• Nuclear Engineering and Technology
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• 제27권2호
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• pp.176-188
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• 1995

지하처분된 방사성핵종의 이동 해석방식으로서 입자추적법을 도입하였다. 입자추적법은 암반균열대와 같은 흐름장이 불균일하고 복잡할 때 물질이동을 모사할 수 있는 방법이다. 암반층에서 방사성핵종은 주로 암반사이에 발달한 균열을 따라 이동하는데, 초기연구자들은 균열틈을 평행판 사이의 간격으로 가정하였으나, 실제 균열은 이보다 복잡다양해서 실제 물질 이동과는 상당한 오차가 존재하였다. 이 논문에서는 이를 극복하기 위해 가변균열폭 국부통로모형을 도입하여, 균열대 내부는 2차원적인 균열폭의 분포를 가지며, 핵종은 균열내에서 상대적으로 큰 균열폭을 따라 이동이 주로 일어나는 국부이동이 라는 점을 제시하였다. 또한 개발한 이동모델의 타당성 입증차원에서 자연균열을 가진 화강암을 사용하여 방사성 핵종 이동 실험을 수행하였다. 추적자로서 지하수와 같은 이동특성을 가진 삼중수소와 요오드를 사용하였다. 화강암 균열대 특성을 파악하기 위해 균열이 있는 윗 암석면에 11개의 시추공을뚫고 수리전도 시험을 수행하였다. 실험자료와 전산모사치를 비교해 본 결과, 가변균열폭국부통로 개념에 물질이동모델로 입자추적법을 결합한 모델이 암반균열에서 핵종이동 해석방법으로 유용하였다. 또한 핵종은 균열 내에서 상대 적으로 큰 국부통로를 따라 주로 이동하며, 이동방향과 직각인 암반매질내로 확산도 상당한 비율로 일어났다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제50권5호
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• pp.665-672
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• 2018

A venturi scrubber is an important element of Filtered Containment Venting System (FCVS) for the removal of aerosols in contaminated air. The present work involves computational fluid dynamics (CFD) study of dust particle removal efficiency of a venturi scrubber operating in self-priming mode using ANSYS CFX. Titanium oxide ($TiO_2$) particles having sizes of 1 micron have been taken as dust particles. CFD methodology to simulate the venturi scrubber has been first developed. The cascade atomization and breakup (CAB) model has been used to predict deformation of water droplets, whereas the Eulerian-Lagrangian approach has been used to handle multiphase flow involving air, dust, and water. The developed methodology has been applied to simulate venturi scrubber geometry taken from the literature. Dust particle removal efficiency has been calculated for forced feed operation of venturi scrubber and found to be in good agreement with the results available in the literature. In the second part, venturi scrubber along with a tank has been modeled in CFX, and transient simulations have been performed to study self-priming phenomenon. Self-priming has been observed by plotting the velocity vector fields of water. Suction of water in the venturi scrubber occurred due to the difference between static pressure in the venturi scrubber and the hydrostatic pressure of water inside the tank. Dust particle removal efficiency has been calculated for inlet air velocities of 1 m/s and 3 m/s. It has been observed that removal efficiency is higher in case of higher inlet air velocity.

• 한국토양비료학회지
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• 제36권5호
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• pp.280-289
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• 2003

표고 750 m인 고랭지 사질양토에서 계분퇴비(N 2.0%, $P_2O_5$ 3.5%)를 $6Mg\;ha^{-1}$ 시용한 조건에서 여름배추에 대한 질소 시비 추천모델의 설정과 추천모델에 의한 질소 비료의 절감량을 구명하기 위하여 질소 시비수준을 달리하여 포장시험을 수행하였다. 계분퇴비 시용 시 최고수량 생산을 위한 질소 최고시비량은 $291kg\;ha^{-1}$이었으며 안전한 적정 질소시비량은 $174kg\;ha^{-1}$로 나타났다. 이러한 질소 시비수준은 계분퇴비 무시용 시의 최고시비량인 $335kg\;ha^{-1}$에 비하여 각각 0.87 및 0.60배에 해당한다. 산출된 시비배율을 현행 평난지 조건의 시비추천식에 대입하여 고랭지조건에 적합한 새로운 시비추천식을 도출해 낼 수 있었다. 고랭지 배추재배지의 평균 유기물 함량인 $33g\;kg^{-1}$을 적용해 보면, 계분퇴비 시용 시 질소 시비량은 최고 $215kg\;ha^{-1}$, 최저 $129kg\;ha^{-1}$로 현행 시비량에 비해 최고 59.7%, 최저 32.8%의 절감이 가능한 것으로 판단되었다. 계분퇴비 시용 시 최고수량을 생산한 질소 시비구에서는 계분퇴비 무시용구에 비하여 결구기와 수확기 토양의 유효인산 함량과 수확기 배추 경엽의 질소, 인산 및 칼리 함량과 이들의 흡수량이 증가하는 경향을 보였으며, 특히 질소 이용률을 10% 이상 높일 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.74-74
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• 2010

One-dimensional nanosturctures such as nanowires and nanotube have been mainly proposed as important components of nano-electronic devices and are expected to play an integral part in design and construction of these devices. Silicon carbide(SiC) is one of a promising wide bandgap semiconductor that exhibits extraordinary properties, such as higher thermal conductivity, mechanical and chemical stability than silicon. Therefore, the synthesis of SiC-based nanowires(NWs) open a possibility for developing a potential application in nano-electronic devices which have to work under harsh environment. In this study, one-dimensional nanowires(NWs) of cubic phase silicon carbide($\beta$-SiC) were efficiently produced by thermal chemical vapor deposition(T-CVD) synthesis of mixtures containing Si powders and hydrocarbon in a alumina boat about $T\;=\;1400^{\circ}C$ SEM images are shown that the temperature below $1300^{\circ}C$ is not enough to synthesis the SiC NWs due to insufficient thermal energy for melting of Si Powder and decomposition of methane gas. However, the SiC NWs are produced over $1300^{\circ}C$ and the most efficient temperature for growth of SiC NWs is about $1400^{\circ}C$ with an average diameter range between 50 ~ 150 nm. Raman spectra revealed the crystal form of the synthesized SiC NWs is a cubic phase. Two distinct peaks at 795 and $970\;cm^{-1}$ over $1400^{\circ}C$ represent the TO and LO mode of the bulk $\beta$-SiC, respectively. In XRD spectra, this result was also verified with the strongest (111) peaks at $2{\theta}=35.7^{\circ}$, which is very close to (111) plane peak position of 3C-SiC over $1400 ^{\circ}C$ TEM images are represented to two typical $\beta$-SiC NWs structures. One is shown the defect-free $\beta$-SiC nanowire with a (111) interplane distance with 0.25 nm, and the other is the stacking-faulted $\beta$-SiC nanowire. Two SiC nanowires are covered with $SiO_2$ layer with a thickness of less 2 nm. Moreover, by changing the flow rate of methane gas, the 300 sccm is the optimal condition for synthesis of a large amount of $\beta$-SiC NWs.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.160-160
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• 2010

테라헤르츠 소스로 저온 InGaAs를 대체하기 위해 저온에서 성장한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장 온도에 따른 광학적 photoluminescence (PL)과 time-resolved PL (TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. 또한 Be 도핑 농도에 따른 p형 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 PL과 TRPL 특성을 undoped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$와 Si-doped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 결과와 비교 분석하였다. 본 연구에 사용한 시료는 분자선 엑피탁시 (molecular beam epitaxy)법으로 GaAs 기판 위에 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$을 다양한 성장온도에서 ${\sim}3.7\;{\mu}m$두께 성장하였다. $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장온도는 $400^{\circ}C$ 에서 $460^{\circ}C$까지 변화시키며 성장하였으며, Si과 Be 도핑한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 시료는 약 $420^{\circ}C$에서 성장하였다. 모든 시료의 PL 피크는 ~1450 nm 근처에서 나타나며 단파장 영역에 shoulder 피크가 나타났다. 그러나 가장 낮은 온도 $400^{\circ}C$에서 성장한 시료는 1400 nm에서 1600 nm에 걸쳐 매우 넓은 피크가 측정되었다. PL 세기는 $450^{\circ}C$ 에서 성장한 시료가 가장 강하게 나타났으며, $435^{\circ}C$에서 성장한 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 방출파장에 따른 PL 소멸곡선을 측정하였으며 double exponential function을 이용하여 운반자 수명시간을 계산하였다. 운반자 수명시간은 빠른 소멸성분 $\tau_1$과 느린 소멸성분 $\tau_2$가 존재하고 빠른 성분 $\tau_1$의 PL 진폭이 약 80%로 느린 성분 $\tau_2$보다 우세하게 나타났다. 각 PL 피크에서의 운반자 수명시간 $\tau_1$은 ~1 ns로 성장온도에 따른 변화는 관찰되지 않았다. 또한 방출파장이 1400 nm에서 1480 nm까지 PL 피크 근처에서 운반자 수명시간은 거의 일정하게 나타났다. Be-doped 시료의 PL 피크는 1236 nm에서 나타나며, Si-doped 시료는 1288 nm, undoped 시료는 1430 nm에서 PL 피크가 측정되었다. PL 피크에서 PL 소멸곡선은 Be-doped 시료가 가장 빨리 감소하였으며, Si-doped 시료가 가장 길게 나타났다. 이러한 결과로부터 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 광학적 특성은 성장 온도, dopant type, 도핑 농도에 따라 변화하는 것을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.205-205
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• 2013

테라헤르쯔(terahertz: THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지 (meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자 이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한 (low-temperature grown : LT) GaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 현재 THz 응용분야에서 보다 작고 가격경쟁력이 있는 광통신을 이용한 THz photomixer등이 활발히 연구 하고 있다. 광섬유 내에서 손실과 분산이 최소값을 가지는 부분이 1.55 ${\mu}m$ 부근이고 In0.53Ga0.47As 기판을 이용하였을 때 여기에 완벽하게 만족하게 된다. 하지만 LT-InGaAs 의 경우 AsGa antisite로 인하여 carrier lifetime은 짧아지지만 높은 n-type 전하밀도를 가지게 된다. 이때 Be을 doping하여 전하밀도를 보상하여 높은 저항을 유지해야 하는데 Be의 활성화를 위해서는 열처리를 필요로 한다. 하지만 열처리를 하면 carrier lifetime이 길어지기 때문에 carrier lifetime과 저항을 적절히 조율해야 한다. 이는 물질자체의 특성이기 때문에 InGaAs는 GaAs보다 낮은 amplitude와 짧은 cut-off frequency를 가진다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 온도별 ($250{\sim}400^{\circ}C$), 주기별 (50~150)로 성장을 하였고 이때 InGaAs layer의 Be doping level은 $2{\times}1018\;cm^{-3}$, Ex-situ annealing은 $550^{\circ}C$에서 10분으로 고정 하였다. THz 발생 실험에서는 InGaAs/InAlAs MQW은 4000 pA로 1,000 pA를 가지는 InGaAs epilayer보다 4배 높은 전류 신호를 얻을 수 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. THz 검출 실험에서는 LT-InGaAs:Be epilayer LT-InGaAs:Be/InAlAs, HT-InGaAs/InAlAs 샘플이 각각 180, 9000, 12000 pA의 전류신호를 가지고 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. HT-InGaAs/InAlAs MQW를 이용한 검출실험에서는 InGaAs layer가 defect free이지만 LT-InGaAs:Be/ InAlAs MQW 보다 높은 전류 신호를 얻을 수 있었다. 이는 InAlAs layer가 저항만 높이는 것뿐만 아니라 carrier trapping layer로써의 역할도 하는 것으로 사료된다.

• 한국잡초학회지
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• 제7권2호
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• pp.236-242
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• 1987

앞의 시험(試驗)에 이어 oxyfluorfen + glyphosate의 여러 혼용농도(混用濃度)를 공시(供試)함으로써 과수원(果樹園)에서의 잡초종(雜草種) 구성변동(構成變動)에 관한 사항과 제초효과(除草效果)에 대한 두 약제(藥劑)의 상호작용효과(相互作用效果)를 분석(分析)하기 위하여 본(本) 시험(試驗)을 수행(遂行)하였다. Oxyfluorfen은 0~0.94 kg a. i./ ha 범위(範圍)에서 5 수준(水準), glyphosate는 0~0.4575 kg a.i./ha 범위(範圍)에서 4 수준(水準), 총 20 조합(組合)의 혼용농도(混用濃度)에서 시험(試驗)이 수행(遂行)되었다. l. 다년생(多年生)에 대한 방제효과(防除效果)는 oxyfluorfen+paraquat의 경우보다 oxyfluorfen + glyphosate에서 향상(向上)되었다. 2. Oxyfluorfen 저농도(低濃度) 혼용(混用)에서는 일년생(一年生) 화본과(禾本科)(바랭이)의 재생(再生)으로 우점도지수(優占度指數)가 증가하였고, glyphosate 저농도(低濃度)에서는 월년생(越年生) Stellaria와 다년생(多年生) 쑥의 만연으로 변동계수(變動係數)가 커지고 현존량(現存量)이 증가하는 경향이었다. 3. 두 약제(藥劑)의 혼용(混用)에서 oxyfluorfen이나 glyphosate 각각의 최대작용력(最大作用力)은 두 약제(藥劑)의 혼용농도(混用濃度)가 oxyfluorfen 0.55 kg a.i./ha와 glyphosate 0.35kg a.i./ha에서 형성되었다. 4. 두 약제(藥劑)의 상호작용(相互作用)은 전반적인 혼용농도하(混用濃度下)에서 대체로 부정적인 경향이었다. 5. 이상의 결과(結果)로 oxyfluorfen + glyphosate 혼용(混用)은 약량감소(藥量減少)를 가능케 하는 협력효과(協力效果)라기보다 특정잡초방제력상승(特定雜草防除力相乘)이나 제초기간연장(除草期間延長)을 통한 상가적효과(相加的效果)를 기대할 수 있었다.

• 한국잡초학회지
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• 제7권2호
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• pp.220-235
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• 1987

본연구(本硏究)는 벼품종(品種) 및 주요(主要) 논 잡초종(雜草種)에 대(對)한 Oxyfluorfen의 선택활성차이(選擇活性差異)를 구명(究明)하여 수도(水稻) 포장(圃場)에서의 이용가능성(利用可能性)을 살펴 보고자 수행(遂行)되었으며 결과(結果)를 요약(要約)하연 다음과 같다. 1. Oxyf1uorfen의 발생전처리(發生前處理)에서 너도방동사니를 포함(包含)한 공시잡초종(供試雜草種)과 벼와의 선택활성차이(選擇活性差異)는 $ED_{50}$으로 보아 0.1~0.4 kg a. i./ha 수준(水準)에서 성립(成立)되었다. 2. $10^{-5}$ M Oxyfluorfen의 발생후처리(發生後處理)에서 생육(生育)의 억제(抑制)는 전체처리(全體處理)>뿌리처리(處理)>경부대상처리(莖部帶狀處理) 순(順)으로 심(甚)하였으며, 특(特)히 너도방동사니와 벼에서는 생육억제(生育抑制)가 경미(輕微)하였다. 3. 광합성(光合成)의 저해(沮害)는 공시초종(供試草種) 모두, $10^{-4}$ M Oxyfluorfen 농도(濃度)에 서부터 심(甚)하게 나타났으며 호흡저해(呼吸沮害)의 차이(差異)는 인정(認定)되지 않았다. 4. 유리단세포(遊離單細胞)에서 Oxyfluorfen 처리시(處理時) 벼 2 품종(品種)과 너도방동사니가 $10^{-5}$ M 농도수준(濃度水準)에서 내성(耐性)을 보인 반면 피와 올미는 상대적(相對的)으로 감수성(感受性)을 보였다. 5. 벼의 현탁배양(懸濁培養)에서 세포(細胞)의 생장(生長)은 Oxyfluorfen의 농도증가(濃度增加)에 따라 억제(抑制)되었으며 Aichiasahi 보다 Mushakdanti 에서 크게 억ㅈ(抑制)되었다.

• 한국잡초학회지
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• 제5권1호
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• pp.24-34
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• 1985

남부지역(南部地域)의 논 잡초발생(雜草發生) 및 경합특성(競合特性)을 파악(把握)하기 위하여, 농산(農産)벼와 동진(東津)벼를 공시(供試)하여 보통기(普通期)와 맥후작기재배(麥後作期栽培)에서 비교(比較)하였다. 이앙후(移秧後) 15일간격(日間隔)으로 조사일정(調査日程)을 정(定)하고 각기간(各其間)까지 잡초방임(雜草放任) 또는 무잡초상태(無雜草狀態)를 유지(維持)하면서 시험구별(試驗區別)로 잡초발생(雜草發生)을 조사(調査)하고 수확기(收穫期)에 수도생육량(水稻生育量) 수량요소(水量要素) 및 수량조사(收量調査)를 하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 우점종(優占種)은 물달개비와 올챙고랭이었으며, 사초과(莎草科) 잡초(雜草)의 종우점도(種優占度는 맥후작(麥後作)보다 보통기작(普通期作)에서, 동진(東津)벼 보다는 농산(農産)벼 재배지(栽培地)에서 높은 경향(傾向)이었다. 2. 잡초발생(雜草發生)은 보통기(普通期)의 경우, 동진(東津)벼 보다 농산(農産)벼에서 발생수(發生數)는 적었으나 생육량(生育量)은 컸으며, 맥후작기(麥後作期)에서는 오히려 농산(農産)벼에서 발생수(發生數)가 많고 생육량(生育量)은 적은 경향(傾向)이었다. 3. 공시(供試)했던 두 품종(品種)의 벼 모두가 잡초경합(雜草競合)으로 엽중(葉重)과 정조중(正租重)의 감소(減少)가 인정(認定)되었으며, 보통기작(普通期作)에서는 수당영화수(穗當穎花數)(농산(農産)벼), 맥후작(麥後作)에서는 두 품종(品種) 모두 등숙율(等熟率)(동진(東津)벼)의 감소(減少)에 의하여, 맥후작(麥後作)에서는 두 품종(品種) 모두 등숙율과(等熟率)과 립중감소(粒重減少)로 감수(減收)하는 경향(傾向)이었다. 4. 물달개비와 올챙고랭이가 우점(優占)했던 본 연구(硏究)의 경우, 수도(水稻)의 잡초경합특성(雜草競合特性)은 치명적(致命的) 경합기간(競合期間)이 길고 잡초발생허용기간(雜草發生許容期間)이 상대적(相對的)으로 짧은 경향(傾向)이었다. 5. 잡초경합(雜草競合)으로 인한 벼의 최대감수(最大減收)는 품종(品種)과 작기변동(作期變動)에 따라 무잡초구(無雜草區)의 25~55%에 달하였다.

• 한국잡초학회지
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• 제12권2호
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• pp.166-172
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• 1992

전국(全國) 논에 발생(發生)하는 부유성(浮遊性) 남조류(藍藻類)와 토양중(土壤中)에 서식(棲息)하면서 괴불 등(等)을 일으키는 남조류(藍藻類)를 1991년(年) 채집(採集) 동정(同定)하여 다음과 같은 결과(結果)을 얻었다. 1. 논에 서식(棲息)하는 남조중(藍藻中)에서 남조식물문(藍藻植物門)(Cyanophyta)으로 분류(分類) 동정(同定)된 종(種)은 소구체과(小球體科)(Chroococceaceae) 7종(種), 카마에시폰과(科)(Chamaesiphonaceae) 1종(種), 플레우로캅사과(科)(Pleurocapsaceae) 1종(種), 염주말科(Nostocaceae) 6종(種), 흔들말과(科) (Oscillatoriaceae) 5(종)種으로서 총(總) 5과(科)14속(屬) 20종(種)이었다. 2. 논에 서식(棲息)하며 질소(窒素) 고정능력(固定能力)이 있는 남조류(藍藻類)로서 Cylindrospermum, Anabaenopsis, Anabaena, Nostoc 등(等) 4속(屬) 6종(種)이 동정(同定)되었다. 3. 남색(藍色)을 띄는 괴불에는 사상(絲狀) 남조류(藍藻類) gms들말(Oscillatona) 등(等)이 주종(主種)을 이루고 있었다. 4. 단세포성(單細胞性) 남조류(藍藻類) Chamaesiphon은 서산(瑞山) 간척지(干拓地)에 많이 발생(發生)하는 Cladophora 등(等)에 부착생활(附着生活)하고 있었다. 5. Spirulina와 Oscillatona는 특유(特有)한 방법(方法)의 운동성(運動性)을 가지고 있었다.