• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.28.2-28.2
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• 2009

Cobalt thin film was fabricated by a novel NH3-based plasma-enhanced atomic layer deposition(PE-ALD) using Co(CpAMD) precursor and $NH_3$ plasma. The PE-ALD Co thin films were produced well on both thermally grown oxide (100 nm) $SiO_2$ and Si(001) substrates. Chemical bonding states and compositions of PE-ALD Co films were analyzed by XPS and discussed in terms of resistivity and impurity level. Especially, we successfully developed PE-ALD Code position at very low growth temperature condition as low as $T_s=100^{\circ}C$, which enabled the fabrication of Co patterns through lift-off method after the deposition on PR patterned substrate without any thermal degradation.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1236-1239
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• 2005

Aligned carbon nanotubes(CNTs) array were synthesized using DC plasma-enhanced chemical vapor deposition. Silicon substrate Ni-coated of 5nm thickness were pretreated by $NH_3$ gas with a flow rate of 180sccm, for 10min. CNTs were grown on the pretreated substrates at $30%\;C_2H_2:NH_3$ flow ratios for 10min. Carbon nanotubes with diameters from 60 to 80 nanometers and lengths about 2.7 micrometers were obtained. Vertical alignment of carbon nanotubes were observed by FESEM.

• 에너지공학
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• 제8권1호
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• pp.150-158
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• 1999

본 연구는 저온플라즈마를 이용하여 배기가스중의 SOx와 NOx를 동시에 처리하는 공정을 개발하는 것으로서, 최적의 반응제 선정과 효율적인 공정의 구성을 위해 SOx, NOx와 반응제와 반응기구를 밝히고자 하였다. 실험은 1.0 N㎥/h의 모사가스를 이용한 기초실험과 20 N㎥/h의 실제 연소가스를 이용한 실험으로 진행되었으며, 반응제로는 NH3와 파리핀계 및 올레핀계 탄화수소를 사용하였다. NH3를 반응제로 한 SO2 제거반응은 비플라즈마 조건에서는 NH4HSO3, 플라즈마 조건에서는 (NH4)2SO4의 생성반응이었고, 두 조건 모두 높은 제거율을 나타냈다. 반응제를 사용하지 않은 플라즈마 조건에서 SO2는 환원반응이 일어나고 O2 농도의 증가는 역반응을 증가시키는 화학평형에 의해 SO2의 제거율이 감소되었다. 플라즈마 조건에서 NO는 O2농도가 낮은 경우는 NO의 환원반응이 주로 일어나고, O2 농도가 높을 경우는 산화반응이 지배적이었다. 올레핀계 탄화수소는 플라즈마 조건에서 NO 산화 반응에 탁월한 효과를 보였을 뿐만 아니라 SO2 제거에도 효과를 보여 최대 40%의 제거율을 나타냈으며, NH3의 사용을 줄일 수 있음을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권11호
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• pp.1699-1705
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• 1989

Nitridation of about 300\ulcornerSiO2 filmss thermally grown on Si was performed in NH3 plasm ambient (0.2-2 torr) at 900\ulcornerC-1100\ulcorner for 15-20 minutes. The peoperties of those films have been investigated by analyzing the AES and the SIMS data, and the results of the I-V and the C-V measurements. At the plasma ambient of less than 1.5 torr pressure, etching of the films have been shown. Above the 1.5 torr pressure, however, SiO2 films were nitrided as SiIxNy. Plasma thermal nitridation of SiO2 by addition of small amount (6%) of CF4 to the NH3 showed higher pile-up N concentration in the surface region of SiOxNy film. The higher the nitridation temperature is and the longer the nitridation time is the larger the dielectric constant is. The plasma thermal nitridation of silicon dioxide on silicon causes the flat-band voltage shift based on the formation of the positive charge. The conduction mechanism for SiOxNy films could be elucidated by Fowler-Nordheim tnneling model. By SIMS analysis, surface of the film nitrided in plasma process has less contamination than that of the film nitrided in open-tube process.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
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• pp.19.1-19.1
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• 2007

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.76-77
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• 1996

• 환경생물
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• 제32권4호
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• pp.344-352
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• 2014

본 연구에서는 암모니아 노출에 따른 조피볼락의 생리학적 반응을 조사하고자 아가미 $Na^+/K^+$-ATPase (NKA) 활성을 비롯한 혈장 parameters를 분석하였다. 실험구의 암모니아 농도는 대조구(자연해수), 1, 2, 4, $8mg\;L^{-1}$였으며, 조피볼락을 각각의 실험구에 3시간동안 노출한 다음 혈액 및 아가미 조직을 샘플링하였다. 실험구의 암모니아 농도가 높아질수록 혈장 암모니아 농도가 증가하였으며, 아가미 NKA 활성 또한 증가하는 경향을 보였다. 혈장 $Cl^-$를 제외한 외부의 암모니아 영향을 받지 않았으나, 4, $8mg\;L^{-1}$구의 $Na^+$, $K^+$ 및 삼투질농도는 대조구 및 1, $2mg\;L^{-1}$구보다 유의하게 높았다. 암모니아 노출에 따른 조피볼락의 혈장 코티졸은 암모니아 농도와 선형관계를 보였으며, 혈장 글루코스 또한 코티졸과 동반상승하는 것으로 나타났다. 1, $2mg\;L^{-1}$구의 hematocrit는 대조구와 차이를 보이지 않았으나, 4, $8mg\;L^{-1}$구는 나머지 실험구보다 유의하게 높았다. 암모니아 농도가 높을수록 아가미 조직 손상은 심하였으며, 특히 4, $8mg\;L^{-1}$구에서는 상피세포의 과증식, 분리, 괴사 및 2차새변의 곤봉화(club-shaped lamella) 현상이 관찰되었다.

• 한국어류학회지
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• 제29권1호
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• pp.13-21
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• 2017

본 연구는 능성어(Epinephelus septemfasciatus)를 해수 순환여과양식시스템(RAS)에 적용하는데 문제가 되는 암모니아의 농도 기준을 제시하기 위하여 96시간 동안 암모니아 노출에 따른 생존율 및 혈액학적 특성 변화를 조사하였다. 생존율 실험구의 암모니아 농도는 대조구, 0.35, 0.4, 0.5, 0.8 mg/L였으며, 96-h $LC_{50}$ 농도는 0.6 mg/L로 나타났다. 능성어 치어의 암모니아 96-h $LC_{50}$ 농도인 0.6 mg/L에서 0, 3, 6, 12, 24, 48, 72, 96시간 간격으로 12마리씩 혈액 샘플링을 하였다. 실험구의 암모니아 노출 시간이 경과할수록 혈장 코티졸, 글루코스, GOT 및 GPT 농도가 증가하는 경향을 보였다. 혈장 암모니아와 총 단백질은 암모니아 노출 12시간째까지는 증가하였고 이후로는 감소하였지만, 대조구와 비교하여 유의하게 높은 값을 나타내었다. 또한 혈장 전해질이온($Na^+$, $Cl^-$)과 삼투압은 감소하는 경향이 관찰되었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권5호
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• pp.361-366
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• 2001

TiN barrier 막 위에 metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)법으로 Cu막을 증착함에 있어 TiN막 표면을 먼저 세정처리하지 않고 바로 Cu막을 증착하려하면 Cu의 핵생성이 어렵고, 그 결과 연속된 Cu막이 형성되지 못한다. 본 연구에서는 SEM, AES, AFM 등의 분석방법을 사용하여 TiN 막 표면에 대한 플라즈마 전처리 세정이 Cu막의 핵생성에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. Gu의 전처리 세정방법으로는 direct플라즈마 방식이 원거리 플라즈마 방식보다 훨씬 더 효과적이다. 또한 수소플라즈마 전처리 시 rf-power와 플라즈마 조사시간이 증가함에 따라 세정효과는 더 증대된다. 플라즈마 전처리가 Cu의 핵생성을 고양시키는 원리는 다음과 같다. 플라즈마 내의 수소이온이 TiN과 반응하여 $NH_3$가 됨으로서 질소 성분이 제거되어 TiN이 Ti로 환원된다. Cu는 TiN기판보다는 Ti기판상에서 핵생성이 더 잘 되므로 플라즈마 전처리는 Cu의 핵생성을 돕는 효과를 가져온다.

• 한국가스학회지
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• 제26권5호
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• pp.22-27
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• 2022

반도체 생산 설비 중 ALD는 열이나 플라즈마로 분해한 Gas를 Wafer에 증착시켜 원자층을 형성시키는 설비로 주로 인화성 물질인 NH₃와 SIH4이 사용된다. 이중 NH₃는 연소·폭발 범위가 상한(UFL) 33.6%, 하한(LEL) 15%로 폭발 범위가 비교적 좁지만 많은 양이 갑자기 한곳에 모이면 폭발할 수 있고, 피부에 닿거나 흡입하면 치명적이다. NH₃는 ALD Gas inlet의 배관과 전기·기계 기구를 통해 Chamber로 공급되는데 많은 누출 가능점이 존재하여 누출 시 화재·폭발 또는 중독 사고로 이어질 수 있어 NH₃ 누출 시나리오에 대한 내부 유동과 제어 속도를 이해하고 고환기가 가능한 배기장치를 설계하는 것이 필요하여 본 연구자는 NH₃의 누출시나리오를 CFD에 적용하여 내부유동과 제어 속도를 수치 분석하여 설계 시 반영할 수 있도록 하였다.