Film Properties of Tantalum Nitride deposited from Remote Plasma MOCVD using H$_2$and NH$_3$

수소 및 암모니아 Remote Plasma MOCVD 증착법에 의한 Tantalum Nitride 박막의 특성

  • 한창희 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 백수현 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 노경봉 (한양대학교 전자공학과) ;
  • 오재응 (한양대학교 전자공학과) ;
  • 박창수 (삼성전자 메모리연구소) ;
  • 이상인 (삼성전자 메모리연구소) ;
  • 최진석 (삼성전자 메모리연구소) ;
  • 이종길 (삼성전자 메모리연구소)
  • Published : 1996.11.01