• 한국약용작물학회지
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• 제9권1호
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• pp.21-25
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• 2001

인삼의 주종 사포닌인 7종 사포닌($Rb_1,\;Rb_2,\;Rc,\;Rd,\;Re,\;Rf\;and\;Rg_1$)을 고속액체크로마토그라피로 분석하는 일반적인 방법인 순상 column에서 $Rg_1$, Re 및 Rf가 명확히 분리되지 않는 문제점을 개선하기위하여 본 연구를 수행하였다. 고속액체크로마토그라피를 이웅하여 역상 ${\mu}{\beta}ondapak$ ODS컬럼으로 인삼중 주종 사포닌인 7종 ginsenosides $Rg_{1},\;Re,\;Rf,\;Rb_{1},\;RC,\;Rb_{2}$ 및 Rd를 양호하게 분리하였다. 이때 분석 조건으로 이동상 용매 조성은 (A) $H_{2}O$, (B) methyl cyanaide을 (A) 90/(B) 10에서 (A) 0/(B) 100으로 기울기 용리를 이용하였으며, 기울기 용리 제어장치를 사용하여 용리시켰다. 용매 흐름속도는 1.5ml/min, 검출기는 UV detector(203nm)이었다. 이 방법은 분리능과 재현성 및 회수율이 양호하므로, 앞으로 인삼중 ginsenosides 분석에 응용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.236-244
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• 2003

본 논문에서는 기존에 값비싼 BiCMOS 공정으로 주로 구현되던 이동통신 단말기용 RF단 및 IF단 회로들을 CMOS 회로로 설계하고, 최종적으로 PCS 대역 송신용 CMOS RF/IF 단일 칩을 설계하였다. 설계된 회로는 IF PLL 주파수합성기, IF Mixer, VGA등을 포함하는 IF 단과, SSB RF Mixer 블록과 구동 증폭기를 포함하는 RF 단으로 구성되며, 디지털 베이스밴드와 전력증폭기 사이에 필요한 모든 신호처리를 수행한다. 설계된 IF PLL 주파수합성기는 100kHz의 옵셋 주파수에서 -114dBc/Hz의 위상잡음 특성을 보이며, lock time은 $300{\mu}s$보다 작고, 3V 전원에서 약 5.3mA의 전류를 소모한다. IF Mixer 블록은 3.6dB의 변환이득과 -11.3dBm의 OIP3 특성을 보이며, 3V 전원에서 약 5.3mA의 전류를 소모한다. VGA는 모든 이득 설정시 3dB 주파수가 250MHz 보다 크며, 약 10mA의 전류를 소모한다. 설계된 RF단 회로는 14.93dB의 이득, 6.97dBm의 OIP3, 35dBc의 image 억압, 31dBc의 carrier 억압 등의 특성을 보이며, 약 63.4mA의 전류를 소모한다. 설계된 회로는 현재 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 IC 제작 중에 있다. 전체 칩의 면적은 $1.6㎜{\times}3.5㎜$이고 전류소모는 84mA이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권1호
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• pp.56-61
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• 2011

MBOA 등 UWB 시스템에 적용하기 위한 프로그램 가능한 RF PLL용 주파수분할기를 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다. 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 주파수 분할기 단위요소를 수퍼다이나믹 회로를 사용하여 설계하였으며, 프로그램 가능한 분할비를 얻기 위하여 스위치 단을 사용하였다. 또한 다이나믹 회로가 갖고 있는 주파수 대역의 제한 문제를 해결하기 위하여 주파수 분할기 단위요소 회로에 사용하는 부하저항의 크기를 변경하는 방법을 사용하였다. 설계된 회로에 대하여 시뮬레이션 해 본 결과 동작 주파수 범위는 1~14GHz 범위로서 빠르고 넓은 주파수 대역의 동작 특성을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.345-355
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• 2011

GaAs나 InP 기반의 high electron mobility transistor (HEMT) 소자들은 우수한 마이크로파 및 밀리미터파 주파수 특성 및 이에 따른 우수한 저잡음 특성을 가지고 있다. GaAs 기판 위에 점진적으로 성장된 메타몰픽(Metamorphic) HEMTs (MHEMTs)는 InP 기판 위에 성정한 HEMT에 비해 비용 측면에서 커다란 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 MHEMT의 DC/RF 소신호 특성을 예측하기 위하여 InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자들의 DC/RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하였다. 2차원 소자 시뮬레이터의 hydrodynamic 전송 모델을 사용하여 $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 이종접합 구조를 갖는 제작된 0.1-${\mu}m$ ${\Gamma}$-게이트 MHEMT 소자에 대하여 파라미터 보정 작업을 수행한 후, MHEMT 소자들에 대해 DC 특성 및 RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하고 실험 데이터와 비교 분석하였다. 또한, 게이트 리세스 구조에 따른 MHEMT 소자들의 DC/RF 특성을 시뮬레이션하고 비교 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.273-278
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• 2011

본 논문에서는 IMT-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 0.13-${\mu}m$ CMOS 이중대역 송신단 RF Front-End를 제안한 다. 제안하는 이중대역 송신단 RF Front-End는 3 세대(802.11), 3.5 세대(Mobile WiMAX), 그리고 4 세대(IMT-Advanced) 시스템 주파수 대역을 모두 지원하기 위해서 2300~2700 MHz와 3300~3800 MHz의 이중 주파수 대역을 지원한다. 본 논문에서 제안하는 이중대역 송신단 RF Front-End는 1.2 V의 공급 전원에서 45mA의 전류를 소모한다. 회로의 성능은 레이아웃 후 검증(Post Layout Simulation)을 통해 검증하였으며, 2 GHz 대역에서 +0 dBm의 출력 파워, 3 GHz 대역에서 +1.3 dBm의 출력 파워를 나타낸다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.1009-1014
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• 2012

본 논문은 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 2,500 MHz~2,570 MHz 대역 0.13-${\mu}m$ CMOS RF front-end 송신기를 제안하며 I/Q 상향주파수변환기와 구동증폭기로 구성되어있다. 상향주파수변환기는 우수한 선형특성을 얻기 위해 공진회로를 부하로 사용하였으며 국부발진신호의 누설을 줄이기 위해 전류 보상회로를 사용하였다. 또한, 제안하는 구동증폭기는 높은 전류 효율과 우수한 선형특성을 확보하기 위해 Class AB 바이어스 상태로 설계되었다. 측정 결과 제안하는 RF front-end 송신기는 최대 +6 dBm의 출력 파워를 제공하며, +0 dBm 출력 시 이미지 신호 및 국부 발진 누설 신호와 40 dBc의 차이를 보인다. 제작된 칩은 1.2 V의 공급 전압으로부터 36 mA 전류를 소모한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2011

DC arc plasmatron is powerful plasma source to apply etching and texturing processing. Even though DC arc plasmatron has many advantages, it is difficult to apply an industry due to the small applied area. To increase an effective processing area, we suggest a DC-RF hybrid plasma system. The DC-RF hybrid plasma system was designed and made. This system consists of a DC arc plasmatron, RF parts, reaction chamber, power feeder, gas control system and vacuum system. To investigate a DC-RF hybrid plasma, we used a Langmuir probe, OES (Optical emission spectroscopy), infrared (IR) light camera. For RF matching, PSIM software was used to simulate a current of an impedance coil. The results of Langmuir probe measurements, we obtain a homogeneous plasma density and electron temperature those are about $1{\times}1010$ #/cm3 and 1~4 eV. The DC-RF hybrid plasma source is applied for plasma etching experimental, and we obtain an etching rate of 10 ${\mu}m$/min. through a 90 mm of reaction chamber diameter.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.245-248
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• 2000

In this paper, we present a high-performance SiGe HBT's RF input impedance parameter extraction method. The SiGe HBT has emitter width of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ and length of 6${\mu}{\textrm}{m}$. S-parameter has been measured with the collector current of 1~3㎃ using on-wafer RF measuring system . The pre-calculation method was used in order to overcome the local minimum problem. This method enabled us to extract a RF(1~10㎓) input impedance parameter.

• 전자공학회논문지
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• 제53권2호
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• pp.36-44
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• 2016

본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 WBAN(Wireless Body Area Network)용 IR-UWB(Impulse Radio Ultra Wide Band) RF 송수신기를 제안한다. 설계된 송수신기는 3-5GHz UWB low band를 지원하며 OOK(On-Off Keying) 변조 방식을 사용한다. 수신기는 복잡도와 소모 전력을 줄이기 위해서 비동기식 에너지 검출 방식을 사용하였다. 원하지 않는 잡음을 제거하고 감도를 개선하기 위하여 RF active notch filter가 내장되어 있다. VCO 기반의 수신기는 switch mechanism을 사용하였다. 사용된 switch mechanism은 소모 전력을 줄이고 VCO leakage를 최소화 할 수 있다. 또한, 중심주파수가 변해도 항상 동일한 spectrum mask를 가진다. 측정된 수신기의 감도는 3.5 GHz의 중심주파수에서 1.579 Mbps의 전송 속도를 가질 때 -84.1 dBm을 가진다. 송신기와 수신기는 각각 0.3 nJ/bit, 41 mW의 소모 전력을 사용한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권3호
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• pp.1-8
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• 2005

본 논문에서는 $0.1\;{\mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 Scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 $(L_g)$가 $0.1\;{\mu}m$ 이하로 감소함에 따라 $g_{m,max}$가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시 했다.