MoS$_2$-Ti films were deposited on SKD-11 tool steel substrate by a D.C. magnetron sputtering system. The influence of deposition parameters on the adhesion of the films was investigated by the scratch test. Crosssection morphology was evaluated using FE-SEM. The plasma etching played an important role on the adhesion of the films. The appropriate etching conditions roughened the surface, resulting In the improved adhesion of the film. The adhesion of the film increased with the interlayer thickness up to 110 nm and then decreased slightly with further increasing of interlayer thickness. The adhesion was highest at a bias voltage of -50 V. Further increase of the bias voltage decreased the film adhesion.
본 연구에서는 하지층으로 사용한 Mo(MoN)의 두께 변화에 따른 스핀밸브 구조의 자기적 특성과 열처리 결과를 비교 검토하였다. 사용된 스핀밸브는 Si 기판/Mo(MoN)$(t{\AA})/NiFe(21{\AA})/CoFe(28{\AA})/Cu(22{\AA})/CoFe(18{\AA})/IrMn(65{\AA})/Ta(25{\AA})$ 구조이다. 또한 본 연구에서는 MoN 하지층을 Si 기판에 증착하여 열처리후 특성을 분석하였다. Mo 박막에 비해 MoN 박막의 질소량이 증가할수록 증착률은 감소하였고, 비저항은 증가하였다. MoN 하지층을 사용한 경우 Mo의 경우보다 하지층 두께 변화($51{\AA}$까지)에 따라 자기저항비와 교환결합력의 변화는 소폭이었다. Mo 하지층의 열처리 온도별 자기저항비는 열처리 전 상온에서 2.86% 이었고, $200^{\circ}C$ 열처리 때 2.91 %로 증가하였다. 이후 열처리 온도를 $300^{\circ}C$까지 증가시키면 자기저항비는 2.91 %에서 2.16%로 감소하였다. 질소 유입량이 1 sccm인 MoN의 열처리 온도별 자기저항비는 열처리 전 상온에서 5.27%, $200^{\circ}C$일때 5.56%증가하였다. 이후 열처리 온도를 $300^{\circ}C$까지 증가시키면 자기저항비는 5.56%에서 4.9%로 감소하였다.
A high-performing all-transparent photodetector was created by configuring a $MoO_x$/NiO/ZnO/ITO structure on a glass substrate. The ITO bottom layer was applied as a back contact. To achieve the transparent p/n junction, p-type NiO was coated on the n-type ZnO layer. Reactive sputtering was used to spontaneously form the ZnO or NiO layer. In order to improve the transparent photodetector performance, the functional $MoO_x$ window layer was used. Optically, the $MoO_x$ window provided a refractive index layer (n=1.39) lower than that of NiO (n=2), increasing the absorption of the incident light wavelengths (${\lambda}s$). Moreover, the $MoO_x$ window can provide a lower sheet resistance to improve the carrier collection for the photoresponses. The $MoO_x$/NiO/ZnO/ITO device showed significantly better photoresponses of 877.05 (at ${\lambda}$=460nm), 87.30 (${\lambda}$=520 nm), and 30.38 (${\lambda}$=620 nm), compared to 197.28 (${\lambda}$=460 nm), 51.74 (${\lambda}$=520 nm) and 25.30 (${\lambda}$=620 nm) of the NiO/ZnO/ITO device. We demonstrated the high-performing transparent photodetector by using the multifunctional $MoO_x$ window layer.
A non-vacuum process for fabrication of $CuInSe_2$ (CIS) absorber layer from the corresponding Cu, In solution precursors was described. Cu, In solution precursors was prepared by a room temperature colloidal route by reacting the starting materials $Cu(NO_3)_2$, $InCl_3$ and methanol. The Cu, In solution precursors were mixed with ethylcellulose as organic binder material for the rheology of the mixture to be adjusted for the doctor blade method. After depositing the mixture of Cu, In solution with binder on Mo/glass substrate, the samples were preheated on the hot plate in air to evaporate remaining solvents and to burn the organic binder material. Subsequently, the resultant CI/Mo/glass sample was selenized in Se evaporation in order to get a solar cell applicable dense CIS absorber layer. The CIS absorber layer selenized at $530^{\circ}C$ substrate temperature for 30 min with various Se gas evaporation temperature was characterized by XRD, SEM, EDS.
A non-vacuum process for fabrication of $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$ (CIGS) absorber layer from the corresponing Cu, In, Ga solution precursors was described. Cu, In, Ga precursor solution was prepared by a room temperature colloidal route by reacting the starting materials $Cu(NO_3)_2$, $InCl_3$, $Ga(NO_3)$ and methanol. The Cu, In, Ga precursor solution was mixed with ethylcellulose as organic binder material for the rheology of the mixture to be adjusted for the doctor blade method. After depositing the mixture of Cu, In, Ga solution with binder on Mo/glass substrate, the samples were preheated on the hot plate in air to evaporate remaining solvents and to burn the organic binder material. Subsequently, the resultant CIG/Mo/glass sample was selenized in Se evaporation in order to get a solar cell applicable dense CIGS absorber layer. The CIGS absorber layer selenized at $530^{\circ}C$ substrate temperature for 1h with various metal organic ratio.
ITO thin film was deposited on PC substrate in Facing Targets Sputtering (FTS) system with various sputtering conditions. After it is applied to external bending force, we investigated how change the surface and electrical property of as-deposited ITO thin film. As the L(face-plate distance) of substrate decreases, it found that the maximum crack density is increasing at the center position and decreasing crack density as goes to the edge. So to apply same curvature (r) and bending force to PC substrate with ITO thin film, we fixed the L that is equal to curvature radius (2r). Before bending test, ITO thin films that deposited in the input current of 0.4 A and thickness of 200 nm already had biaxial tensile failure because of each different CTE (Coefficient of Thermal Expansion) and Others had been shown no bending or crack. After bending test, all samples had been shown cracks at about 200 times and as increasing the crack density, resistivity increased.
FK506 hyper-yielding mutant, called the TCM8594 strain, was made from Streptomyces tsukubaensis NRRL 18488 by mutagenesis using N-methyl-N'-nitro-N-nitrosoguanidine, ultraviolet irradiation, and FK506 sequential resistance selection. FK506 production by the TCM8594 strain improved 45.1-fold ($505.4{\mu}g/mL$) compared to that of S. tsukubaensis NRRL 18488 ($11.2{\mu}g/mL$). Among the five substrates, wheat bran was selected as the best solid substrate to produce optimum quantities of FK506 ($382.7{\mu}g/g$ substrate) under solid-state fermentation, and the process parameters affecting FK506 production were optimized. Maximum FK506 yield ($897.4{\mu}g/g$ substrate) was achieved by optimizing process parameters, such as wheat bran with 5 % (w/w) dextrin and yeast extract as additional nutrients, 70 % (v/w) initial solid substrate moisture content, initial medium pH of 7.2, $30^{\circ}C$ incubation temperature, inoculum level that was 10 % (v/w) of the cell mass equivalent, and a 10 day incubation. The results showed an overall 234 % increase in FK506 production after optimizing the process parameters.
To investigate the effect of seaweed (SW) addition on anaerobic co-digestion of food waste (FW) and sewage sludge (SS), batch experiments were conducted at various substrate concentrations (2.5, 5.0, 7.5, and 10.0 g volatile solids (VS)/L) and mixing ratios ((FW or SS):SW = 100:0, 75:25, 50:50, 25:75, and 0:100 on a VS basis). The effect of SW addition on FW digestion was negligible at low substrate concentration, while it was substantial at high substrate concentrations by balancing the rate of acidogenesis and methanogenesis. At 10 g VS/L, $CH_4$ production yield was increased from 103 to $350mL\;CH_4/g$ VS by SW addition (FW:SW = 75:25). On the other hand, SW addition to SS enhanced the digestion performance at all substrate concentrations, by providing easily biodegradable organics, which promoted the hydrolysis of SS. $k_{hyd}$ (hydrolysis constant) value was increased from 0.19 to $0.28d^{-1}$ by SW addition. The calculation showed that the synergistic $CH_4$ production increment by co-digesting with SW accounted for up to 24% and 20% of total amount of $CH_4$ production in digesting FW and SS, respectively.
개구면 결합 마이크로스트립 패치 안테나(aperture coupled microstrip patch antenna; ACMPA)의 급전 기판의 유전상수와 두께가 안테나 대역폭과 방사특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 급전 기판의 두께가 같은 여러 가지 유전상수의 급전기판을 가지는 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전기판의 유전상수가 감소할수록 대역폭이 증가한다. MMIC(monolithic microwave integrated circuit)와 집적화가 가능한 높은 유전상수(${\epsilon}_r=10$)를 가지는 급전 기판을 사용한 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전 기판의 두께가 감소할수록 대역폭이 증가한다. 따라서 ACMPA는 MMIC와 집적화하기에 좋은 구조를 가진 패치 안테나이다.
카본 담체에 백금과 전이금속과의 합금 촉매를 제조하여 촉매의 부식성, 촉매능 및 단전지에서의 전극성능을 전기화학적으로 비교 검토하였다. 그리고 합금촉매의 분석은 XRD로 확인하였다. 본 연구에서 제조된 여러 가지 백금 합금 촉매 중 Pt-Mo/carbon, Pt-Fe-Co/carbon 및 Pt-Fe/carbon 촉매가 보다 우수한 산소 환원 전류밀도를 나타내었으나 Pt-Mo/carbon 촉매의 경우 초기 전극전류의 대부분이 촉매의 부식에 의한 전류임을 확인할 수 있었다. Pt/carbon촉매를 사용하였을 경우 나타난 전극의 전류밀도는 $120mA/cm^2$이었으나 Pt-Fe-Co/carbon 의 경우는 $200mA/cm^2$으로 순수 백금촉매보다 우수한 전극성능을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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