• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.222.2-222.2
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• 2014

대기압 플라즈마는 기존의 저압 플라즈마에 비해 제작이 간단하고 조작이 간편하기 때문에 응용 가능 분야가 넓다는 장점이 있지만 다양한 외부 요인으로 인한 안정성의 문제로 저압 플라즈마의 모든 응용범위를 대신하기에는 문제점이 있다. 현재 이 문제점을 해결하기 위한 연구가 활발히 진행 중에 있으며, 기판 및 유리 세정, Bio-medical, 물질 합성 등 다양한 분야에 대한 응용 연구도 진행 중에 있다. 본 연구에서는 본 연구실에서 자체 개발한 전원 장치를 이용하여 대기압 플라즈마를 발생 시켰으며, He, Ar Gas를 이용하여 PDMS 기판과 유리 기판에 표면 처리 한 후 친수성 비교 분석 실험을 실시하였다. Optical Emission Spectroscopy(OES)장치와 ICCD camera를 이용하여 플라즈마 진단과 특성 분석을 실시하였으며 Computer Numerical Control (CNC) x-y-z 3축 stage를 이용하여 플라즈마 발생을 제어함으로서 재현성을 높은 플라즈마 표면 처리 연구를 진행 하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.666-669
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• 2002

Vertically aligned carbon nanotubes (CNTs) have been produced using various type of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Catalysts such as Ni, Co, and Fe are used for growth of CNTs. To explain the effect of catalysts on the growth characteristics of CNTs, carbon species of $C_2H_2$ was observed in different catalysts using optical emission spectroscopy (OES) with theoretical calculation on the surface reaction in different catalysts.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.226-226
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• 2011

소형 대기압 플라즈마 소스는 그 형태에 따라 DBD (Dielectric Barrier Discharge)나 Plasma Needle, 혹은 Plasma Jet 등으로 구별되며, 구동 파형의 특성에 따라 DC, RF (Radio Frequency), 혹은 Pulsed 방식 등으로 나뉜다. 또한 코로나 방전도 소형 대기압 플라즈마 장치에서 사용된다. DBD는 1857년 Siemens에 의해 최초로 보고 되었고 산업 분야에서 대규모로 사용되어 왔다. 본 연구에서는 대향 방전 DBD 대신 유전체 양쪽 면에 전극이 도포된 면방전 형태의 DBD 구조 내부로 He 가스가 흐를 때의 방전에 대한 광학적 진단을 수행하였다. 전극간의 거리와 가스 유속의 변화에 따라 방전 특성이 어떻게 달라지에 대해서 Optical Emission Spectroscopy (OES)를 통하여 생성되는 radical 종의 변화를 측정하고 ICCD (intensified charge coupled device) image를 통해 방전이 시간에 따라 어떻게 진행되는지를 진단하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2011

DC arc plasmatron is powerful plasma source to apply etching and texturing processing. Even though DC arc plasmatron has many advantages, it is difficult to apply an industry due to the small applied area. To increase an effective processing area, we suggest a DC-RF hybrid plasma system. The DC-RF hybrid plasma system was designed and made. This system consists of a DC arc plasmatron, RF parts, reaction chamber, power feeder, gas control system and vacuum system. To investigate a DC-RF hybrid plasma, we used a Langmuir probe, OES (Optical emission spectroscopy), infrared (IR) light camera. For RF matching, PSIM software was used to simulate a current of an impedance coil. The results of Langmuir probe measurements, we obtain a homogeneous plasma density and electron temperature those are about $1{\times}1010$ #/cm3 and 1~4 eV. The DC-RF hybrid plasma source is applied for plasma etching experimental, and we obtain an etching rate of 10 ${\mu}m$/min. through a 90 mm of reaction chamber diameter.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.181-182
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• 2012

본 연구에서는 반도체 기술의 핵심으로 알려있는 플라즈마 표면 처리 공정을 이용하여 인위적으로 그래핀과 기능기 반응을 통한 도핑효과를 일으켜, 전계효과(Electric Field Effect)를 인가하였을 때 그래핀 내에서 발생하는 Electron & Hole carrier 들의 accumulation & Depletion 효과에 의한 Charge Density 변화를 Graphene Field Effect Transistors (GFETs) 소자의 전기적 특성 변화를 확인하였다. 특히, 그래핀 내 Conduction of electron을 높이기 위하여, $N_2+H_2$ 가스 조합을 플라즈마 방전가스로 사용하였으며, Optical Emission Spectroscopy (OES) 및 Langmuir-probe 측정을 통하여 합성가스의 ICP 방전 상태 및 효과를 예측하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.26-26
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• 2014

식품포장재용 SiNx 박막을 합성하였다. SiNx 박막은 박막이 투명하고 낮은 투습도를 가지고 있어 식품포장재뿐 아니라 유기소자디스플레이에서도 활발히 연구되고 있다. 이 연구에서는 SiNx 박막을 PECVD를 통한 저온 공정으로 PET 기판 위에 합성하여 높은 투과도를 가지며 낮은 투습도를 갖는 박막을 합성하였다. 박막 합성 중의 플라즈마 특성을 알아보기 위해 Optical Emission Spectroscopy (OES)를 통한 플라즈마 진단을 하였으며, 박막의 특성을 알아보기 위해 FT-IR, UV-visible, MOCON 테스트 등을 하였으며, $7.6{\times}10^{-3}g/m^2/day$의 투습도를 갖는 것을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.198-198
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• 2014

Plasma를 이용하는 대면적 디스플레이 공정에서 균일도는 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 pulsed plasma를 이용하여 duty ratio를 조절함으로써 균일도를 향상시켰으며, plasma on/off time을 이용하여 electron temperature를 낮추어 plasma에 의한 damage를 감소시키려 하였다. 또한 optical emission spectroscopy(OES)를 이용하여 pulse condition에따라 변하는 ion species peak을 실시간으로 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.320-320
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• 2013

Film thickness monitoring with plasma impedance monitoring (PIM) is demonstrated for small area $SiO_2$ RF plasma etching processes in this work. The chamber conditions were monitored by the impedance signal variation from the I-V monitoring system. Moreover, modified principal component analysis (mPCA) was applied to estimate the $SiO_2$ film thickness. For verification, the PIM was compared with optical emission spectroscopy (OES) signals which are widely used in the semiconductor industry. The results indicated that film thickness can be estimated by 1st principal component (PC) and 2nd PC. Film thickness monitoring of small area $SiO_2$ etching was successfully demonstrated with RF plasma harmonic impedance monitoring and mPCA. We believe that this technique can be potentially applied to plasma etching processes as a sensitive process monitoring tool.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제2권2호
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• pp.133-138
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• 1998

To enhance the ionization level of I-PVD and reduce the coil voltage two approaches were tried and as a diagnostic, optical emission spectroscopy and impedance analysis of the plasma was done with a range of Ar pressures and RF power along with XRD analysis of deposited Ag films. RF sputtering power was pulsed with various on/off time scales to recover the ICP quenched by sputtered metals. This in average enhances the ionization of the sputtered atoms with 10 ms/10 ms and 100 ms/100ms pulse on/off time duration and gives higher (200) preferred orientation over (111) in deposited Ag films. Secondly, Small axial B field about 8G remarkably reduced RF coil sputtering and showed scaled relationship between RF power and magnetic field strength for optimal process condition. From OES of Ar0 and Ar+, wave-like dispersion structure appeared and reduced the coil voltage about 20% at very weak field strength of 8G. This should be studied further to have nay relation with low mode helicon wave launching.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.137-137
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• 2010

Copper electroplating is a very popular and important technology for depositing high-quality conductor interconnections, especially in through silicon via (TSV). As this advanced packaging technique developing, a mass of copper and chemical solution are used, so attention to these chemical materials into the utilization and costs can not be ignored. An economical and practical real-time chemical solution monitoring has not been achieved yet. Either Red-green-blue (RGB) or optical emission spectroscopy (OES) color sensor can successfully monitor the color condition of solution during the process. The reaction rate, uniformity and quality can map onto the color changing. Hidden Semi Markov model (HSMM) can establish mapping from the color change to upper indicators, and artificial neural network (ANN) can be integrated to comprehensively determine its targets, whether the solution inside the container can continue to use.