• 제목/요약/키워드: N-Stack

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자성 메모리의 적용을 위한 나노미터 크기로 패턴된 Magnetic Tunnel Junction의 식각 특성 (Etch Characteristics of Magnetic Tunnel Junction Stack Patterned with Nanometer Size for Magnetic Random Access Memory)

  • 박익현;이장우;정지원
    • 공업화학
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    • 제16권6호
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    • pp.853-856
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    • 2005
  • 자성 메모리반도체의 핵심 소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack에 대한 고밀도 유도결합 플라즈마 반응성 식각이 연구되었다. MTJ stack은 electron(e)-beam lithography 공정을 사용하여 나노미터 크기의 패턴 형성이 되었으며 식각을 위한 하드 마스크(hard mask)로서 TiN 박막이 이용되었다. TiN 박막은 Ar, $Cl_2/Ar$, 그리고 $SF_6/Ar$들의 가스를 사용하여 식각공정이 연구되었다. E-beam lithography로 패턴된 TiN/MTJ stack은 첫 번째 단계로 TiN 하드 마스크가 식각되고 두 번째로 MTJ stack이 식각되어 완성되었다. MTJ stack은 Ar, $Cl_2/Ar$, $BCl_3/Ar$을 이용하여 식각되었으며 각각의 가스농도와 가스 압력을 변화시켜 MTJ stack의 식각특성이 조사되었다.

N형 양면 수광 태양전지를 위한 레이저 공정의 후면 패시베이션 적층 구조 영향성 (Effect of Laser Ablation on Rear Passivation Stack for N-type Bifacial Solar Cell Application)

  • 김기륜;장효식
    • 한국재료학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.262-266
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    • 2020
  • In this paper, we investigated the effect of the passivation stack with Al2O3, hydrogenated silicon nitride (SiNx:H) stack and Al2O3, silicon oxynitride (SiONx) stack in the n type bifacial solar cell on monocrystalline silicon. SiNx:H and SiONx films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on the Al2O3 thin film deposited by thermal atomic layer deposition. We focus on passivation properties of the two stack structure after laser ablation process in order to improve bifaciality of the cell. Our results showed SiNx:H with Al2O3 stack is 10 mV higher in implied open circuit voltage and 60 ㎲ higher in minority carrier lifetime than SiONx with Al2O3 stack at Ni silicide formation temperature for 1.8% open area ratio. This can be explained by hydrogen passivation at the Al2O3/Si interface and Al2O3 layer of laser damaged area during annealing.

향상된 전기적 특성을 지닌 LVTSCR 기반의 N-Stack ESD 보호소자에 관한 연구 (A Study on LVTSCR-Based N-Stack ESD Protection Device with Improved Electrical Characteristics)

  • 진승후;우제욱;정장한;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.168-173
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    • 2021
  • 본 논문에서는 일반적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 구조적 변경을 통해 향상된 전기적 특성을 달성한 새로운 구조의 ESD 보호소자를 제안한다. 또한 요구되는 전압 Application에 따른 ESD Design Window에 최적화된 설계를 위하여 N-Stack 기술을 적용한다. 기존의 LVTSCR 구조에 추가로 삽입된 N-Well 영역은 Anode와 전기적으로 연결함으로써 추가적인 ESD 방전경로를 제공하고 이는 온-저항 및 온도 특성을 향상시킨다. 또한 짧은 Trigger 경로는 기존의 LVTSCR보다 더 낮은 Trigger Voltage 가지므로 우수한 Snapback 특성을 지닌다. 그리고 제안된 ESD 보호소자의 전기적 특성을 검증하기 위해 Synopsys 사의 T-CAD Simulator을 이용하였다.

TiN이 코팅된 316 스테인리스강 분리판을 이용한 1 kW 급 고분자전해질 연료전지 스택의 운전특성 (Performance of a 1 kW PEMFC Stack Using the TiN-Coated 316 Stainless Steel Bipolar Piates)

  • 전의식;조은애;하흥용;홍성안;오인환
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제15권1호
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    • pp.39-45
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    • 2004
  • A 12-cell PEMFC stack was fabricated using the TiN-coated 316 stainless steel bipolar plates as substitute for the expensive and brittle graphite bipolar plates. Open cirtuit voltage and the maximum power of the stack was 12.08 V and 1.197 kW (199.5 A @ 6 V), respectively. Volumetric and gravimetric power density of the stack was calculated to be 373 W/L and 168 W/kg, respectively. Performance of each cell was quite uniform initially while degraded at a singnificantly different rate. During the 1,000 hr-operation at a constant load of 48 A, stack voltage decreased from 9.0 to 7.98 V at a degradation rate of 11 %/1,000 hr. However, degradation rate of each cell was in the wide rage from 1.2 to 31 %/1,000 hr.

Series Connected-NPN 및 N-Stack기술 적용을 통하여 높은 홀딩전압특성을 갖는 새로운 구조의 SCR에 관한 연구 (A Study on SCR of New Structure with High Holding Voltage Characteristics by Applying Series Connected-NPN and N-Stack Technology)

  • 서정주;권상욱;도경일;이병석;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권1호
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    • pp.338-341
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    • 2019
  • 본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 특성을 향상시킨 새로운 구조의 ESD소자를 제안하고 특정 application의 각 요구전압에 최적화된 설계를 위한 N-stack 기술에 대하여 검증한다. 주요 파라미터인 홀딩전압과 트리거전압에 대하여 특성을 파악하고 감내특성의 지표인 온도특성 또한 검증한다. well영역의 추가구성과 기생 npn BJT를 추가로 직렬 연결된 구조를 형성하여 보다 향상된 전기적 특성을 갖는다. 특성 검증을 위해 synopsys 사의 T-cad simulation tool을 이용하였다.

향상된 감내특성을 갖는 PMOS 삽입형 고전압용 ESD 보호회로에 관한 연구 (A Study on PMOS Embedded ESD Protection circuit with Improved Robustness for High Voltage Applications.)

  • 박종준
    • 전기전자학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.234-239
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    • 2017
  • 본 논문에서는 PMOS 구조를 삽입한 새로운 구조의 SCR(Silicon Controlled Rectifier)기반 ESD(Electrostatic Discharge) 보호소자를 제안한다. 제안된 ESD 보호회로는 내부에 PMOS가 추가적으로 형성된 구조적 특징을 지니며, Latch-up 면역 특성과 향상된 감내특성을 갖는다. TCAD 시뮬레이션을 이용하여 기존의 ESD 보호회로와 특성을 비교 분석하였다. 시뮬레이션 분석 결과, 제안된 보호 ESD 보호회로는 기존 SCR 기반 ESD 보호소자 HHVSCR(High Holding Voltage SCR)과 같은 우수한 Latch-up 면역 특성을 지닌다. 또한 HBM(Human Body Model) 최대온도 테스트 결과에 따르면, 제안된 ESD 보호회로는 355K의 최대온도 수치를 가지며, 이는 기존 HHVSCR의 373K와 비교하여 대략 20K가량 낮은 온도특성으로, 더욱 향상된 감내특성을 갖는 것으로 확인되었다. 제안된 ESD 보호소자는 N-STACK 기술을 적용하여 설계하여 전압별 적용이 가능함을 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. 시뮬레이터로 시뮬레이션을 해본 결과, 제안된 ESD 보호회로는 단일 구조에서 2.5V의 홀딩전압 특성을 지니며, N배수의 증배에 따라 2-STACK 4.2V, 3-STACK 6.3V, 4-STACK 9.1V로 증가된 홀딩전압을 갖는 것을 확인하였다.

Parallel PNP 및 N+ drift가 삽입된 높은 홀딩전압특성을 갖는 ESD보호회로에 관한 연구 (A Study on ESD Protection Circuit with High Holding Voltage with Parallel PNP and N+ difrt inserted)

  • 곽재창
    • 전기전자학회논문지
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    • 제24권3호
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    • pp.890-894
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    • 2020
  • 본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 구조적 변화를 통해 높은 홀딩전압 특성을 가지는 ESD 보호소자를 제안한다. 제안된 ESD 보호소자는 병렬 PNP path와 긴 N+ drift 영역을 삽입하여 기존의 LVTSCR보다 높은 홀딩전압을 가지며, 일반적인 SCR 기반 ESD보호소자의 단점인 Latch-up 면역특성을 향상시킨다. 또한 기생 BJT들의 유효 베이스 폭을 설계변수로 설정하였으며, N-Stack 기술을 적용하여 요구되는 application에 적용할 수 있도록 시놉시스사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 제안된 ESD 보호소자의 전기적 특성을 검증하였다.

오픈스택 기반 클라우드 시스템의 구축 검증 도구 (Development of a Testing Tool to Validate Integrity of a Constructed Cloud System based on OpenStack)

  • 손석호;강동재
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제20권12호
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    • pp.658-663
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    • 2014
  • OpenStack과 같이 오픈 소스 기반의 클라우드 컴퓨팅 관리 플랫폼 (Cloud Management Platform) 의 빠른 구현으로 인하여, 오픈 소스를 이용한 개인 및 기관의 클라우드 구축 시도가 지속적으로 증가되는 추세이다. 이러한 클라우드 운영자들에게, 구축한 클라우드 컴퓨팅 시스템의 동작 검증은 필수적이다. 본 논문은 클라우드 시스템 구축 검증하기 위한 오픈 소스 기반의 클라우드 테스트 도구를 디자인하며 구현한다. 특히, 제안된 테스트 도구는 오픈 소스 소프트웨어 프로젝트인 Tempest를 활용하며, Tempest의 테스트 케이스를 통해서 OpenStack기반의 클라우드를 검증한다. 제안된 소프트웨어는 국내에서 처음으로 개발되는 클라우드 시스템 구축 테스트 도구의 프로토타입이며, 앞으로 클라우드 기술 개발 및 사용자 확대에 기여할 것으로 예상된다.

Design and Implementation of MEARN Stack-based Real-time Digital Signage System

  • Khue, Trinh Duy;Nguyen, Thanh Binh;Jang, UkJIn;Kim, Chanbin;Chung, Sun-Tae
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제20권5호
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    • pp.808-826
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    • 2017
  • Most of conventional DSS's(Digital Signage Systems) have been built based on LAMP framework. Recent researches have shown that MEAN or MERN stack framework is simpler, more flexible, faster and more suitable for web-based application than LAMP stack framework. In this paper, we propose a design and implementation of MEARN (ME(A+R)N) stack-based real-time digital signage system, MR-DSS, which supports handing real-time tasks like urgent/instant messaging, system status monitoring and so on, efficiently in addition to conventional digital signage CMS service tasks. MR-DSCMS, CMS of MR-DSS, is designed to provide most of its normal services by REST APIs and real-time services like urgent/instant messaging by Socket.IO base under MEARN stack environment. In addition to architecture description of components composing MR-DSS, design and implementation issues are clarified in more detail. Through experimental testing, it is shown that 1) MR-DSS works functionally well, 2) the networking load performance of MR-DSCMS's REST APIs is better compared to a well-known open source Xibo CMS, and 3) real-time messaging via Socket.IO works much faster than REST APIs.

MCC 및 CCC에서의 최적 스택 필터를 위한 병렬 알고리즘 (Parallel Algorithm for Optimal Stack Filters on MCC and CCC)

  • 전병문;정창성
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제26권10호
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    • pp.1185-1193
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    • 1999
  • 최적 스택 필터는 시그널 또는 영상의 임의의 특성 정보를 보존하고자 하는 요구조건에 의해 강제된 구조적 제약 하에서 최대의 잡음제거 효과를 얻을 수 있다. 그리고 임계치 분할 특성과 양의 부울 함수에 기반한 이진 영역에서의 처리 특성은 이 필터가 높은 병렬성을 갖고 있음을 보여준다. 본 논문에서는 두 개의 병렬 계산 모델 MCC(Mesh-Connected Computer)와 CCC(Cube-Connected Computer)에서 최적 스택 필터를 위한 1차원 병렬 알고리즘을 개발한다. 최적 스택 필터의 실행 시간은 주로 이진 median 연산에 의해 결정되고 본 논문에서 제안된 알고리즘은 선형 분리성에 의해 이 연산을 구현한다. 이를 바탕으로, M 레벨의 1-D 시그널의 길이가 L이고 윈도우 폭이 N이라고 가정할 때, 제안된 알고리즘은 {{{{root M times root M`` MCC에서 O(L sqrt{M}`) 시간에 그리고 M 개의 PE를 갖는 CCC에서 O(L log M)시간에 수행될 수 있다. 또한 잡음을 더욱 효과적으로 제거하기 위해 윈도우 폭 N을 증가시킬 때, 제안된 병렬 알고리즘의 계산 시간은 일정하게 유지됨을 보인다.Abstract An optimal stack filter achieves the maximum noise attenuation under the structural constraints imposed by the requirement of preserving certain signal or image features. And the filter provides a high parallelism due to the principles of threshold decomposition and binary processing based on positive Boolean functions(PBFs). In this paper, we develop an one-dimensional parallel algorithm for the optimal stack filter on two parallel computation models, MCC(Mesh-Connected Computer) and CCC(Cube-Connected Computer). The running time of the optimal stack filter depends mainly on the binary median operation and our algorithm realizes this operation by the linear separability. Based on this scheme, our parallel algorithm can be performed in {{{{O(L sqrt{M}`) MCC and inO(L log M) time on CCC with M PEs, when the length of M``-valued 1-D signal is L`` and window width is N`` Also, we show that the computation time of our parallel algorithm keeps constant when the window width N increases in order to achieve the best noise attenuation.