• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.317-322
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• 1998

플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 $N_2O$플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. $N_2O$플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다.

• 한국환경농학회지
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• 제8권1호
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• pp.55-59
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• 1989

퇴비중의 정확한 C/N율은 미생물이 이용할 수 있는 탄소와 비로서 결정하여야 하기 때문에 본 시험에서는 일반적으로 C/N율을 결정하기 위하여 사용하는 Kjeldahl방법과 아질산과 질산도 동시에 분석되는 질소 분석방법인 Forster 방법으로 병행하여 질소 함량을 분석하고 이들 함량으로 부터 얻어진 퇴비 중의 C/N율 변화를 조사하였으며 그 결과는 다음과 같다. 1. 퇴비화 기간에 따라 두 질소 분석 방법에서 얻어진 C/N율이 모두 점차 감소하였으며 퇴비화 초기 2주까지 급격히 감소한 후 2주와 6주사이에 약간 증가 내지 일정하게 유지하다가 이후부터 완만하게 감소하는 경향이었다. 2. 퇴비화 기간에 따라 두 질소 분석 방법에서 분석된 퇴비 종류의 질소와 탄소로부터 얻어진 모든 C/N율을 비교할 때 Kjeldahl 방법에 의한 C/N율이 $F{\"{o}}rster$ 방법에 의한 C/N율 보다 높았다. 3. 통상 퇴비 중 C/N율 계산을 위하여 질소 분석 방법으로 사용하는 Kjeldahl 방법에서 얻은 총 질소와 총 탄소로 부터 얻어진 C/N율이 $F{\"{o}}rster$방법에 의한 미생물이 이용할 수 있는 질소와 미생물이 이용할 수 있는 탄소로 부터 얻어진 C/N율보다 C/N율로서 5백분율로 36% 높았다. 4. 총 찬소와 Kjeldahl 방법에 의한 총 질소 간의 C/N율, 미생물이 이용할 수 있는 탄소와 Kjeldahl 방법에 의한 미생물이 이용할 수 있는 질소간의 C/N율, 총 탄소와 $F{\"{o}}rster$ 방법에 의한 총 질소간의 C/N율 및 미생물이 이용할 수 있는 탄소와 $F{\"{o}}rster$ 방법에 의한 미생물이 이용할 수 있는 질소간의 C/N율간에 서로 서로 고도의 유의적인 정(+)의 상관이 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권3호
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• pp.328-334
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• 2001

초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 NO/$N_2$O 질화산화막 및 재산화질화산화막의 특성을 D-SIMS(dynamic secondary ion mass spectrometry), ToF-SIMS(time-of-flight secondary ion mass spectrometry), XPS(x-ray Photoelectron spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2$O 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록 하였다. D-SIMS 분석결과 질소의 중심은 초기산화막 계면에 존재하며 열처리 공정에서 NO에 비해서 $N_2$O의 경우 질소의 분포는 넓게 나타났다. 질화산화막내 존재하는 질소의 상태를 조사하기 위하여 ToF-SIMS 및 XPS 분석을 수행한 결과 SiON, $Si_2$NO의 결합이 주도적이며 D-SIMS에서 조사된 질소의 중심은 SiON 결합에 기인한 것으로 예상된다. 재산화막/실리콘 계면근처에 존재하는 질소는 $Si_2$NO 결합형태로 나타나며 이는 ToF-SIMS로 얻은 SiN 및 $Si_2$NO 결합종의 분포와 일치하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.5485-5491
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• 2015

본 연구의 목적은 MBTI의 인식기능(S/N)과 판단기능(T/F)에 대한 문양역전 시각유발전위(PR-VEP)의 특성을 알아보고자 하는 것이다. 연구 대상자는 20세 이상의 성인남녀 136명을 대상으로 2013년 7월부터 8월까지 2개월 동안 PR-VEP와 MBTI검사를 실시하였다. PR-VEP검사는 32채널 뇌파측정기를 이용하여 O1, O2에서 측정하였고, MBTI검사는 Form-M 온라인검사방법을 이용하였다. 연구결과는 S지표 선호집단에서 PR-VEP의 N75와 P100 사이의 시간간격(Duration)이 5.49 ms 유의미하게 짧았고, F지표 선호집단에서 PR-VEP의 N75가 나타나기까지의 잠복기(Latency)가 O1에서 4.83 ms, O2에서 4.27 ms 유의미하게 짧았다. 이는 S유형과 F유형의 특징이 시각적 인지기능과 관계가 있다는 것을 의미하는 것으로, MBTI의 인식기능/판단기능 각 지표에 대한 뇌과학적 해석을 더할 수 있다는 점이 본 연구가 갖는 의의이다.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.121-126
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• 2003

(N $i_{0.2}$C $u_{0.2}$Z $n_{0.6}$)$_{1.085}$(F $e_2$ $O_3$)$_{0.915}$의 기본 조성에 첨가제 Sn $O_2$, CaO 첨가량과 ferrite의 공정을 변화시켜 시편의 전자기적 특성 및 미세구조를 조사하였다. 첨가제에 따른 입자크기의 변화는 거의 없었다. (N $i_{0.2}$C $u_{0.2}$Z $n_{0.6}$)$_{1.085}$(F $e_2$ $O_3$)$_{0.915}$을 소결시 1300 $^{\circ}C$에서 소결하는 것보다 1150 $^{\circ}C$에서 소결한 소결체의 손실이 더욱 적었다. CaO만 첨가할 때 0.2 wt%가 소결밀도를 크게하여 손실을 줄여주는 첨가제로 사용 가능함을 확인하였다 Sn $O_2$차 Ca $O_2$함께 첨가시 SnO2$_2$ 0.06 wt%, CaO 0.4 wt%가 손실을 크게 줄여 주는 것으로 조사되었다.

• 한국재료학회지
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• 제22권8호
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• pp.439-444
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• 2012

To compare the photocatalytic performances of titania for purification of waste water according to applied voltages and doping, $TiO_2$ films were prepared in a 1.0 M $H_2SO_4$ solution containing $NH_4F$ at different anodic voltages. Chemical bonding states of F-N-codoped $TiO_2$ were analyzed using surface X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The photocatalytic activity of the co-doped $TiO_2$ films was analyzed by the degradation of aniline blue solution. Nanotubes were formed with thicknesses of 200-300 nm for the films anodized at 30 V, but porous morphology was generated with pores of 1-2 ${\mu}m$ for the $TiO_2$ anodized at 180 V. The phenomenon of spark discharge was initiated at about 98 V due to the breakdown of the oxide films in both solutions. XPS analysis revealed the spectra of F1s at 684.3 eV and N1s at 399.8 eV for the $TiO_2$ anodized in the $H_2SO_4-NH_4F$ solution at 180 V, suggesting the incorporation of F and N species during anodization. Dye removal rates for the pure $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 14.0% and 38.9%, respectively, in the photocatalytic degradation test of the aniline blue solution for 200 min irradiation; the rates for the F-N-codoped $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 21.2% and 65.6%, respectively. From the results of diffuse reflectance absorption spectroscopy (DRS), it was found that the absorption edge of the F-N-codoped $TiO_2$ films shifted toward the visible light region up to 412 nm, indicating that the photocatalytic activity of $TiO_2$ is improved by appropriate doping of F and N by the addition of $NH_4F$.

• 한국세라믹학회지
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• 제23권1호
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• pp.44-50
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• 1986

Si-ZnO n-n heterojunction diodes were prespared by r.f diode sputtering of the sintered ZnO target on n-type Si single crystal wafers and their structures and electrical properties were studied. The films were grown orientedly with the c-axis of crystallites perpendicular to the substrate surface at low r.f. powder and grown to polycrystalline films with random orientation at high r. f. powder. The crystallite size increased with the increasing substrate temperture The oriented texture films only were used to prepare the photovoltaic diodes and these didoes showed the photovoltaic effect veing positive of the ZnO side for the photons in the wavelength range of 380-1450nm. The sign reversal of phootovoltage which is the property os isotype heterojunction was not observed because of the degeneration of the ZnO films. The diode showed the forward rectification when it was biased with the ZnO side positive. The current-voltage characteristics exhibited the thermal-current type relationship J∝exp(qV/nkT) with n=1.23 at the low forward bias voltage and the tunnelling-current type relationship J∝exp($\alpha$V) where $\alpha$ was constant independent of temperature at the high forward bias voltage. The crystallite size of ZnO films were influenced largely on the photovoltaic properties of diodes ; The diodes with the films of the larger crystallites showed the poor photovoltaic properties. This reason may be cosidered that the ZnO films with the large crystallites could not grow to the electrically continuous films because the thickness of films was so thin in this experiment.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권2호
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• pp.47-51
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• 2007

저굴절 재료인 F-doped SiOC : H 박막을 Si 웨이퍼와 유리기판위에 rf power, 기판온도, 그리고 가스유량($SiH_4,\;CF_4$ and $N_2O$)을 변수로 하여 PECVD법으로 증착하였다. 기판 온도와 rf power증가에 따라 F-doped SiOC : H 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 보였다. $N_2O$ 가스 유량이 감소함에 따라 증착된 박막의 굴절률은 감소하였으며, rf power가 180W 기판온도 $100^{\circ}C$, 그리고 $N_2O$ 가스를 첨가하지 않은 조건에서 증착한 박막은 최소 굴절률인 1.3778을 갖는 것을 알 수 있었다. Rf power 60W에서 180W로 증가시킴에 따라 증착된 박막의 불소 함량은 1.9at%에서 2.4at%로 증가하였으며 이러한 이유로 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 나타냈다.

• East Asian mathematical journal
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• 제5권1호
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• pp.1-23
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• 1989

Let $S_p*({\alpha},{\beta},{\mu})$ denote the class of functions $f(z)=z^p-{\sum}{\limit}^{\infty}_{n=1}a_{p+n}\;z^{p+n}(a_{p+n}{\geq}o,\;p{\in}N)$ analytic and p-valent in the unit disc $U=\{z:{\mid}z{\mid}<1\}$ and satisfy the condition $${\mid}\frac{\frac{zf'(z)}{f(z)}-p}{\mu\frac{zf'(z)}{f(z)}+p-(1+\mu)\alpha}\mid<\beta,\;z{\in}U$$, where $o{\leq}{\alpha} and $o\leq\mu\leq1$. Further f(z) is said to belong to the class $C_p*({\alpha},{\beta},{\mu})\;if\;zf'(z)/p{\in}S_p*(\alpha,\beta,\mu)$. In this paper we obtain for these classes sharp results concerning coefficient estimates, disortion theorems, closure theorems, Hadamard products and some distortion theorems for the fractional calculus.

• 한국결정학회지
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• 제6권1호
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• pp.27-35
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• 1995

1-tert-butoxycarbonyl-4-[N-(tert-butoxycarbonyl)-N-(ethoxycarbonylmethyl)amino]-3-phenylsulfonylpyrrolidind [C24H36O8N2S;이하 BEP]의 분자 및 결정구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정의 분자는 C24H36O8N2S, 삼사정계이고 공간군은 P1이다. 단위세포 길이는 a=11.363(8)Å, b=11.589(6)Å, c=11.013(10)Å,α=95.32(6)°,β=98.64(7)°,γ=79.57(5)°,V=1406.8(18)Å3, t=293K, Z=2이다. 구조해석에 사용한 X-선은 CuKα선(λ=1.5418Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 신뢰도 R값은 F≥4 σ(F)인 3621개의 회절반점에 대하여 R=9.78% 이었다.