• 제목/요약/키워드: Neuromorphic chip

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인공지능 뉴로모픽 반도체 기술 동향 (Trend of AI Neuromorphic Semiconductor Technology)

  • 오광일;김성은;배영환;박경환;권영수
    • 전자통신동향분석
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    • 제35권3호
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    • pp.76-84
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    • 2020
  • Neuromorphic hardware refers to brain-inspired computers or components that model an artificial neural network comprising densely connected parallel neurons and synapses. The major element in the widespread deployment of neural networks in embedded devices are efficient architecture for neuromorphic hardware with regard to performance, power consumption, and chip area. Spiking neural networks (SiNNs) are brain-inspired in which the communication among neurons is modeled in the form of spikes. Owing to brainlike operating modes, SNNs can be power efficient. However, issues still exist with research and actual application of SNNs. In this issue, we focus on the technology development cases and market trends of two typical tracks, which are listed above, from the point of view of artificial intelligence neuromorphic circuits and subsequently describe their future development prospects.

뉴로모픽 시스템용 시냅스 트랜지스터의 최근 연구 동향

  • 남재현;장혜연;김태현;조병진
    • 세라미스트
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    • 제21권2호
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    • pp.4-18
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    • 2018
  • Lastly, neuromorphic computing chip has been extensively studied as the technology that directly mimics efficient calculation algorithm of human brain, enabling a next-generation intelligent hardware system with high speed and low power consumption. Three-terminal based synaptic transistor has relatively low integration density compared to the two-terminal type memristor, while its power consumption can be realized as being so low and its spike plasticity from synapse can be reliably implemented. Also, the strong electrical interaction between two or more synaptic spikes offers the advantage of more precise control of synaptic weights. In this review paper, the results of synaptic transistor mimicking synaptic behavior of the brain are classified according to the channel material, in order of silicon, organic semiconductor, oxide semiconductor, 1D CNT(carbon nanotube) and 2D van der Waals atomic layer present. At the same time, key technologies related to dielectrics and electrolytes introduced to express hysteresis and plasticity are discussed. In addition, we compared the essential electrical characteristics (EPSC, IPSC, PPF, STM, LTM, and STDP) required to implement synaptic transistors in common and the power consumption required for unit synapse operation. Generally, synaptic devices should be integrated with other peripheral circuits such as neurons. Demonstration of this neuromorphic system level needs the linearity of synapse resistance change, the symmetry between potentiation and depression, and multi-level resistance states. Finally, in order to be used as a practical neuromorphic applications, the long-term stability and reliability of the synapse device have to be essentially secured through the retention and the endurance cycling test related to the long-term memory characteristics.

뉴로모픽 칩에서 운영되는 RBF 기반 네트워크 학습을 위한 시뮬레이터 개발 (Development of a Simulator for RBF-Based Networks on Neuromorphic Chips)

  • 이여울;서경은;최대웅;고재진;이상엽;이재규;조현중
    • 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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    • 제8권11호
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    • pp.251-262
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    • 2019
  • 본 논문에서는 뉴로모픽 칩에서 운영되는 RBF 네트워크를 다양한 형태로 제공하는 시뮬레이터를 제안한다. 뉴로모픽 칩의 RBF 네트워크를 학습할 때 시뮬레이터를 사용할 경우에는 시간은 단축되지만 다양한 형태의 알고리즘을 테스트하기 어렵다는 단점이 있다. 본 제안 시뮬레이터는 기존 시뮬레이터와 비교하여 4배 많은 종류의 네트워크 구조 모의실험이 가능하며 특히, 이중 레이어 구조를 추가로 제공한다. 이중 레이어 구조는 다중 데이터 입력 시 활용되도록 구성하였으며 성능 분석 결과, 본 이중 레이어 구조가 기존보다 더 높은 정확도를 보였다.

3차원 적층 구조 저항변화 메모리 어레이를 활용한 CNN 가속기 아키텍처 (CNN Accelerator Architecture using 3D-stacked RRAM Array)

  • 이원주;김윤;구민석
    • 전기전자학회논문지
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    • 제28권2호
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    • pp.234-238
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    • 2024
  • 본 논문은 낮은 구동 전류 특성과 3차원 적층 구조로 확장시킬 수 있는 장점을 가진 3차원 적층형 이중 팁 RRAM을 CNN 가속기 아키텍처에 접목하는 연구를 수행한 논문이다. 3차원 적층형 이중 팁을 적층 형태의 병렬연결로 시냅스 어레이에 사용하여 멀티-레벨을 구현하였다. 이를 Network-on-chip 형태의 가속기 내에 DAC, ADC, 버퍼 및 레지스터, shift & add 회로 등 다양한 하드웨어 블록들과 함께 구성하여 CNN 가속기에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. 시냅스 가중치와 활성화 함수의 양자화는 16-bit으로 가정하였다. 해당 가속기 아키텍처를 위한 병렬 파이프라인을 통해 CNN 연산을 시뮬레이션한 결과, 연산효율은 약 370 GOPs/W를 달성하였으며, 양자화에 의한 정확도 열화는 3 % 이내가 되는 결과를 나타냈다.