• 제목/요약/키워드: Multiple ring

검색결과 182건 처리시간 0.051초

대칭차집합이 가지는 중요성에 관한 고찰 (A Study on Significance of Symmetric Difference)

  • 김부윤;황종철;김소영;정영우
    • 한국수학교육학회지시리즈A:수학교육
    • /
    • 제49권4호
    • /
    • pp.489-500
    • /
    • 2010
  • This study makes clear justification of contents of set in secondary school through the scientific consideration and contents consideration of curriculum about two points - lattice and ring - of set deal with 'number and operation'. In this process, we make clear the greatest common divisor, the least common multiple and operation of set, especially the meaning of symmetric difference, we suggest direction about constitution of contents of set in secondary school. This study helps to raise the specificity on the elements of textbook and presents the first step about the range of teaching in a construct of curriculum.

동심원 배열 안테나를 적용한 캐스케이드 도래각 추정 성능분석 (Performance Analysis of Cascade AOA Estimator with Concentric Ring Array Antenna)

  • 김태윤;황석승
    • 한국전자통신학회논문지
    • /
    • 제15권5호
    • /
    • pp.849-856
    • /
    • 2020
  • 배열 안테나 수신기에서 도래각(Angle of Arrival : AOA) 정보는 다양한 상황에서 특정 신호의 위치추정 및 효율적인 신호 획득을 위한 주요한 요소 중 하나이다. 위성망을 통한 도래각 추정은 위성에 탑재된 평면(격자형, 원형) 배열 안테나를 이용하여 빠르게 넓은 지역의 도래각 정보를 획득할 수 있다는 장점을 가진다. 위성 환경에서는 배열 안테나의 크기에 제약이 있어, 다수개의 안테나 요소를 사용하면서 전체 크기가 작은 동심원 배열 (CCA : Concentric Circular Array or CRA : Concentric Ring Array) 안테나 구조가 단일 원형 배열(UCA : Uniform Circular Array) 안테나 구조에 비해 효율적이다. 본 논문은 동심원 배열 안테나를 적용한 CAPON과 Beamspace MUSIC으로 구성된 캐스케이드 도래각 추정 알고리즘을 소개한다. 또한, 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 제시된 알고리즘에 대한 성능평가를 실시하고, 단일 원형 배열 안테나의 경우와 비교/분석한다.

8인치 Si Power MOSFET Field Ring 영역의 도핑농도 변화에 따른 전기적 특성 비교에 관한 연구 (Characterization and Comparison of Doping Concentration in Field Ring Area for Commercial Vertical MOSFET on 8" Si Wafer)

  • 김권제;강예환;권영수
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제26권4호
    • /
    • pp.271-274
    • /
    • 2013
  • Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor's (MOSFETs) are well known for superior switching speed, and they require very little gate drive power because of the insulated gate. In these respects, power MOSFETs approach the characteristics of an "ideal switch". The main drawback is on-resistance RDS(on) and its strong positive temperature coefficient. While this process has been driven by market place competition with operating parameters determined by products, manufacturing technology innovations that have not necessarily followed such a consistent path have enabled it. This treatise briefly examines metal oxide semiconductor (MOS) device characteristics and elucidates important future issues which semiconductor technologists face as they attempt to continue the rate of progress to the identified terminus of the technology shrink path in about 2020. We could find at the electrical property as variation p base dose. Ultimately, its ON state voltage drop was enhanced also shrink chip size. To obtain an optimized parameter and design, we have simulated over 500 V Field ring using 8 Field rings. Field ring width was $3{\mu}m$ and P base dose was $1e15cm^2$. Also the numerical multiple $2.52cm^2$ was obtained which indicates the doping limit of the original device. We have simulated diffusion condition was split from $1,150^{\circ}C$ to $1,200^{\circ}C$. And then $1,150^{\circ}C$ diffusion time was best condition for break down voltage.

Edge Node간 단일 홉을 갖는 다중링 기반의 광네트워크 구성 및 특성 (Architecture and Characteristics of Multi-Ring based Optical Network with Single-Hop between Edge Nodes)

  • 이상화;이희상;한치문
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제41권6호
    • /
    • pp.69-78
    • /
    • 2004
  • 최근 WDM 기술을 적용한 광네트워크에서 중계 노드로 광크로스커넥터를 적용함으로써, 중계 노드에서 트래픽 병목 현상에 의해 지연이 발생하고 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위한 방안으로 EN(Edge Node)간 단일 홉을 갖는 다중링 유형의 다파장 레이블 기반의 광패킷 네트워크 구조를 제안하였다. 제안한 방식에서 이용되는 광패킷 구성 방법과 다파장 레이블을 이용하여 다중링 기반의 광네트워크를 구성 할 경우, 단일 Optical 대역과 다중 Optical 대역을 이용하여 구성 가능함을 제시하고, 두 방식의 특성을 비교 분석하였다. 이때, EN의 출력에서 광패킷 충돌이 발생하여 광패킷 손실이 발생하는데 이 문제를 해결하기 위해 광패킷을 정적 및 동적으로 타임 슬롯에 할당하는 방안을 제시함으로써 패킷 충돌 회피가 가능함을 분명히 하였다. 그리고 제안한 방식에서 지연은 EN에서만 발생하므로 CN(Core Node)에 의한 지연은 발생하지 않는다. 따라서 본 방식에서 제안한 광네트워크에 대해 EN의 패킷 손실 특성과 호손율, 지연 특성을 분석하고, 본 방식의 우수성과 실현 가능성을 나타냈다.

고 출력 응용을 위한 2개의 전송영점을 가지는 최소화된 SOI CMOS 가변 대역 통과 여파기 (SOI CMOS Miniaturized Tunable Bandpass Filter with Two Transmission zeros for High Power Application)

  • 임도경;임동구
    • 전자공학회논문지
    • /
    • 제50권1호
    • /
    • pp.174-179
    • /
    • 2013
  • 이 논문에서는 multiple split ring resonator(MSRRs)와 로딩된 스위치드 제어부를 이용하여 2개의 전송영점을 가지는 대역통과 여파기를 설계하였다. 높은 선택도와 칩 사이즈의 초소형화를 위해 비대칭의 급전 선로를 도입하여 통과 대역 주위에 위치한 전송 영점 쌍을 생성하였다. Cross coupling 또는 source-load coupling 방식을 이용한 기존의 여파기와 비교해보면 이 논문에서 제안된 여파기는 단지 2개의 공진기만으로 전송 영점을 생성하여 높은 선택도를 얻었다. 여파기의 선택도와 민감도(삽입 손실)를 최적화하기 위해 비대칭 급전 선로의 위치에 따른 전송 영점과 삽입손실의 관계를 분석하였다. 통과 대역 주파수의 가변과 30dBm 정도의 고 출력 신호를 처리하기 위해 MSRRs의 최 외각 링에 MIM 커패시터와 stacked-FET으로 구성된 SOI-CMOS 스위치드 제어부가 로딩되어 있다. 스위칭 트랜지스터의 전원을 켜고 끔으로써 통과 대역 주파수를 4GHz로부터 5GHz까지 이동시킬 수 있다. 제안된 칩 여파기는 0.18-${\mu}m$ SOI CMOS 기술을 이용함으로써 높은 Q를 가지는 수동 소자와 stacked-FET의 집적을 가능하게 만들었다. 설계된 여파기는 $4mm{\times}2mm$ ($0.177{\lambda}g{\times}0.088{\lambda}g$)의 초소형화 된 크기를 가진다. 여기서 ${\lambda}g$는 중심 주파수에서의 $50{\Omega}$ 마이크로스트립 선로의 관내 파장을 나타낸다. 측정된 삽입손실(S21)은 5.4GHz, 4.5GHz에서 각 각 5.1dB, 6.9dB를 나타내었다. 설계된 여파기는 중심 주파수로부터 500MHz의 오프셋에서 20dB이상의 대역외 저지 특성을 나타내었다.

노드 이중화를 위한 이중 프로세스 선형 보호 절체 방법 (Dual Process Linear Protection Switching Method Supporting Node Redundancy)

  • 김대업;김병철;이재용
    • 전자공학회논문지
    • /
    • 제53권9호
    • /
    • pp.26-37
    • /
    • 2016
  • 현재 전달망의 핵심기술은 링크 또는 노드 장애가 발생했을 경우에 경로 이중화를 통해 50ms이내에 망을 복구하는 OAM 및 보호절체 기술이다. 개별 통신사업자, 지방/중앙 정부, 중요 기업의 전달 망은 장애에 대한 실시간 망 복구를 위해 보호 서브네트워크를 개별적으로 설정, 관리되고 있다. 그래서 개별 보호 서브네트워크의 종단 노드에 대해 노드 이중화를 적용하여 종단 노드 장애에 대해 대비하는 것이 중요하다. 하지만 MPLS-TP, 캐리어 이더넷과 같은 패킷 전달망에서 선형 보호절체가 적용되는 보호 서브네트워크는 이중 노드 상호 연결 방안이 존재하지 않는다. 비록 이더넷 링 보호절체는 이중 노드 상호 연결방안을 포함하고 있지만 이더넷 링 보호절체의 기술적 특성상 연결 노드에서 장애가 발생하면 전이 트래픽이 급격하게 증가될 수 있다. 본 논문에서는 보호 서브네트워크에서 연결 노드 이중화를 위한 선형 보호절체 적용 방안을 제시한다. 그리고 링크와 상호 연결 노드의 장애에 대한 여러 실험을 통해 제안된 선형 보호와 링 보호 프로세스의 다양한 조합이 어떻게 다중 보호 서브네트워크에서 서비스 트래픽의 복구 탄력성에 영향을 미치는 지를 분석한다.

음장 제어의 이론과 그 적용 (Sound manipulation: Theory and Applications)

  • 김양한
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국소음진동공학회 2008년도 춘계학술대회논문집
    • /
    • pp.468-471
    • /
    • 2008
  • Sound manipulation is to control sound field using multiple sound sources for appropriate purposes. In linear acoustics, a sound can be constructed by superimposing several fundamental sound fields such as a planewave and sphere shape sound field. That is how we manipulate sound field. In this paper, we introduce the theory of sound manipulation and its applications from the examples of the generation of fundamental sound field: a circle, a ring shape sound field and a planewave field.

  • PDF

WDM/SCM-FTTH 가입자망에서 효율적인 대역할당을 위한 프로토콜 (Simple Protocol for Dynamic Bandwidth Allocation in WDM/SCM-FTTH Access Network)

  • 조충건;박혁규;김영철;강동국;안계현;김영천
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
    • /
    • pp.73-76
    • /
    • 2003
  • The capacity of backbone networks has largely kept pace with the tremendous of growth of Internet traffic. But there has been little progress in the access networks. In this paper, we introduce the access network that is able to offers high bandwidth and its simple protocol. The network architecture is basically multiple ring and use WDM(Wavelength Division Multiplexing), SCM (SubCarrier Multiplexing), and static WADM (Wavelenth Add/Drop Multiplexer) for simplicity, low cost, and offering high bandwidth.

  • PDF

고온초전도 박막을 이용한 마이크로스트립 대역통과 필터의 제작 (Fabrication of Microstrip Band-Pass Filter using HTS Thin Film)

  • 허원일;정동철;김민기;임성훈;한병성
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.389-392
    • /
    • 1996
  • The recent development of high temperature superconducting epitaxial thin film offer great potential for planar passive microwave application such as ring resonator, filters, transmission lines, and antennas. This paper describes the fundamental properties of Microstrip Band-Pass Filter using HTS Thin Film and its application to microwave devices. In order to fabricate HTS microstrip multiple filters, We have grown laser ablated HTS thin films, patterned by photolithographic process and wet etching processes intro HTS microwave devices.

  • PDF