• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.389-393
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• 2000

본 연구에서는 $\mu$-PD법으로 Er : Mg : $LiNbO_3$화이버 결정을 MgO의 첨가량을 달리하여 성장시켰으며, 첨가물 농도에 따른 성장조건과 PL 특성에 관해 조사하였다. 또한,성장한 결정의 투과 스펙트럼으로부터 Er : Mg : $LiNbO^3$에서 $Er^{3+}$ 의 에너지 준위구조를 계산하였다. Crack과 bubble등의 결함이 없는 결정은 after-beater를 조정하여 0.5 mm/min 이하의 성장속도에서 얻을 수 있었다. MgO의 농도에 따른 PL강도는 0.6 mol% $Er_2O_3$와 3 mol% MgO가 첨가된 Er : Mg : $LiNbO_3$결정에서 가장 강한 형광강도가 관측되었다. 또한, 에너지 준위 $^4S_{3/2}$에서 기저준위로 방출되는 빛이 가장 강했으며 1530 nm의 형광은 비방출천이 및 형광방출 등의 원인에 의한 $^4I_{13/2}$ 준위에서의 여기전자 감소가 형광강도 감소의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제21권6호
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• pp.352-356
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• 2011

[ $Zn_{2(1-x)}Mn_xSiO_4$ ]$0.07{\leq}x{\leq}0.15$) green phosphor was prepared by solid state reaction. The first heating was at $900^{\circ}C-1250^{\circ}C$ in air for 3 hours and the second heating was at $900^{\circ}C$ in $N_2/H_2$(95%/5%) for 2 hours. The size effect of $SiO_2$ in forming $Zn_2SiO_4$ was investigated. The temperature for obtaining single phase $Zn_2SiO_4$ was lowered from $1100^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$ by decreasing the $SiO_2$ particle size from micro size to submicro size. The effect of the activators for the Photoluminescence (PL) intensity of $Zn_2SiO_4:Mn^{2+}$ was also investigated. The PL intensity properties of the phosphors were investigated under vacuum ultraviolet excitation (147 nm). The emission spectrum peak was between 520 nm and 530 nm, which was involved in green emission area. $MnCl_2{\cdot}4H_2O$, the activator source, was more effective in providing high emission intensity than $MnCO_3$. The optimum conditions for the best optical properties of $Zn_2SiO_4:Mn^{2+}$ were at x = 0.11 and $1100^{\circ}C$. In these conditions, the phosphor particle shape was well dispersed spherical and its size was 200 nm.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권2호
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• pp.253-257
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• 2016

We added 0 ~ 5 wt% $YBO_3:Eu^{3+}$ nano powders in a scattering layer of a working electrode to improve the energy conversion efficiency (ECE) of a dye sensitized solar cell (DSSC). FESEM and XRD were used to characterize the microstructure and phase. PL and micro Raman were used to determine the fluorescence and the composition of $YBO_3:Eu^{3+}$ phosphor. A solar simulator and a potentiostat were used to confirm the photovoltaic properties of the DSSC with $YBO_3:Eu^{3+}$. From the results of the microstructure and phase of the fabricated $YBO_3:Eu^{3+}$ nano powders, we identified $YBO_3:Eu^{3+}$ having particle size less than 100 nm. Based on the microstructure and micro Raman results, we confirmed the existence of $YBO_3:Eu^{3+}$ in the scattering layer and found that it was dispersed uniformly. Through photovoltaic properties results, the maximum ECE was shown to be 5.20%, which can be compared to the value of 5.00% without $YBO_3:Eu^{3+}$. As these results are derived from conversion of light in the UV range into visible light by employing $YBO_3:Eu^{3+}$ in the scattering layer, these indicate that the ECE of a DSSC can be enhanced by employing an appropriate amount of $YBO_3:Eu^{3+}$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 A
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• pp.51-54
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• 2003

지금까지 통상적으로 사용하고 있는 Plasma Lighting System(이하 PLS)의 마그네트론 구동용 고전압, 고전류 전원장치는 성층 철심 HVT를 이용한 방식을 적용하고 있다. 이 방식은 상용 주파수를 사용하므로, 승압트랜스포머나 배 전압용의 커패시터를 대형으로 하기 때문에 고중량, 저효율 및 출력의 한계성과 광출력에서 플리커현상 둥의 단점을 지닌다. 이의 해결책으로 최근 인버터 방식의 전원장치를 PLS에 적용 하고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 설계한 PLS 마그네트론 구동을 위한 고전압, 고전류 전원장치는 기존의 스위칭 기술을 이용 낮은 스위칭 손실의 고속 스위칭을 통한 시스템의 소형, 경량화 및 고전력밀도를 가지도록 하였고 $\mu$-com을 이용하여 Micro-wave의 누설에 따른 사고를 방지하기 위하여 광 검출과 마그네트론 온도 검출 등의 시스템 보호 기능을 가지고 있으며, 고전압 출력을 고저 항으로 분압하고 PWM 제어기에 피드백하여 매우 안정된 출력 전압이 얻어지도록 하였다. 또한 출력 전류를 제한 할 수 있게 하여 광량 조절이 가능하도록 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권8호
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• pp.657-663
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• 2012

The spherical mesoporous silica is synthesized and incorporated with CdSe/ZnS quantum dots(QDs) for preparing micro beads to detect toxic and bio-materials with high sensitivity. The spherical silica beads with the brunauer-emmett-telle(BET) average pore size of 15 nm were prepared with a ratio 1, 3, 5-trimethylbenzen, as a swelling agent, to the block-copolymer template surfactant of over 1 and under vigorous mixing condition. The surface of spherical mesoporous silica is modified using octadecylsilane for incorporating QDs. Based on photoluminescence(PL) spectra, the relative brightness of mesoporous silica beads incorporated with 10 nM of QDs is 79,000 times brighter than that of Rodamine 6 G.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.1005-1009
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• 2006

High quality three-dimensional (3D) heterostructures were constructed by selective area (SA) molecular beam epitaxy (MBE) using a specially patterned GaAs (001) substrate to improve the efficiency of tarrier transport. MBE growth parameters such as substrate temperature, V/III ratio, growth ratio, group V sources (As2, As4) were varied to calibrate the selective area growth conditions and the 3D GaAs-AlGaAs heterostructures were fabricated into the ridge type and the V-groove type. Scanning micro-photoluminescence $({\mu}-PL)$ measurements and the following analysis revealed that the gradually (adiabatically) coupled 1D-2DEG (electron gas) field effect transistor (FET) system was successfully realized. These 3D-heterostructures are expected to be useful for the realization of high-performance mesoscopic electronic devices and circuits since it makes it possible to form direct ohmic contact onto the (quasi) 1D electron channel.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.167-168
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• 2006

High quality 3D-heterostructures were constructed by selective area (SA) molecular beam epitaxy (MBE) using a specially patterned GaAs (001) substrate. MBE growth parameters such as substrate temperature, V/III ratio, growth ratio, group V sources ($As_2$, $As_4$) were varied to calibrate the selective area growth conditions. Scanning micro-photoluminescence ($\mu$-PL) measurements and following analysis revealed that the gradually (adiabatically) coupled 2DEG-1D-1DEG field effect transistor (FET) system was realized. This 3D-heterostructure is very promising for the realization of the meso-scopic electronic devices and circuits since it makes it possible to form direct ohmic contact to the (quasi) 1DEG.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권2호
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• pp.98-102
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• 2021

GaOOH is obtained via hydrothermal synthesis procedure. The formed GaOOH is turned into α-Ga₂O₃ at 500℃ annealing. As the annealing temperatures increase the α-Ga₂O₃ is in part turned into β-Ga₂O₃ and fully turned into β-Ga₂O₃ after 1100℃. XPS and PL results reveal that heterojunction interface between α-Ga₂O₃ and β-Ga₂O₃ become maxim at 500℃ annealing condition, which result in the highest photocatalytic activity. The presence of heterojunction interface slows down the recombination process by separating photogenerated electron-hole pairs and thereby enhance the overall photocatalytic activity.

• 한국강구조학회 논문집
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• 제22권5호
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• pp.477-485
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• 2010

다양한 모니터링 센서는 구조물의 손상측정과 예측에 많이 사용되고 있다. 광섬유센서, 압전소자(PZT) 센서, MEMS(Micro Electro Mechanical System)센서 등의 스마트 센서는 기존 센서를 대체하여 많은 분야에서 사용되고 있다. 본 논문에서는 PZT센서를 실험체에 부착한 후 충격하중을 가하여 PZT센서의 출력 전압의 특성을 이용하여 실험체의 손상을 예측하고자 하였다. PZT센서를 이용한 보 이음부의 손상실험에서는 $H-400{\times}200{\times}8{\times}13$ 철골을 이용하여 단순보를 제작하고 중앙에 볼트 이음을 하였으며, PZT센서의 민감도 측정을 위해 기존 가속도계의 가속도값과 PZT센서의 전압값의 FFT 결과를 비교하였다. 또한 이음부의 볼트풀림을 이용하여 단순보의 손상을 가정하고 손상계측실험도 병행하였다. 철골 플레이트 보의 손상계측 실험에서는 $PL600{\times}65{\times}5.8$로 단순보 실험체를 제작하여 세 곳에 손상을 주어 충격하중 실험을 하였다. 손상의 정도는 쇠톱을 이용하여 보 단면의 양쪽에 6~42 mm로 절단하였다. FFT를 사용하여 손상의 유무에 따른 고유진동수의 비(${\omega}_c/{\omega}$)를 구하여 손상을 파악하였고 모드에 따른 손상의 위치와 정도를 파악하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권4호
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• pp.147-152
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• 2011

수열합성법에 의해 ZnO 씨앗층이 코팅된 Zn 기판 위에 제조된 ZnO 나노로드는 주로 ZnO 전구체 농도에 따라 연구되었다. 주사전자현미경과 X선 회절분석기를 사용하여 얻은 그림은 실험 조건에 따라 변화되는 ZnO 나노로드의 미세구조와 결정상을 밝혀내기 위해 측정되었다. 나노로드의 형태는 전구체 농도에 강하게 결정된다. 예를 들어, 600~700 nm의 직경과 $6.75{\mu}m$의 길이를 갖는 육방정계 구조의 수직 성장된 ZnO 나노로드는 0.015 M의 가장 높은 농도에서 명확하게 관찰되었다. 강한 육방정계 구조는 가장 높은 PL 강도와 $1000{\mu}A$에서 약 6.069 V의 우수한 전압 값과 관련이 있다고 생각된다.