• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.940-943
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• 2003

We report the fabrication and the characterization of white organic light-emitting devices consisting of a red-emitting layer of a new DCM derivative doped into 4,4'bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl (${\alpha}-NPD$) and a blue-emitting layer of 1,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)benzene (DPVBi). The device structure is ITO/PEDOT:PSS/${\alpha}-NPD$ (50 nm)/${\alpha}-NPD$:DCM (5 nm, 0.2 %)/DPVBi (x)/Alq3 (40 nm)/LiF (0.5 nm)/Al. The electroluminescence (EL) spectra consist of two broad peaks around 470 nm and 580 nm with the spectral emission depending on the thickness of DPVBi. The device with the DPVBi thickness of about 20 nm show a white light-emission with the Commission Internationale d'Eclairage(CIE) chromaticity coordinates of (0.33, 0.36). The external quantum efficiency is 2.6% and luminous efficiency is 2.0 lm/W at a luminance of 100 $cd/m^{2}$. The maximum luminance is about 30,270 $cd/m^{2}$ at 13.9 V.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.235-238
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• 2009

BaMg$Al_{10}O_{17}$ (BAM) co-doped with $Eu^{2+}$ and $Mn^{2+}$ was synthesized in a solid-state reaction and their luminescence properties were investigated as functions of the concentrations of the sensitizer and activator. BAM:$Eu^{2+}$ had a broad blue emission band at 450 nm and BAM:$Mn^{2+}$ exhibited green emission at 514 nm. The energy transfer from $Eu^{2+}$ to $Mn^{2+}$ was mainly of the resonance-type via an electric dipole-quadrupole interaction. Additionally, the addition of various fluxes such as $AlF_3$ and $BaF_2$ in the synthesis improves the moist and thermal stability. This is particularly important for the phosphor in white light emitting diodes (LEDs).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.539-544
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• 2013

To study the encapsulation method for heat dissipation of high brightness organic light emitting diode (OLED), red emitting OLED of ITO (150 nm) / 2-TNATA (50 nm) / NPB (30 nm) / $Alq_3$ : 1 vol.% Rubrene (30 nm) / $Alq_3$ (30 nm) / LiF (0.7 nm) / Al (200 nm) structure was fabricated, which on $Alq_3$ (150 nm) / LiF (150 nm) as buffer layer and Al as protective layer was deposited to protect the damage of OLED, and subsequently it was encapsulated using attaching film and metal sheet. The current density, luminance and power efficiency was improved according to thickness of Al protective layer. The emission spectrum and the Commission International de L'Eclairage (CIE) coordinate did not have any effects on encapsulation process using attaching film and metal sheet The lifetime of encapsulated OLED using attaching film and metal sheet was 307 hours in 1,200 nm Al thickness, which was increased according to thickness of Al protective layer, and was improved 7% compared with 287 hours, lifetime of encapsulated OLED using attaching film and flat glass. As a result, it showed the improved current density, luminance, power efficiency and the long lifetime, because the encapsulation method using attaching film and metal sheet could radiate the heat on OLED effectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권4호
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• pp.159-163
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• 2016

본 연구에서는 간단 고상합성법(solid state reaction method)을 이용하여 $Yb^{3+}$, $Er^{3+}$ 이온이 동시도핑된 $NaGd(MoO4)_2$ ($NaGd(MoO_4)_2:Yb^{3+}/Er^{3+}$)를 성공적으로 합성하였으며, 결정구조 및 광학적 특성을 면밀히 분석하였다. 980nm의 근적외선 레이저를 합성된 NaGd(MoO4)2 파우더에 조사하였을 때 $NaGd(MoO_4)_2:Yb^{3+}/Er^{3+}$ 분말은 540 및 550 nm 부근에서 강한 녹색 발광과 함께 650 및 670 nm 부근에서의 매우약한 적색 발광을 하였으며 이러한 업컨버젼 발광 현상은 $Er^{3+}$ 이온 내의 infra 4f transition에 의한 현상임을 확인할 수 있었다. 또한, $Yb^{3+}$ 및 $Er^{3+}$ 이온의 최적 도핑 농도는 각각 (10.0/10.0 mol%)로 확인되었으며, 그에 따른 upconversion 발광 메커니즘에 대하여 상세히 논의하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권4호
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• pp.456-462
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• 2016

$NaCaGd(MoO_4)_3:Ho^{3+}/Yb^{3+}$ ternary molybdates were successfully synthesized by microwave sol-gel method for the first time. Well-crystallized particles formed after heat-treatment at $900^{\circ}C$ for 16 h showed a fine and homogeneous morphology with particle sizes of $3-5{\mu}m$. Under excitation at 980 nm, the UC intensities of the doped samples exhibited strong yellow emissions based on the combination of strong emission bands at the 520-nm and 630-nm emission bands in the green and red spectral regions, respectively. The strong 520-nm emission band in the green region corresponds to the $^5S_2/^5F_4{\rightarrow}^5I_8$ transition of $Ho^{3+}$ ions, while the strong 630-nm emission band in the red region appears to be due to the $^5F_5{\rightarrow}^5I_8$ transition of the $Ho^{3+}$ ions. The optimal $Yb^{3+}:Ho^{3+}$ ratio was found at 9:1, as indicated by the composition-dependent quenching effect of $Ho^{3+}$ ions. The pump power dependence of the upconversion emission intensity and the Commission Internationale de L'Eclairage chromaticity coordinates of the phosphors were evaluated in detail.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제41권1호
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• pp.20-28
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• 1999

각종 고치색을 검정하여 Pink계, Orange Yellow계, Yellow계, Yellow Green계, White계 등 5계통으로 정리하고, Munsell 부호와 한국표준색표 일련번호를 명시하는 동시에 영어 및 한국어 색이름을 규정하였다. 色 이론을 도입한 표색계에서는 공시한 21종의 유색견 고치색은 Pink계 1종, Orange Yellow~Yellow계 12종, Yellow Green계 3종으로서 16종이 확인되었다. Pink계는 노랑띤 분홍색; Orange Yellow계는 등황색, 금잔화색, 치자색, 계란색; Yellow 系는 해바라기색, 노른자색, 노랑, 벼색, 네이플즈 엘로, 황수선화색, 땅콩색, 크림색; Yellow Green계는 청포도색, 백연두색, 백합꽃색이 확인되었다. 관용 색이름인 肉色繭은 F 유전자가 지배하는 치자색 및 살색으로 세분되며, 藁色繭은 C$^{st}$는 벼색, 땅콩색 등을 포함하는 부류로 간주할 수 있었다. 고치색 유전자와 관련된 색파장 범위는 Pk가 593 nm, F는 580~593 nm, Grc 및 Ga Gb Gc 계열은 567~570 nm였으며, Y 유전자는 가장 폭넓은 575~593 nm의 색파장에 관여하였다. 가시광선 스팩트럼 593~567 nm 범위에 7종의 파장을 기본으로 18종 이상의 고치색이 성립되며, 특히 575~584 nm 영역은 유색견 21계통 중 78% 가 포함되어, 580 nm를 중심으로 色彩識別역이 예민한 색파장 영역에서 최소폭의 변화로 다양한 고치색 발현이 가능한 것으로 밝혀졌다. 중부견사선 외층세리신이 정상인 멧누에와 집누에 교잡종($+^Y+^C/Y^AYmc$)은 고유의 멧누에고(5Y9/4) 외에 황수선화색(5Y8.5/8)이 분리되었다. YC 발현에서 Y와 동일한 연관군 및 좌위(2~25.6)인 Y$^A,\;Y^D$ 등은 누에계통별 특이 인자가 관여한 결과로 추정되며, 이와같이 C$^1,\;C^{st}$도 C와 동등한 유전자일 가능성이 제기되었다. 녹색견은 Grc와 관계되는 2종의 청포도색, 독립유전 녹색견 Gc와 유사한 백연두색, Ga 또는 Gb와의 관련성이 추정되는 백합꽃색이 확인되었다. Pink계${\times}$Yellow계 고치색은 가법혼색의 경향을 보이고 , Yellow계의 "매우 진한 노랑" 고치 간의 교잡에서는 해바라기색이 우위로 발현되었다. 그러나, 일반적으로 유색견 원종 간의 F1 고치색은 감법혼색의 결과와 유사하며, 교잡종 고치색은 양친의 평균과 비교하여 색파장은 단파장 쪽으로 이동하고 명도와 채도가 저하되는 경향을 나타내었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권10호
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• pp.2299-2302
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• 2009

By controlling the number of electrons transferred to the emitting layer, highly efficient three-wavelength WOLEDs were fabricated. Such WOLEDs are different from those made using simple stacking of RGB emitting layers in that the movement distribution of electrons transferred to emitting layer could be adjusted using the difference in LUMO energy level and that lights of all 3 wavelengths could be emitted through appropriate arrangement of RGB emitting layers. WOLED device with the structure of m-MTDTA (40 nm)/NPB (10 nm)/ Coumarin6 doped $Alq_3$ (3%) (8 nm)/ Rubrene doped NPB (5%) (15 nm)/NPB (2 nm)/ DPVBi (20 nm)/$Alq_3$ (20 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) showed high luminance efficiency of 8.9 cd/A and color purity of (0.31, 0.40). In addition, WOLED device with the thickness of non-doped NPB layer increased from 2 nm to 3 nm to increase blue light emission showed a luminance efficiency of 7.6 cd/A and color purity of (0.28, 0.36).

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.62.1-62.1
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• 2010

CIS(CuInSe2)계 화합물 태양전지는 높은 광흡수계수와 열적 안정성 및 조성 조절을 통한 밴드갭 조절이 용이해 고효율 박막 태양전지로 각광 받고 있다. 또한 CIGS 태양전지는 기존의 유리기판 대신 유연한 기판을 사용해 flexible 태양전지 제조가 가능하다. 이러한 유연기판은 보통 stainless steel과 같은 금속 기판이 많이 사용되는데 기존의 soda-lime glass 기판과는 달리 금속기판에는 Na이 첨가되어 있지 않아 별도의 Na첨가를 필요로 한다. Na은 CIGS 흡수층의 조성조절을 용이하게 하여 태양전지의 변환 효율을 향상시키는 역할을 한다. 본 연구에서 기판은 Na이 첨가되어있지 않은 corning glass를 사용 하였으며 NaF를 이용해 Mo가 증착된 기판에 NaF의 두께를 달리하며 증착해 CIGS 흡수층의 grain 사이즈를 비교 하였으며 그 후 태양전지 소자를 제조해 광전특성을 분석하였다. 후면 전극으로 약60nm 두께의 Mo를 DC Sputtering 방법을 이용해 증착 하였다. buffer층으로는 약 50nm의 CdS층을 CBD방법을 이용하여 제조 하였으며 TCO 층으로 약 50nm의 i-ZnO와 약 450nm의 Al-ZnO를 RF Sputtering방법으로 증착 하였다. 마지막으로 앞면 전극으로 약 $1{\mu}m$의 Al을 Thermal Evaporation방법으로 증착하였다. 태양전지 소자의 면적은 $0.49cm^2$로 효율을 비교 분석하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권1호
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• pp.27-32
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• 2003

Highly reproducible side-wall process for the fabrication of the fine gate length as small as 40nm was developed. This process was utilized to fabricate 40nm InGaAs HEMTs with the 65% strained channel. With the usage of the dual $SiO_2$ and $SiN_x$ dielectric layers and the proper selection of the etching gas, the final gate length (Lg) was insensitive to the process conditions such as the dielectric over-etching time. From the microwave measurement up to 40GHz, extrapolated fT and fmax as high as 371 and 345 GHz were obtained, respectively. We believe that the developed side-wall process would be directly applicable to finer gate fabrication, if the initial line length is lessened below the l00nm range.

• Current Optics and Photonics
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• 제5권4호
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• pp.458-465
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• 2021

Borate nonlinear optical crystals have been used as frequency conversion devices in many fields due to their unique transparency and nonlinearity from ultraviolet to visible spectral range. In this study, we theoretically and numerically investigate the properties of broadband second harmonic generation (SHG) in the recently reported Pna2₁-Ba₃Mg₃(BO₃)₃F₃ (BMBF) crystal. The technique is based on the simultaneous achievement of birefringence phase matching and group velocity matching between interacting waves. We discussed all factors required for broadband SHG in the BMBF in terms of two types of phase matching and group velocity matching conditions, the beam propagation direction and the corresponding effective nonlinearity and spatial walk-off, and the spectral responses. The results show that bandwidths calculated in the broadband SHG scheme are 220.90 nm (for Type I) and 165.85 nm (for Type II) in full-width-half-maximum (FWHM). The central wavelength in each case is 2047.76 nm for Type I and 1828.66 nm for Type II at room temperature. The results were compared with the non-broadband scheme at the telecom C-band.