본 논문에서는 중심에 동공을 갖는 원통형태 광결정 도파로가 제안되어지고, 이 전송로의 도파 특성에 대한 분석이 수행되어진다. 여기서 동공은 일반적인 공기이거나 임의의 액체나 고체 물질들에 의한 저지수 유전체로써 형성되게 된다. 베셀 함수를 이용한 분석적 방법으로 전자장에 대한 엄밀한 해를 구하기 위하여, 행렬 기법이 고유치 방정식의 유도에 사용되고, 실효 굴절률, 분산, 전자장 분포 등의 기본 모드의 중요한 전송 성질들이 조사된다. 또한 분석 결과 정확도의 검증을 위하여 엄밀한 완전 벡터 유한 차분법을 적용해보고, 광결정 도파로의 설계와 제조 상의 문제를 해결하는데 용이하게 활용하고자 한다. 설계된 중심-동공 광도파관의 실효 모드 면적이 2.6056 ㎛2에서 5.9673 ㎛2까지 동작 파장에 따라 다양하게 변하며, 일반적으로 광도파로의 중심으로부터 바깥쪽으로 원통형의 층수가 적을수록 그리고 굴절률 n1이 약간 큰 저지수일수록 실효 면적은 작아지므로, 비선형 소자 응용의 관점에서 훨씬 더 최적화된 결과를 나타낸다.
When an electric field higher than a characteristic coercive field is applied to a ferroelectric such as $LiNbO_3$, the orientation of the spontaneous polarization is reversed, which causes the reversal of the sign of odd-rank tensor properties such as electro-optic and nonlinear optic coefficients. A fabrication process of insulator and periodic external field assisted poling of a z-cut $LiNbO_3$ have been optimized for a periodic $180^{\circ}$ phase inversion along z-axis. The poling jig and the poling control system, fully controlled by a computer, for high quality and reproducible PPLN fabrication have been devised. Periodically polarization reversed PPLN was adjusted based on the fabricated thickness of insulator. The poling structure of PPLN was observed under a microscope after etching PPLN samples by an etching solution ($HF:HNO_3$ = 1 : 2) for about 15 min.
The early stages of bismuth (Bi) electrodeposition on glass carbon electrode from alkaline electrolyte were studied by cyclic voltammetry, chronoamperometry, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction. The CV analysis showed that the electrodeposition of Bi was determined to be quasireversible process with diffusion controlled. The current transients for Bi electrodeposition were analyzed according to the Scharifker-Hills model and the Heerman-Tarallo model. It can be concluded that the nucleation and growth mechanism was carried out under a 3D instantaneous nucleation, which was confirmed by SEM analysis. The kinetic growth parameters were obtained through a nonlinear fitting. In addition, the Bi film obtaining at -0.86 V for 1 hour was of compact and uniform surface with good smoothness, small roughness and a very high purity. The Bi film were indexed to rhombohedral crystal structure with preferred orientation of (0 1 2) planes to growth.
We present an optical Voltage and current sensor using $BSO(Bi_{12}SiO_{20})$ monocrystal. The voltage and current sensor consist of PBS(Polarizing Beam Splitter), 1/4 wavelength plate, ZnSe, Selfoc lens, LED, and PIN-PD etc. Magnetic core was made using permalloy for applying magnetic field to current sensor effectively. Current was measured from 100 to 1,600 ampere and accuracy was about ${\pm}$5%. The accuracy could be improved to ${\pm}$l% after reducing the nonlinear property of BSO crystal using our own program in PC (IBM286). We noticed that these data were not influenced by 154,000 voltage at all. Applied voltage was reduced to 1/20 using capacitors. And experiment was carried out up to 450V of the reduced voltage. The data fran optical voltage sensor was similar to that from conventional voltage sensor. The accuracy of the data was within about ${\pm}$1%.
The material processing by using ultrashort pulse laser, in recently, is actively applying into the micro machining and nano-machining technology since ultrashort pulse has so faster than the time which the electrons energy absorbing photon energy is transmitted to surrounding lattice-phonon that it has many advantages in point of machining. The micro machining of metallic thin film on the plain glass is widely used in the fields such as mask repairing for semiconductor, fabrication of photonic crystal, MEMS devices and data storage devices. Therefore, it is important to secure the machining technology of the sub-micron size. In this research, we set up the machining system by using ultrashort pulse laser and conduct on the Cr 200nm thin film ablation experiments of spot and line with the variables such as energy, pulse number, speed, and so on. And we observed the characteristics of surrounding heat-affected zone and by-products appeared in critical energy density and higher energy density through SEM, and also examined the machining features between in He gas atmosphere which make pulse change minimized by nonlinear effect and in the air. Finally, the pit size of 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ diameter and the line width of 1${\mu}{\textrm}{m}$ could be obtained.
The compound 3-(2-Mercaptopyridine)phthalonitrile has been synthesized and characterized by IR, UV-vis, and X-ray single-crystal determination. The molecular geometry from X-ray determination of the title compound in the ground state has been compared using the Hartree-Fock (HF) and density functional theory (DFT) with the 6-31G(d) basis set. The calculated results show that the DFT and HF can well reproduce the structure of the title compound. The energetic behavior of the title compound in solvent media was examined using the B3LYP method with the 6-31G(d) basis set by applying the Onsager and polarizable continuum model. Using the TD-DFT and TD-HF methods, electronic absorption spectra of the title compound have been predicted and good agreement with the TD-DFT method and the experimental determination was found. The predicted nonlinear optical properties of the title compound are much greater than those of urea. Besides, molecular electrostatic potential of the title compound were investigated by theoretical calculations. The thermodynamic properties of the compound at different temperatures have been calculated and corresponding relations between the properties and temperature have also been obtained.
Nano-sized inverted domain dots in ferroelectric materials have potential application in ultrahigh-density rewritable data storage systems. Herein, a data storage system is presented based on scanning non-linear dielectric microscopy and a thin film of ferroelectric single-crystal lithium tantalite. Through domain engineering, we succeeded to form an smallest artificial nano-domain single dot of 5.1 nm in diameter and artificial nano-domain dot-array with a memory density of 10.1 Tbit/$inch^2$ and a bit spacing of 8.0 nm, representing the highest memory density for rewritable data storage reported to date. Sub-nanosecond (500psec) domain switching speed also has been achieved. Next, long term retention characteristic of data with inverted domain dots is investigated by conducting heat treatment test. Obtained life time of inverted dot with the radius of 50nm was 16.9 years at $80^{\circ}C$. Finally, actual information storage with low bit error and high memory density was performed. A bit error ratio of less than $1\times10^{-4}$ was achieved at an areal density of 258 Gbit/inch2. Moreover, actual information storage is demonstrated at a density of 1 Tbit/$inch^2$.
진동수 안정화동 Nd:YAG 레이저, KTP 단결정, 그리고 외부 공명 공동을 사용하여 제2고조파 발생 장치를 제작하였다. 제2종 위상정합을 이용하는 경우 문제가 되는 정상광선과 이상광선 사이의 벗어남 각과, 두 광선이 모두 공동에 공명하게 하는 이중 공명의 조건을 결정의 온도와 광 입사각의 조절을 통해 최적화 하였다. 그 결과로써 318mW의 근원파에 대해 26mW의 제2고조파 출력을 얻을 수 있었다.
Borate nonlinear optical crystals have been used as frequency conversion devices in many fields due to their unique transparency and nonlinearity from ultraviolet to visible spectral range. In this study, we theoretically and numerically investigate the properties of broadband second harmonic generation (SHG) in the recently reported Pna21-Ba3Mg3(BO3)3F3 (BMBF) crystal. The technique is based on the simultaneous achievement of birefringence phase matching and group velocity matching between interacting waves. We discussed all factors required for broadband SHG in the BMBF in terms of two types of phase matching and group velocity matching conditions, the beam propagation direction and the corresponding effective nonlinearity and spatial walk-off, and the spectral responses. The results show that bandwidths calculated in the broadband SHG scheme are 220.90 nm (for Type I) and 165.85 nm (for Type II) in full-width-half-maximum (FWHM). The central wavelength in each case is 2047.76 nm for Type I and 1828.66 nm for Type II at room temperature. The results were compared with the non-broadband scheme at the telecom C-band.
Shape ellipticity dependence of the exciton fine energy levels in CdTe and CdSe nanocrystal quantum dots were compared theoretically by considering the crystal structure and the Coulomb interaction of an electron and a hole. While quantum dot ellipticity changes from an oblate to prolate quantum dot via spherical shape, both the fine energy levels and the dipole moment in wurtzite structure of a CdSe quantum dot change linearly for ellipticity. In contrast, CdTe quantum dots were found to show a level crossing between the bright and dark exciton states with a significant change of the dipole moment due to the cubic structure. Shape ellipticity dependence of the optical nonlinearities in CdTe and CdSe nanocrystal quantum dots was also calculated by using semiconductor Bloch equations. For a spherical shape quantum dot, only $1^L$ dominates the optical nonlinearities in a CdSe quantum dot, but both $1^U$ and $0^U$ contribute in a CdTe quantum dot. As excitation pulse area becomes strong (${\sim}{\pi}$), the optical nonlinearities of both CdSe and CdTe quantum dots are mainly governed by absorption saturation. However, in the case of a prolate CdTe quantum dot, the real part of the nonlinear refractive index becomes relatively significant.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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