• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.147-150
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• 2005

We process a novel approach cal led combined nanoimprint and photolithography (CNP) to greatly simplify the fabrication in conventional nanoimprint lithography (NIL). In this study, a novel HMM with anti-sticking $SiO_2$ layer is introduced to improve the quality of transferred pattern. The surface property was investigated using contact angle measurement and spectrophotometer. Replicate pattern with CNP using HMM showed complete pattern transfer without defect.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권4호통권37호
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• pp.275-280
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• 2005

나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.493-494
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• 2010

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1119-1120
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• 2007

Nano-sized metal patterns were successfully fabricated on flexible PET substrate using nanoimprint lithography. 70nm line and space PMMA resist pattern was formed on PET substrate without residual layer by 'artial filling effect' and 20nm thin Cr metal layer was deposited by e-beam evaporation. Then, PMMA resist was selectively removed by acetone and 70nm narrow Cr pattern was formed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 추계학술대회 논문집
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• pp.491-492
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• 2006

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.127-127
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• 2008

The replica of highly ordered nano-sphere array patterns were fabricated using hot embossing method. The polymer replica was coated with silcon dioxide layer and self-assembled monolayer. Using UV nanoimprint lithography with the template, highly ordered nano-sphere array patterns were clearly fabricated on curved substrate.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.24-25
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• 2007

Nano-sized metal patterns were successfully fabricated on flexible PET substrate using nanoimprint lithography. 70nm line and space PMMA resist pattern was formed on PET substrate without residual layer by "partial filling effect' and 20nm thin Cr metal layer was deposited by e-beam evaporation. Then, PMMA resist was selectively removed by acetone and 70nm narrow Cr pattern was formed.

• 전기의세계
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• 제52권6호
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• pp.38-43
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• 2003

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권4호
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• pp.1-7
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• 2007

최근 나노임프린트 리소그래피 공정이 마이크로/나노스케일의 소자 개발에 있어서 경제적으로 대량 생산할 수 있는 기술로 주목 받고 있다. 나노 스케일의 패턴을 성공적으로 전사하기 위해서는 폴리머의 기계적 거동에 대한 이해를 바탕으로, 적절한 공정 조건 즉, 압력, 온도, 시간 등의 선택이 필요하다. 본 연구에서는 열-나노임프린트 공정에서의 충전과정을 해석하기 위하여 비선형 유한요소법을 이용하였으며, 폴리머의 거동을 점탄성으로 가정하여 재료의 응력완화 효과를 고려하였다. 해석을 통하여 온도 및 몰드의 패턴형상이 열-나노임프린트 공정에 미치는 영향을 살펴보았다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제29권9호
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• pp.1169-1174
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• 2005

Imprint lithography is a promising method for high-resolution and high-throughput lithography using low-cost equipment. In particular, ultraviolet-nanoimprint lithography (UV-NIL) is applicable to large area imprint easily. We have proposed a new UV-NIL process using an elementwise patterned stamp (EPS), which consists of a number of elements, each of which is separated by channel. Experiments on UV-NIL are performed on an EVG620-NIL using the EPS with 3mm channel width. The replication of uniform sub 70 nm lines using the EPS is demonstrated. We investigate the nonuniformity of residual layer caused by wafer deformation in experiment with varying wafer thickness. Severely deformed wafer works as an obstacle in spreading of dropped resin, which causes nonuniformity of thickness of residual layer. Numerical simulations are conducted to analyze aforementioned phenomenon. Wafer deformation in the process is simulated by using a simplified model, which is a good agreement with experiments.