The design of an intelligent toothbrush, capable of monitoring brushing motion, orientation through the grip axis, during toothbrushing is described. Inappropriate Toothbrushing styles, even in adults, sometimes cause dental problems, cavities, gingivitis, etc. This smart system provides user to monitor his or her brushing pattern using accelerometer and magnetic sensors for evaluation of toothbrushing style. Directional information of toothbrush with respect to earth's magnetic field and activity data were measured by a miniaturized low-power micro- controller, MSP430 and transmitted to personal computer by 2.4GHz radio transmitter, nRF2401. A personal computer provides an on-line display of activity and orientation measurements during toothbrushing. The signal trace is then analyzed to extract clinically relevant measurement. This preliminary study showed that the proposed monitoring system was conceived to aid dental care personnel in patient education and instruction in oral hygiene regarding brushing style.
기존의 Passenger Boarding Bridge Controller는 PLC Type Controller 등으로 복합적으로 구성하는데 본 연구에서는 16bit Micro Processor를 이용한 전용 콘트롤러를 적용해 각종 고급기능을 부여하고, 안전하고 유연한 운전이 가능하도록 하였고 기존의 수동 운전에 필요한 각종 조작 스위치를 부가하였으며, TFT LCD Color Display 및 Touch Screen을 장착하여 자동 운전을 위한 각종 조작이 용이하도록 하여 유지관리에 필요한 각종정보를 화면상에 표시하여 조작자로 하여금 PBBC(Passenger Boarding Bridge Controller)의 각종상태를 쉽고 빠르게 파악 할 수 있도록 시뮬레이터를 설계 및 제작을 하였다. 그 결과 기존의 방식보다 성능면은 비슷하였고 기능면에서는 다양하게 기능을 검정을 할 수가 있었다. 향후 연구 지속시 다양한 개선이 되라 보아진다.
FED(Field emission display)의 FEAs(Field emitter arrays)에 형성되어 있는 micro-tip 은 tip 표면의 오염이나 진공내부의 잔류가스에 대단히 민감하다. 특히, emitter 물질의 일함수 및 겉모양 같은 기하학적 요소에 민감한 전계방출 소자의 특성상 tip 선단이 oxidation 될 경우 일함수가 증가하여 전자방출에 필요한 구동전압이 증가하고 전자 방출의 불균일성이 커지는 문제점이 발생한다. 이에 고진공의 동작 환경 및 FEAs 제작과정이나 공기의 노출에 발생하는 tip 표면의 오염물질 제거가 요구된다. 따라서 본 연구에서는 40$\times$40mm2 FEAs에 laser power, scan speed을 달리하며 laser(cw Nd-YAG, 1064nm)을 조사하였다. laser cleaning 효과를 보기 위해 laser irradiation 전, 후에 진공도 5$\times$10-7torr irradiation 후에 emitter tip의 뚜렷한 기하학적 모양의 변화를 볼 수는 없었지만, I-V 특성이 향상 되는 것을 볼 수 있었다.
Nowadays Laser Controllable Thermo-cleaving is the most promising method of cutting FPD(Flat Panel Display) glass in mass-production line. And this method can be used to cut other brittle materials such as quartz, sapphire, ceramic and semiconductor. The concept of this method is shown in Picture 1. Laser beam heats glass up to strain point not to melting point and cooling system chills glass to make maximum thermal stress in glass and then the thermal stress generates micro thermal crack in other words blind crack. Laser Controllable Thermo-cleaving controls the thermal stress to optimize the blind crack up to level of mass-production line.
The sapphire wafers for blue light emitting devices were manufactured by the implementation of the surface machining technology based on micro-tribology. This process has been performed by grinding, lapping and polishing. The surfaces of sapphire wafers were mechanically affected by residual stress and surface default. This mechanical stress and strain can be cured by thermal anneal ing process. The sapphire crystalline wafers were annealed at $1100~1400^{\circ}C$ and then characterized by double crystal X-ray diffraction. The sample showed good quality of crystalline wafer surface wi th full width at hal f maximum of 16 arcsec for the 4-hour heat-treatment at $1300^{\circ}C$.
Interest in nano-crystalline silicon (nc-Si) thin films has been growing because of their favorable processing conditions for certain electronic devices. In particular, there has been an increase in the use of nc-Si thin films in photovoltaics for large solar cell panels and in thin film transistors for large flat panel displays. One of the most important material properties for these device applications is the macroscopic charge-carrier mobility. Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) or nc-Si is a basic material in thin film transistors (TFTs). However, a-Si:H based devices have low carrier mobility and bias instability due to their metastable properties. The large number of trap sites and incomplete hydrogen passivation of a-Si:H film produce limited carrier transport. The basic electrical properties, including the carrier mobility and stability, of nc-Si TFTs might be superior to those of a-Si:H thin film. However, typical nc-Si thin films tend to have mobilities similar to a-Si films, although changes in the processing conditions can enhance the mobility. In polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, the performance of the devices is strongly influenced by the boundaries between neighboring crystalline grains. These grain boundaries limit the conductance of macroscopic regions comprised of multiple grains. In much of the work on poly-Si thin films, it was shown that the performance of TFTs was largely determined by the number and location of the grain boundaries within the channel. Hence, efforts were made to reduce the total number of grain boundaries by increasing the average grain size. However, even a small number of grain boundaries can significantly reduce the macroscopic charge carrier mobility. The nano-crystalline or polymorphous-Si development for TFT and solar cells have been employed to compensate for disadvantage inherent to a-Si and micro-crystalline silicon (${\mu}$-Si). Recently, a novel process for deposition of nano-crystralline silicon (nc-Si) thin films at room temperature was developed using neutral beam assisted chemical vapor deposition (NBaCVD) with a neutral particle beam (NPB) source, which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300 eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at room temperature. In previous our experiments, we verified favorable properties of nc-Si thin films for certain electronic devices. During the formation of the nc-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. The more resent work on nc-Si thin film transistors (TFT) was done. We identified the performance of nc-Si TFT active channeal layers. The dependence of the performance of nc-Si TFT on the primary process parameters is explored. Raman, FT-IR and transmission electron microscope (TEM) were used to study the microstructures and the crystalline volume fraction of nc-Si films. The electric properties were investigated on Cr/SiO2/nc-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors.
문화재를 보존, 보관, 전시하는 박물관의 전시실은 실내 공기에 부유하고 있는 먼지와 곰팡이로 인해 생물적 피해를 받는다. 미생물의 발생은 문화재 표면의 착색, 재질 분해, 변질 등의 손상을 야기한다. 본 연구에서는 무위사 성보박물관의 전시실, 전시진열장, 그리고 벽화 표면의 미생물 분포 상태와 온습도 분포 특성을 조사하였다. 전시실과 진열장에서 포집된 미생물을 동정한 결과, Aspergillus sp., Penicillium sp., Cladosporium sp. 등 다양한 미생물이 동정되었다. 특히 1, 3 전시실은 2 전시실에 비해 미생물의 개체 수가 많은 것을 알 수 있었다. 3개 전시실 모두 온 습도 분포도를 살펴본 결과, 대부분이 $28{\pm}4^{\circ}C$의 높은 온도 분포와 70~80% 사이의 고습도 환경에서 높은 분포율을 나타냈다. 각 전시실의 진열장을 비교한 결과, 1 전시실의 진열장이 2, 3 전시실의 진열장에 비해 높은 습도환경 분포율을 보였는데, 이는 미생물 농도 분포와 상관성이 있는 것으로 판단되었다. 이와 같은 무위사 성보박물관 전시실 및 진열장 내부의 고온, 고습 환경의 분포는 근본적으로 전시실의 밀폐도와 환경관리 등에 의해 발생되는 특성임이 확인되었다.
국내산 고품위 석회석은 그 지질 배경과 광상 유형에 따라 (1) 제천-단양 지구, (2) 삼척-태백-정선 지구 및 (3) 울진-안동 지구의 유형들로 구분된다. 제천-단양 지구에서 산출되는 석회석을 제외한 대부분의 국내산 고품위 석회석들은 석회암이 열수변질작용과 열변성작용을 받아 재결정되고 Ca이 부화된 양상을 이룬다. 국내산 고품위 석회석은 광물조성, 화학조성, 결정도 및 광물상의 차이에 따라 결정질 석회암형, 대리암형, 미정질 및 거정질 방해석 유형으로 구분된다. 이들에 대해 응용광물학적 관점에서 그 조성과 특성을 밝히기 위한 체계적인 시험 및 분석이 이루어졌다. 제천-단양 지구의 고품위 석회석들은 외견상 원암에 가까운 결정질 석회암 유형으로서, 낮은 결정도와 세립질 조직, 비교적 높은 CaO 함량(51~54 wt.%) 및 낮은 백색도의 광석 특성을 갖는다. 삼척-태백-정선 지구에서 산출되는 미정질(대개 0.2~0.3 mm) 및 거정질(2~15 cm) 고품위 석회석은 전형적인 열수변질형 광석으로서, 결정도에서 유형별로 서로 현격한 차이를 보이고 다소 편차가 심한 CaO 함유도(50~55 wt.%) 및 높은 백색도를 보이는 것이 특징이다. 특히 이 지역의 주된 광체인 미정질 방해석형 광석은 미세하고 균일한 결정도와 보다 균질한 조성(대개 > 52 wt.%)을 이룬다. 울진-안동 지구의 변성퇴적암류에서 산출되는 석회석들은 그 광상 유형과 산출상태에 따라 품위와 품질면에서 현격한 차이를 보인다. 이 같은 국내산 고품위 석회석의 광물특성과 화학조성상의 특징에 의거하여 지역별로의 광석 유형에 따라 적절한_개발 용도를 제시하였다.
스마트 가전은 멀티미디어, 통신 기능을 탑재하여 더욱 쉽고 편리한 복합 기능을 제공한다. 그러나 8bit 이하의 컨트롤러를 탑재한 저사양 생활가전은 멀티미디어, 통신 기능을 탑재하기에 성능의 제약이 따른다. 만약 저사양 생활가전에 적합한 통신방법과 복합 기능을 구현할 수 있는 방법을 제공한다면 저사양 생활가전도 스마트 가전과 같은 효과를 낼 수 있을 것이다. 생활가전의 8bit 컨트롤러는 UART를 내장하고 있으므로 와이파이, 블루투스 등의 모듈을 UART로 연결하면 저사양 생활가전을 스마트 장치에 접속할 수 있게 된다. 스마트 장치는 다양한 통신 방식을 지원하기 때문에 생활가전의 통신 방식에 상관없이 모두 접속이 가능하다. 스마트 가전의 복합 기능들은 복잡해 보이지만 실제로는 저사양 생활가전에서도 제공하는 기본 기능들을 차례로 수행하도록 만든 것임을 알 수 있다. 기본 기능은 그 종류가 많지 않으며 이를 조합하여 순서대로 수행 할 수 있도록 제어 프로그램을 확장한다면 저사양 생활가전도 복합 기능을 보유할 수 있게 된다. 단지 이를 위해 버튼, 표시장치 등의 하드웨어가 추가되어야 하기 때문에 지금까지 복합기능이 제공되지 못했던 것이다. 기본 기능에 명령 코드를 부여한 마이크로 명령을 나열하면 쉽게 복합 기능을 구현하는 매크로를 만들 수 있으며 스마트 장치의 앱으로 이를 수행하면 추가적인 하드웨어가 필요 없게 된다. 생활가전은 생성된 매크로의 마이크로명령을 순차적으로 실행하기만 하면 된다. 이와 같이 저사양 생활가전을 스마트 장치에 접속하면 에볼루션 키트를 장착한 것처럼 스마트 가전으로 업그레이드되는 효과를 얻을 수 있다.
VMS를 통해 제공되는 실시간 교통정보는 운전자의 통행경로선택에 영향을 주는 것으로 알려져 있으며, 이에 따라 VMS 정보를 이용한 운전자 통행경로 제어를 통해 도로망 전체의 운영효율을 최적화하고자하는 다양한 연구들이 이루어져 왔다. 본 연구에서는 실시간으로 주기별로 최적화된 메시지의 내용을 VMS에 표출할 때 도로망 전체의 총 통행시간을 최소화할 수 있는 운전자 경로선택행태 모형을 개발하였다. 우선 운전자의 경로선택을 현실감 있게 반영하기 위해 Stated Preference(SP) 조사를 바탕으로 하여 개발하였다. VMS를 통해 제공되는 메시지 내용과 표출주기가 주어졌을 때 최적의 VMS 정보제공 조합은 유전자 알고리즘을 이용하여 구했으며, 최적해 산출과정에서 필요한 교통분석은 미시적 교통시뮬레이션인 파라믹스를 이용하였다. 실험결과를 살펴보면 모든 시나리오에서 본 모형이 효과적으로 최적해를 찾아가는 것으로 나타났다. VMS 설치 전후를 비교하면 VMS를 운영하였을 때 도로망의 총 통행시간을 줄일 수 있는 것으로 나타났으며, VMS 정보의 표출주기가 짧을수록 VMS 메시지 내용의 개수가 작은 것이 총 통행시간을 감소시키는데 유리한 것으로 분석되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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