• 한국표면공학회지
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• 제55권6호
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• pp.460-468
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• 2022

Due to its high electrical conductivity, low contact resistance, good weldability and high corrosion resi-stance, gold is widely used in electronic components such as connectors and printed circuit boards (PCB). Gold ion salts currently used in gold plating are largely cyan-based salts and non-cyanic salts. The cya-nide bath can be used for both high and low hardness, but the non-cyanide bath can be used for low hardness plating. Potassium gold cyanide (KAu(CN)₂) as a cyanide type and sodium gold sulfite (Na₃[Au(SO)₃]₂) salt as a non-cyanide type are most widely used. Although the cyan bath has excellent performance in plating, potassium gold cyanide (KAu(CN)₂) used in the cyan bath is classified as a poison and a toxic substance and has strong toxicity, which tends to damage the positive photoresist film and make it difficult to form a straight side-wall. There is a need to supplement this. Therefore, it is intended to supplement this with an eco-friendly process using sodium sulfite sodium salt that does not contain cyan. Therefore, the main goal is to form a gold plating layer with a controllable hardness using a non-cyanide gold plating solution. In this study, the composition of a non-cyanide gold plating solution that maintains hardness even after annealing is generated through gold-palladium alloying by adding thallium, a crystal regulator among electrolysis factors affecting the structure and hardness, and changes in plating layer structure and crystallinity before and after annealing the correlation with the hardness.

• Corrosion Science and Technology
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• 제21권2호
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• pp.89-99
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• 2022

A versatile method for performing non-cyanide electroless gold plating using thiomalic acid (TMA) as a complexing agent and 2-aminoethanethiol (AET) as a reducing agent was investigated. It was found that TMA was an excellent complexing agent for gold. It can be used in electroless gold plating baths at a neutral pH with a high solution stability, makes it a potential candidate to replace conventional toxic cyanide complex. It was found that one gold atomic ion could bind to two TMA molecules to form the [2TMA-Au⁺] complex in a solution. AET can be used as a reducing agent in electroless gold plating solutions. The highest current density was obtained at electrode rotation rate of 250 to 500 rpm based on anodic and cathodic polarization curves with the mixed potential theory. Increasing AET concentration, pH, and temperature significantly increased the anodic polarization current density and shifted the plating potential toward a more negative value. The optimal gold ion concentration to obtain the highest current density was 0.01 M. The cathodic current was higher at a lower pH and a higher temperature. The current density was inversely proportional to TMA concentration.

• 한국광물학회지
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• 제27권3호
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• pp.115-124
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• 2014

금-은 함유 황화광물 정광으로부터 Au와 Ag를 용출시키기 위하여 황화광물 정광을 건식과 습식으로 전처리하였다. 전처리한 황화광물에 대하여 광물학적 연구와 티오요소 용출실험을 수행하였다. 평균입도와 등전위는 정광시료에서 보다 건식 전-처리 시료에서 낮게 나타났고, 건식 전-처리 시료 보다 습식 전-처리 시료에서 더 낮게 나타났다. XRD 분석결과, 습식 전-처리 시료에서만 비정질의 특성이 나타났다. 정광시료에서, 최대의 Au, Ag 용출인자는 1.0 g의 티오요소, 1.0 M의 황산제2철, 2.0 M의 황산 농도에서 그리고 $60^{\circ}C$의 용출온도에서였다. Au, Ag용출률은 건식 전-처리 시료에서 보다 습식 전-처리 시료에서 언제나 많이 그리고 빠르게 나타났다. 따라서, 향후 적당한 미분쇄 첨가제와 시간으로 전처리를 수행하고 비-시안 용매를 적용한다면 친환경적으로 Au, Ag를 용출시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국광물학회지
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• 제28권1호
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• pp.29-38
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• 2015

광석에서 순도 높은 금은을 추출하기 위해 사용된 청화법으로부터 시안이 유출되어 광석 내 존재하는 중금속들과 결합하여 다양한 형태의 시안화합물이 생성된다. 이러한 시안화합물은 난분해성 오염물질로서 인간을 포함한 생태계에 악영향을 끼친다. 결합력에 따라서 중금속과 결합한 시안화합물은 공유결합성 화합물(weak acid dissociable, WAD)과 착화합물(strong acid dissociable, SAD) 등으로 분류할 수 있다. 본 연구에서는 시안화합물의 존재 형태별 광촉매 산화 효율을 비교 평가하였다. 특히 자외선 LED 광원의 파장과 광촉매 표면 개질이 시안화합물의 분해에 미치는 영향을 살펴보았다. 실험 결과, 동일한 광촉매 산화 조건에서 자유 시안보다는 중금속과 결합한 시안화합물의 광산화 분해 효율이 떨어짐을 알 수 있었다. 그리고 자유 시안의 경우에는 짧은 파장에서 광촉매 산화가 효과적이었지만 중금속과 결합한 시안화합물의 경우에는 긴 파장에서 광산화 분해능이 더 높게 나타났다. 그리고 광촉매 표면 개질에 의하여 광촉매 산화 공정의 성능을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.77-84
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• 2006

도금전류밀도와 도금액 온도에 따른 비시안계 Au 범프의 표면 거칠기 및 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 분포도를 분석하였다. $3mA/cm^{2}$와 $5mA/cm^{2}$에서 도금한 Au 범프는 $40^{\circ}C$와 $60^{\circ}C$의 도금액 온도에 무관하게 $80{\sim}100nm$의 낮은 표면 거칠기를 나타내었다. $8mA/cm^{2}$로 도금시 $40^{\circ}C$에서 도금한 Au 범프는 표면 거칠기가 800nm 정도로 크게 증가하였으나, $60^{\circ}C$에서 형성한 Au 범프는 $80{\sim}100nm$의 표면 거칠기를 나타내었다. 도금전류밀도가 $3mA/cm^{2}$에서 $8mA/cm^{2}$로 증가함에 따라 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 편차가 증가하였으며, 도금액 온도가 $40^{\circ}C$보다 $60^{\circ}C$일 때 웨이퍼 레벨에서 더 균일한 범프 높이의 분포도를 얻을 수 있었다.