• BMB Reports
• /
• 제43권5호
• /
• pp.349-354
• /
• 2010

Previously, we reported that overexpression of Opa (Neisseria gonorrhoeae opacity-associated)-interacting protein 5 (OIP5) caused multi-septa formation and growth defects, both of which are considered cancer-related phenotypes. To evaluate OIP5 as a possible cancer therapeutic target, we examined its expression level in 66 colorectal cancer patients. OIP5 was upregulated about 3.7-fold in tumors and over 2-fold in 58 out of 66 colorectal cancer patients. Knockdown of OIP5 expression by small interfering RNA specific to OIP5 (siOIP5) resulted in growth inhibition of colorectal and gastric cancer cell lines. Growth inhibition of SNU638 by siOIP5 caused an increase in sub-G1 DNA content, as measured by flow cytometry, as well as an apoptotic gene expression profile. These results indicate that knockdown of OIP5 may induce apoptosis in cancer cells. Therefore, we suggest that OIP5 might be a potential cancer therapeutic target, although the mechanisms of OIP5-induced carcinogenesis should be elucidated.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
• /
• 제16권11호
• /
• pp.4623-4628
• /
• 2015

Breast cancer still remains as the most frequent cancer with second mortality rate in women worldwide. There are no validated biomarkers for detection of the disease in early stages with effective power in diagnosis and therapeutic approaches. Cancer/testis antigens are recently promising tumor antigens and suitable candidates for targeted therapies and generating cancer vaccines. We conducted the present study to analyze transcript changes of two cancer/testis antigens, OIP5 and TAF7L, in breast tumors and cell lines in comparison with normal breast tissues by quantitative real time RT-PCR for the first time. Significant over-expression of OIP5 was observed in breast tumors and three out of six cell lines including MDA-MB-468, T47D and SKBR3. Not significant expression of TAF7L was evident in breast tumors but significant increase was noted in three out of six cell lines including MDA-MB-231, BT474 and T47D. OIP5 has ssignificant role in chromatin organization and cell cycle control during cell cycle exit and normal chromosome segregation during mitosis and TAF7L is a component of the transcription factor IID, which is involved in transcription initiation of most protein coding genes. TAF7Lis located at X chromosome and belongs to the CT-X gene family of cancer/testis antigens which contains about 50% of CT antigens, including those which have been used in cancer immunotherapy.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제33권1A호
• /
• pp.85-90
• /
• 2008

Emitter degeneration에 의한 band SiGe HBT 이중 평형형 상향 주파수 혼합기의 선형성 개선 효과를 비교하였다. 시뮬레이션을 통해 출력 전력과 변환 이득을 동시에 고려하여 degeneration 저항값을 최적화 시켰으며 이를 $0.35{\mu}m$ Si-BiCMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작 및 측정 결과, -5 dBm의 8.0 GHz LO 신호 및 100 MHz의 IF 신호 입력 시, degeneration 저항이 없는 상향 주파수 혼합기는 15.5 dB의 선형 변환 이득과 -13 dBm의 RF 출력 전력 및 3.7 dBm의 $OIP_3$를 나타내었고, degeneration 저항을 사용한 상향 주파수 혼합기는 9 dB의 선형 변환 이득과 -10 dBm의 RF 출력 전력 및 8.7 dBm의 $OIP_3$를 각각 나타내었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.236-244
• /
• 2003

본 논문에서는 기존에 값비싼 BiCMOS 공정으로 주로 구현되던 이동통신 단말기용 RF단 및 IF단 회로들을 CMOS 회로로 설계하고, 최종적으로 PCS 대역 송신용 CMOS RF/IF 단일 칩을 설계하였다. 설계된 회로는 IF PLL 주파수합성기, IF Mixer, VGA등을 포함하는 IF 단과, SSB RF Mixer 블록과 구동 증폭기를 포함하는 RF 단으로 구성되며, 디지털 베이스밴드와 전력증폭기 사이에 필요한 모든 신호처리를 수행한다. 설계된 IF PLL 주파수합성기는 100kHz의 옵셋 주파수에서 -114dBc/Hz의 위상잡음 특성을 보이며, lock time은 $300{\mu}s$보다 작고, 3V 전원에서 약 5.3mA의 전류를 소모한다. IF Mixer 블록은 3.6dB의 변환이득과 -11.3dBm의 OIP3 특성을 보이며, 3V 전원에서 약 5.3mA의 전류를 소모한다. VGA는 모든 이득 설정시 3dB 주파수가 250MHz 보다 크며, 약 10mA의 전류를 소모한다. 설계된 RF단 회로는 14.93dB의 이득, 6.97dBm의 OIP3, 35dBc의 image 억압, 31dBc의 carrier 억압 등의 특성을 보이며, 약 63.4mA의 전류를 소모한다. 설계된 회로는 현재 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 IC 제작 중에 있다. 전체 칩의 면적은 $1.6㎜{\times}3.5㎜$이고 전류소모는 84mA이다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제8권5호
• /
• pp.1120-1128
• /
• 2004

본 논문에서는 우수한 OIP3(ouput intercept point) 특성을 가지는 평형전력증폭단을 설계하고 이를 적용하여 K-band 상향변환기를 설계 및 제작하였다. 상향변환기의 구성은 전력 증폭기단, 국부발진신호 제거필터, 주파수혼합기및 IF단으로 구성하였으며 RF 경로의 동작 유무를 판단하기 위한 국부 루프 경로와 출력 전력을 감시하기 위한 감시 단자로 구성하여 소요되는 전력을 예측하였다. K-대역 MMIC를 이용하여 평형전력증폭단을 제작하였으며 전력 예측값에 의하여 상향변환기를 설계 제작하였다. 설계된 상향변환기의 이득은 $40\pm$2dB, PldB는 29dBm의 특성을 가지며, OIP3는 37.25dBm의 높은 특성이 나타내었다. 특히 전력증폭단의 MMIC를 조정하여 30dB이상의 이득을 제어하였다. 본 논문에서 제작한 상향변환기는 PTP 및 PTMP용 트랜시버에 사용할 수 있으며, QAM 및 QPSK 변조방식을 이용하는 디지털 통신 시스템 및 BWA(Broad Wireless System)에도 적용할 수 있다.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제15권2호
• /
• pp.112-116
• /
• 2017

In this work, we demonstrated a low noise and high linearity low noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with novel active bias circuit for LTE applications. The device technology used in this work relies on a process involving a $0.25-{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The LNA MMIC with a novel active bias circuit has a small signal gain of $19.7{\pm}1.5dB$ and output third order intercept point (OIP3) of 38-39 dBm in the frequency range 1.75-2.65 GHz. The noise figure (NF) is less than 0.58 dB over the full bandwidth. Compared with the characteristics of the LNA MMIC without using the novel active bias circuit, the OIP3 is improved about 2-3 dBm. The small signal gain and NF showed no significant change after using the active bias circuit. The novel active bias circuit indeed improves the linearity performance of the LNA MMIC without degradation.

• 대한전자공학회논문지TE
• /
• 제37권2호
• /
• pp.83-90
• /
• 2000

본 논문에서는 IMT2000 중계기용으로 1.88-1.98 ㎓ 대역 전력증폭기를 저 가격, 소형으로 개발하였다. 이 전력증폭기는 두 단으로 구성되어 있으며 초단은 P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies)를 사용하였으며, 종단은 GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor)를 사용하였다. 개발된 전력 증폭기는 전체 주파수 대역인 1880-1980 ㎒에서 이득이 29.5㏈, 1㏈ gain compression point는 29.5dBm, 3rd order intercept point(OIP3)는 42dBm 그리고 입출력 return loss는 -10㏈/-l2㏈ 이다. 본 연구에서는 이 전력 증폭기를 설계하기 위하여 각 소자의 비선형 모델을 사용하여 전력증폭기의 여러 가지 비선형 특성을 설계할 수 있었으며, 이 전력 증폭기의 크기는 42(L) x 34(W) mm으로 소형화가 가능하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
• /
• pp.671-674
• /
• 1998

본 논문에서는 최근 급격히 수요가 증대하고 있는 휴대용 단말기의 수신기 선단에 사용되는 저잡음 증폭기(LNA)를 0.6㎛ CMOS공정 파라미터를 사용하여 설계하였다. 설계된 LNA는 전원 전압 ±1.2v, 900㎒대에서 동작하는 전류 재사용방식의 적층 CMOS구조로서 시뮬레이션 결과 전력소모가 9.45㎽, 전력이득은 23.7dB, 선형지수 OIP3는 7.6dBm을 나타내어 저전력 저잡음 특성을 얻었다. 사용된 인덕터의 Q는 3.5이다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제27권2호
• /
• pp.220-223
• /
• 2016

본 논문에서는 캐스코드(cascode) 구조에 트랜지스터를 추가하여 잡음 특성을 유지하면서 높은 선형성을 갖는 저잡음 증폭기 구조를 제안하고 설계하였다. 제안한 구조는 트랜지스터의 사이즈 최적화를 통해 잡음원을 최소화 했으며, 전류원분리(current bleeding) 효과를 주어 선형성을 개선하였다. 저잡음 특성에 유리한 $0.5{\mu}m$ pHEMT 공정을 이용해 제작된 저잡음 증폭기는 1.8~2.6 GHz의 동작 대역에서 30.8 dBm의 $OIP_3$, 15.0 dB의 이득, 1.1 dB의 NF, 11.6 dB/10.4 dB의 입출력 반사 손실 특성을 보였다.

• ETRI Journal
• /
• 제35권3호
• /
• pp.546-549
• /
• 2013

A Ka-band 6-W high power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a very small aperture terminal system requiring high linearity is designed and fabricated using commercial 0.15-${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. This three-stage amplifier, with a chip size of 22.1 $mm^2$ can achieve a saturated output power of 6 W with a 21% power-added efficiency and 15-dB small signal gain over a frequency range of 28.5 GHz to 30.5 GHz. To obtain high linearity, the amplifier employs a class-A bias and demonstrates an output third-order intercept point of greater than 43.5 dBm over the above-mentioned frequency range.