에 따른 접지 저항값은 동일한 접지시스템 구축 지역이라도 지층구조에 따라 접지저항값이 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 제주의 대표적인 3종류의 토양에 접지를 설치하였을 때 접지저항 특성 변화를 분석하기 위해 3층 구조의 토양목업 시스템을 구성하였다. 구성된 토양 목업 시스템에서 웨너법을 사용하여 대지저항률을 측정하였으며, 대지모델을 수치적으로 분석할 수 있는 역산방법으로 Gauss-Newton 알고리즘을 사용하여 대지모델을 생성하였다. 기존 접지분야에서 사용되는 1차원 대지분석이 아닌 2차원 역산방법을 적용한 결과 실제 토양 목업에 구성한 3종류 층상 구조와 같은 3층 대지구조로 나타낼 수 있었다. 또한 일반적으로 접지에 사용되는 동봉, 동관, 탄소봉을 사용하여 접지의 변화특성을 분석한 결과 수분공급 상태에 따른 접지저항 변화폭은 동봉은 $2.9[{\Omega}]$, 동관은 $16.5[{\Omega}]$, 탄소봉의 경우 $20.1[{\Omega}]$으로 나타났으며, 수분의 영향으로 .탄소봉의 접지저항이 $141[{\Omega}]$으로 가장 낮게 나타남을 확인 하였다.
표준 k-${\varepsilon}$, RNG k-${\omega}$ 그리고 k-${\omega}$ SST 난류 모형과 VOF (volume of fluid)기법을 이용하여 사각형 광정위어를 통과하는 난류 흐름의 수면 변화와 유속분포를 수치모의 하였다. 지배방정식은 2차 정확도의 유한체적기법을 이용하여 해석하였으며, 두 개의 서로 다른 격자해상도에서 계산을 수행하여 수치해석 결과의 격자 민감도를 분석하였다. 계산 결과를 Kirkgoz et al. (2008)의 실험 결과 그리고 Moss (1972) 및 Zachoval et al. (2012) 무차원화된 실험값과 비교 분석하여 적용한 수치모형의 정확도를 평가하였다. 수치모의 결과는 사각형 개수로에 설치된 광정위어 흐름의 실험결과들을 합리적으로 예측하고 있으면 적용한 난류모형에 따라서 두 개의 주요 흐름분리 영역에서 계산 결과에 차이가 있는 것으로 나타났다. 표준 k-${\varepsilon}$ 모형은 이들 두 개의 흐름분리영역의 크기를 과소산정하고 있으며, k-${\omega}$ SST 모형은 위어 전면부에서 발생하는 흐름분리 영역을 다소 과대 산정하는 것으로 나타났다. RNG k-${\varepsilon}$ 모형은 전반적으로 양호하게 두 흐름분리 영역을 예측하는 한편, k-${\omega}$ SST 모형은 위어 상류부 모서리에서 발생하는 박리거품의 발생 형태를 가장 잘 예측하는 것으로 나타났다.
Invertase의 고정화에 대해서 두가지 carrier matrix를 사용하여 연구하였다. Sepharose에 ${\omega}-aminohexylarm$를 붙인 후 효소를 결합시키는 indirect coupling method와 cellulose에 phenexyacetyl group의 linkage를 만들어 변형시킨 후 (modified cellulose), 여기에 효소를 흡착시키는 hydrophobic adsorption method로서 제조하였다. 각각의 고정화 수율(immobilized yield)은 ${\omega}-aminohexyl\;sepharose$의 경우 첨가한 효소의 26.0%의 activity를 고정화 시킬 수 있었으며, phenoxyacetyl cellulose의 경우는 72.9%였다. 제조한 고정화 효소의 안정성, ph영향, 온도 영향 및 Km값을 조사하였다. ${\omega}-aminohexyl\;Sepharose$에 고정화시킨 invertase근 최적 pH 4.5, 최적 온도 $60^{\circ}C$, 활성화 에너지 $5,941\;cal/mole{\cdot}deg$, Km값 22.2 mM이었으며 phenoxyacetyl cellulose에 고정화시킨 invertase는 최적 pH 4.0, 최적 온도 $60^{\circ}C$, 활성화 에너지 $7,769\;cal/mole{\cdot}deg$, Km 값 69.9mM이었다.
To achieve ZnO layer with a high resistance, a new sputtering method with a Ramp method and cycled power process mode was developed. The specific resistance of the layers was in rang of $3*10^{10}{\Omega}cm$ to $2*10^{11}{\Omega}cm$. The characteristics of. ZnO thin films changed with working pressure and Ramp method were investigated by XRD(x-ray diffractometer), and SEM (scanning electron microscopy) analyses. This paper presents calculated and measured results for structures with thin ZnO layers. Measurements of SAW properties using thin ZnO layered structures will be shown. Also presented are results on the quality of ZnO films and specifics of the deposition process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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