• 한국자기학회지
• /
• 제11권2호
• /
• pp.45-49
• /
• 2001

RF 마그네트론 스퍼터링으로 제조한 Fe/CoNbZr 다층박막의 구조 및 열처리 조건에 따르는 고주파 연자기 특성을 연구하였다. Fe층의 두께가 5nm일 때 1.1Oe의 최소보자력을 얻었으며, Fe층의 두께가 15nm일 때 100Mz에서 2300의 최대 투자율을 얻었으며, 약 20 kG의 높은 포화자화를 얻었다. Fe층의 두께가 증가함에 따라 보자력이 증가하는 것은 결정립 크기에 의한 것이며, Fe층의 두께가 얇을 경우 계면에서의 CoFe과 같은 높은 자기변형의 혼합층 형성으로 인해 투자율이 감소한 것으로 판단된다. 300 $^{\circ}C$에서 40분간 일축자장 열처리를 행하여서 보자력 0.35 Oe, 투자율 2500을 얻었다. 또한 250및 30$0^{\circ}C$ 열처리에서만 연자기 특성이 향상되었다. 이는 최적의 Fe의 격자변형과 일측 이방성의 발달로 자기이방성에너지의 감소에 의한 것으로 판단된다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
• /
• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
• /
• pp.73-77
• /
• 2002

n형 SiC를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(Rs), 접촉저항(Rc), 이동거리(L$_{T}$), 패드간거리(d), 저항(R$_{T}$)값을 구하면 접합비 저항(Pc) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2$\Omega$이었고, 이동간 거리는 1$\mu\textrm{m}$이었으며 접합비저항($\rho$c)=1.0x$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.있었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
• /
• 제14권1호
• /
• pp.1-8
• /
• 2014

A differential-cascode CMOS power amplifier (PA) with a supply modulator for envelope tracking (ET) has been implemented by 0.18 ${\mu}m$ RF CMOS technology. The loss at the output is minimized by implementing the output transformer on a FR-4 printed circuit board (PCB). The CMOS PA utilizes the $2^{nd}$ harmonic short at the input to enhance the linearity. The measurement was done by the 10MHz bandwidth 16QAM 6.88 dB peak-to-average power ratio long-term evolution (LTE) signal at 1.85 GHz. The ET operation of the CMOS PA with the supply modulator enhances the power-added efficiency (PAE) by 2.5, to 10% over the stand-alone CMOS PA for the LTE signal. The ET PA achieves a PAE of 36.5% and an $ACLR_{E-UTRA}$ of -32.7 dBc at an average output power of 27 dBm.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제7권2호
• /
• pp.98-101
• /
• 2007

A fully integrated 5-GHz CMOS power amplifier for IEEE 802.11a WLAN applications is implemented using $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. An on-chip transmission-line transformer is used for output matching network and voltage combining. Input balun, inter-stage matching components, output transmission line transformer and RF chokes are fully integrated in the designed amplifier so that no external components are required. The power amplifier occupies a total area of $1.7mm{\times}1.2mm$. At a 3.3-V supply voltage, the amplifier exhibits a 22.6-dBm output 1-dB compression point, 23.8-dBm saturated output power, 25-dB power gain. The measured power added efficiency (PAE) is 20.1 % at max. peak, 18.8% at P1dB. When 54 Mbps/64 QAM OFDM signal is applied, the PA delivers 12dBm of average power at the EVM of -25dB.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제7권1호
• /
• pp.81-85
• /
• 2012

This paper presents a wideband and low-noise direct conversion front-end receiver supporting VHF and UHFbands simultaneously. The receiver iscomposed of a low-noise amplifier (LNA), a down conversion quadrature mixer, and a frequency divider by 2. The cascode configuration with the resistor feedback is exploited in the LNA to achieve a wide operating bandwidth. Four gainstep modesare employed using a switched resistor bank and a capacitor bank in the signal path to cope with wide dynamic input power range. The verticalbipolar junction transistors are used as the switching elements in the mixer to reduce 1/f noise corner frequency. The proposed front-end receiver fabricated in 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology shows very low minimum noise figureof 1.8 dB and third order input intercept pointof -12dBm inthe high-gain mode of 26.5 dBmeasured at 500 MHz.The proposed receiverconsumeslow current of 20 mA from a 1.8 V power supply.

• 대한의생명과학회지
• /
• 제29권1호
• /
• pp.26-33
• /
• 2023

Ziziphus jujuba Mill. (ZJM), a traditional folk medicine and functional food in South Korea and China, has been reported to having pharmacological activities against anti-cancer, anti-oxidative, and anti-obesity. However, the effect of ZJM related to myoblast differentiation has not been known. In this study, we investigated the effects and mechanism of ZJM on myogenic differentiation of C2C12 cells. ZJM promotes myogenic differentiation and elevates the formation of multinucleated myotube compared to the control group. ZJM significantly increased the mRNA and protein expression of MyHC1, myogenin and MyoD in dose- and time-dependent manner. Interestingly, ZJM significantly inhibited the mRNA and protein expression of protein degradation markers, atrogin-1 and MuRF-1, in dose- and time-dependent manner. Taken together, our data suggest that ZJM is a potential functional candidate for muscle growth and strength by promoting myogenic differentiation.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제6권6호
• /
• pp.817-823
• /
• 2011

This paper introduces an efficient voltage multiplier circuit for improved voltage gain and power efficiency of radio frequency identification (RFID) tags. The multiplier is fully integratable and takes advantage of both passive and active circuits to reduce the required input power while yielding the desired DC voltage. A six-stage voltage multiplier and an ultralow power voltage regulator are designed in a 0.13 ${\mu}m$ complementary metal-oxide semiconductor process for 2.45 GHz RFID applications. The minimum required input power for a 1.2 V supply voltage in the case of a 50 ${\Omega}$ antenna is -20.45 dBm. The efficiency is 15.95% for a 1 $M{\Omega}$ load. The regulator consumes 129 nW DC power and maintains the reference voltage in a 1.1% range with $V_{dd}$ varying from 0.8 to 2 V. The power supply noise rejection of the regulator is 42 dB near a 2.45 GHz frequency and performs better than -32 dB from 100 Hz to 10 GHz frequencies.

• 한국재료학회지
• /
• 제7권12호
• /
• pp.1047-1051
• /
• 1997

CH$_{4}$와 H$_{2}$의 혼합가스에 미량의 질소와 산소를 첨가하여 rf-플라즈마 CVD법으로 DLC막을 합성하였다. 이 때 챔버내 압력은 430mtorr, 기판에 인가된 전력은 80W였으며, H$_{2}$와 CH$_{4}$의 비율은 1:1이었다. 이 시편들에 대해 가시광선 영역과 자외선 영역에서의 투과도를 비교하였으며, 결합구조의 변화를 알아보기 위하여 FTIR 분석을 실시하였다. 질소의 경우 첨가량이 6.3%에서 17.4%으로 증가됨에 따라 전체적인 투과도값이 증가하였으며, FRIR 분석결과 wavenumber 3500 $cm^{-1}$ /의 위치에 N-H stretching band가 나타나고 2300$cm^{-1}$ /에는 nitrile의 피크가 나타났다. 이 피크들의 존재는 질소의 첨가에 의하여 interlink를 감소시킴으로써 막의 잔류응력을 현저히 감소시킬 수 있음을 의미한다. 2% $O_{2}$를 첨가한 경우 막의 투과도는 질소를 첨가한 경우보다 월등히 더 향상되었다. 질소첨가량을 증가시킴에 따라 optical band gap또한 증가되는 경향을 보였으며, 2% $O_{2}$를 첨가하였을 때 막의 optical band gap은 0.5까지 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.21-24
• /
• 1997

Ferroeletric LiNbO$_3$ thin films hale been prepared directly on Si(100) substrates by conventional RF magnetron spurttering system for nonvolatile memory applications. As-deposited films were performed RTA(Rapid Thermal Annealing) treatment in an oxygen atmosphere at 600 $^{\circ}C$ for 60 s. The rapid thermal annealed films were changed to poly-crystalline ferroelectric nature from amorphous of as-deposition. The resistivity of the ferroelectric LiNbO$_3$ film was increased from a typical vague of 1~2$\times$10$^{8}$ $\Omega$.cm before the annealing to about 1$\times$10$^{13}$ $\Omega$.cm at 500 kV/cm and reduce the interface state density of the LiNbO$_3$/Si(100) interface to about 1$\times$10$^{11}$ cm$^2$ . eV. Ferroelectric hysteresis measurements using a Sawyer-Tower circuit yielded remanent polarization (Pr) and coercive field (Ec) values of about 1.2 $\mu$C/cm$^2$ and 120 kV/cm, respectively.

• 한국재료학회지
• /
• 제10권10호
• /
• pp.709-714
• /
• 2000

SAW 소자에 응용 가능한 자성박막재의 개발을 목적으로 RF 스퍼터링법으로 증착한 (Fe(sub)0.6Co(sub)0.4)(sub)89Zr(sub)11/Fe(sub)1-xCo(sub)x)Zr(sub)11(x=0, 0.6, 0.9)<원문잠조> 비정질 다층박막의 자기특성을 조사하였다. 수직자기장중열처리를 행하였을 때 상온에서 비자성 Fe(sub)89Zr(sub)11 층의 삽입에서만 다층박막화의 효과가 나타났다. 일 예로 (Fe(sub)0.6Co(sub)0.4)(sub)89Zr(sub)11(30${\AA}$)/Fe(sub)89-Zr(sub)11(40${\AA}$)<원문참조> 박막시편에 1kHz, 50 mOe의 여기자기장으로 평가된 최대 미분투자율${\mu}$(sub)d.max는 단층막의 750에서 1650으로 2배 이상 증가, 구동 바이어스자기장 Hw는 20 Oe에서 6Oe로 3배 이하로 감소하는 양호한 특성이 얻어졌다. 그러나 다른 중용 특성인 자왜는 34% 정도 감소하는 것으로 추정되었다.