• Journal of Hospice and Palliative Care
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• 제10권3호
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• pp.145-153
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• 2007

목적: 본 연구는 약 15년간의 우리나라 호스피스 연구의 총체적인 주제와 경향을 확인함으로써 추후 호스피스 연구의 방향을 제시하고자 실시되었다. 방법: 1991년 1월부터 2004년 7월까지의 우리나라 박사학위논문 7편, 석사학위논문 44편과 호스피스와 관련된 논문이 주로 수록되는 분야별 간호학회지, 의학회지, 호스피스 학회지, 호스피스 협회 학술지, 호스피스 연구소 논문집의 논문에서 호스피스와 관련된 개념이 제시된 논문 59편으로 총 110편을 목록화하여 분석하였다. 분석은 연구 발표년도, 연구설계, 연구대상, 상관관계 연구, 조사연구, 실험연구, 질적 연구, 측정도구 별로 분류하여 분석하였다. 결과: 2000년 이후의 논문이 52편으로 2000년 이후부터 본격적으로 호스피스 논문이 증가하였음을 알 수 있다. 학회지에 발표한 논문으로는 한국 호스피스 완화 의료학회지가 16편으로 가장 많았고, 질적 연구는 13편으로 다소 적은 편수였다. 연구대상별로 살펴보면, 사람을 대상으로 한 연구가 98편으로 가장 많았고, 이 중 말기환자를 대상으로 한 연구가 44편으로 나타났다. 결론: 분석 결과 향후에는 호스피스 간호이론의 기초 정립을 위한 양적방법론에 근거한 서술적 연구와 질적 연구가 더욱 많이 행해져야 할 것이며, 호스피스 간호 중재의 효과를 확인하는 실험연구를 통하여 간호중재의 효율성을 입증하는 연구도 필요한 것으로 생각된다.

• 미생물학회지
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• 제35권3호
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• pp.197-204
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• 1999

1996년 경기도, 강원도 충청북도, 전라남도, 전라북도 등 일부지역에서 채집된 들쥐들로부터 분리된 22주의 렙토스피라균의 단클론 항체에 대한 반응양상 및 genomic DNA 의 pulsed-field gel electrophoresis pattern을 분석하였다. 혈청군 Icterohemorrhagiae 내의 균주로 면역하여 제조한 7가지 단클론 항체에 대한 분리균주들의 반응은 모두 혈청형 lai 와 같은 pattern을 보였다. Not I 제한효소 절단 DNA 의 PFGE에서 JR34, JR57, JR77, JT82, JR86, JR109, NR4, NR6, NR13, CR3, KR48, NR2, NR8, NR9, NR10, NR11, NR12, JR58, 및 JR62 주 들은 모두 혈청형 lai 와 유사한 profile을 보였으며 940 kb와 63kb 사이에 13개의 절편 band를 보였다. JR89주는 혈청형 lai 및 다른 분리균주에서 관찰되지 않은 1000 kb band 와 460 kb band 가 관찰되었다.표준균주 혈청형 lai, birkini, gem, mwogolo, canicola 등은 각기 완전히 다른 pattern을 보였으며 혈청형 yeonchon 은 lai 와 같은 pattern을 보였다. UPGMA방법에 의한 dendrogram 분석결과 분리주는 lai 및 yeonchon 혈청형과 81~85%, 기타 혈청형과는 62% 이하의 유사도를 나타내어 항원분석법에 의한 혈청형 동정결과와 일치하였다. Asc I 제한요소 절단 DNA 의 PFGE에서는 JR34, JR77, JR82, JR109, NR6, NR13, CR3, KR48, 및 JR57, JR58, JR62, JR86, NR2, NR3, NR4, NR8, NR9, NR10, NR11, NR12 주들은 모두 1900 kb 에서부터 380kb 사이에 3개의 절편 band를 보였으며 이는 표준균주 lai 와 같은 pattern 이었다. JR89주는 다른 분리균주와는 달리 1640 kb 대신 650kb 의 band를 보였다. Fse I 제한효소 절단 PFGE 에서는 JR57, JR77, JR82, JR86, JR109, NR4, NR6, NR13, CR3, KR48주 및 JR34, NR2, NR3, NR9, NR10 주들은 모두 1900 kb 와 280kb 사이에 5개의 절편 band를 보였으며 이는 표준균주 lai 및 yeonchon 과 같은 pattern 이었다. 그러나 JR89주에서는 280kb 가 나타나지 않아 다른 분리균주와 구분되었다.

• 암석학회지
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• 제7권1호
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• pp.15-26
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• 1998

다비-술루 초고압 변성대(HUPM)는 중.한육괴와 양쯔육괴의 충돌경계부로 알여져 있으나(Zhai and Cong, 1996) 북동 아시아의 조구조 진화에서 2가지 문제점이 제기되었다; (1) 산동반도에서 UHPM과 중.한육괴의 경계부 (2) 중국에서 UHPM가 한반도로의 연장가능성. UHPM와 중.한육괴의 경계에 대한 많은 이견이 있으며 경계부로 탄루(Tanru) 단층(Bai et al., 1993; Wang and Cong, 1996) 또는 우리안.룽칭 단층(Cao et al., 1990)이 제안된 바 있다. 저자들의 최근 연구의 새로운 증거에 의하면 가능한 경계부는 울리안 머핑 단층대를 따라서 분포하는 군류산 화강암질암 복합체일 수 있다. 새로운 증거란 (1) 군유산 화강암질암 복합체 서부의 염기성함류는 에클로자이트라가리보다 고압 그래뉼라이트에 해당하며(Zhai, 1996) Sm-Nd 동위원소 연령에서 후퇴변성작용 시기는 1750 Ma이며 암석연령은 2600~2900 Ma, Rb-Sr, U-Th-Pb 연령은 1600~2020 Ma이며 이보다 더 신기의 암석은 발견되지 않으며(Enami et al., 1993; Ishizaka et al., 1994) 중.한 육괴의 선캠브리아기 초기 암석 특징과 일치한다. (3) 군유산 화강암질암 대 동쪽의 정편마암의 연령은 110~320 Ma이며 그 중 180~230 Ma 의 분포가 가장 많아서 UHPM의 특징을 이룬다. (4) 군유산 화강암질암대는 동위원소연령으로 1900~2000 Ma의 많은 화강암체, 610~710 Ma의 암주,124~180 Ma의 맥등으로 구성되며 복잡하고 오랜 화강암질암대의 진화과정을 보인다. 군유산 화강암 질암대에는 중.한육괴와 술루 UHPM 대에서 유래된 많은 변성암류의 렌즈와 포유물이 분포한다. Zhai외 (1998)는 군유산 화강암질암대를 지아오동 경계대로 정의하였다. 일부는 UHPM 대가 동쪽으로 한반도까지 연상됨을 제안하고(Yin and Nic, 1993; Wang and Cong, 1996), 임진가대가 제안된 바 있으나 (Chang, 1994; Ree et al., 1996) 한반도에서 UHPM 암석의 결정적인 증거는 없다. 이런점에서 산동반도의 변성암을 한반도 남부의 변성암과 비교하는 것이 보다 중요하다 하겠다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2000년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.3-4
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• 2000

Many researchers are interested in the synthesis and characterization of carbon nitride and diamond-like carbon (DLq because they show excellent mechanical properties such as low friction and high wear resistance and excellent electrical properties such as controllable electical resistivity and good field electron emission. We have deposited amorphous carbon nitride (a-C:N) thin films and DLC thin films by shielded arc ion plating (SAIP) and evaluated the structural and tribological properties. The application of appropriate negative bias on substrates is effective to increase the film hardness and wear resistance. This paper reports on the deposition and tribological OLC films in relation to the substrate bias voltage (Vs). films are compared with those of the OLC films. A high purity sintered graphite target was mounted on a cathode as a carbon source. Nitrogen or argon was introduced into a deposition chamber through each mass flow controller. After the initiation of an arc plasma at 60 A and 1 Pa, the target surface was heated and evaporated by the plasma. Carbon atoms and clusters evaporated from the target were ionized partially and reacted with activated nitrogen species, and a carbon nitride film was deposited onto a Si (100) substrate when we used nitrogen as a reactant gas. The surface of the growing film also reacted with activated nitrogen species. Carbon macropartic1es (0.1 -100 maicro-m) evaporated from the target at the same time were not ionized and did not react fully with nitrogen species. These macroparticles interfered with the formation of the carbon nitride film. Therefore we set a shielding plate made of stainless steel between the target and the substrate to trap the macropartic1es. This shielding method is very effective to prepare smooth a-CN films. We, therefore, call this method "shielded arc ion plating (SAIP)". For the deposition of DLC films we used argon instead of nitrogen. Films of about 150 nm in thickness were deposited onto Si substrates. Their structures, chemical compositions and chemical bonding states were analyzed by using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy. Hardness of the films was measured with a nanointender interfaced with an atomic force microscope (AFM). A Berkovich-type diamond tip whose radius was less than 100 nm was used for the measurement. A force-displacement curve of each film was measured at a peak load force of 250 maicro-N. Load, hold and unload times for each indentation were 2.5, 0 and 2.5 s, respectively. Hardness of each film was determined from five force-displacement curves. Wear resistance of the films was analyzed as follows. First, each film surface was scanned with the diamond tip at a constant load force of 20 maicro-N. The tip scanning was repeated 30 times in a 1 urn-square region with 512 lines at a scanning rate of 2 um/ s. After this tip-scanning, the film surface was observed in the AFM mode at a constant force of 5 maicro-N with the same Berkovich-type tip. The hardness of a-CN films was less dependent on Vs. The hardness of the film deposited at Vs=O V in a nitrogen plasma was about 10 GPa and almost similar to that of Si. It slightly increased to 12 - 15 GPa when a bias voltage of -100 - -500 V was applied to the substrate with showing its maximum at Vs=-300 V. The film deposited at Vs=O V was least wear resistant which was consistent with its lowest hardness. The biased films became more wear resistant. Particularly the film deposited at Vs=-300 V showed remarkable wear resistance. Its wear depth was too shallow to be measured with AFM. On the other hand, the DLC film, deposited at Vs=-l00 V in an argon plasma, whose hardness was 35 GPa was obviously worn under the same wear test conditions. The a-C:N films show higher wear resistance than DLC films and are useful for wear resistant coatings on various mechanical and electronic parts.nic parts.