In the present work, ZnO nanofibers were applied to electrode materials for the detection of cholesterol. ZnO nanofibers were synthesized using the electrospinning technique with zinc acetate as a precursor. Electrospinning-synthesized ZnO nanofibers were uniformly distributed by properly controlling the electrospinning parameters. After the calcination treatment, nanofibers of pure ZnO phase were synthesized. Then, these fibers were successfully placed on Au-coated glass substrates by dispersion of ZnO nanofibers in ethanol, dropping, and drying, in sequence. Cholesterol oxidase was then immobilized onto the surface of the ZnO nanofibers. To enhance the immobilization, Nafion was additionally applied. The sensing performances of the fabricated ZnO nanofibers-based sensors were analyzed by cyclic voltammetry in terms of cholesterol concentration ranging from 100 to 400 mg/dl. In the I-V curves, measured by cyclic voltammetry, the ZnO nanofiber-based sensor showed a proportional current behavior with cholesterol concentrations in phosphate buffered saline solution. The sensitivity was measured and found to be $30.7nA/mM{\cdot}cm^2$, which is comparable to the values reported in the literature. After not only optimizing the shape of the ZnO nanofibers but also improving the adhesion nature between the ZnO nanofibers and the Au conducting layer, these fibers can be a good candidate for electrode materials in devices used to detect low concentrations of cholesterol in blood.
S.K. Sharma;M.T. Saify;Sanjib Majumdar;Palash K. Mollick
Nuclear Engineering and Technology
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제55권5호
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pp.1855-1862
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2023
Graphite crucibles are used for melting uranium and its alloys in VIM furnace. Various coating materials namely Al2O3, ZrO2, MgO etc. are applied on the inner surface of the crucibles using paint brush or thermal spray technique to mitigate U-C interaction. These leads to significant amount of carbon pick-up in uranium. In this study, the attempts are made to develop multilayer coatings comprising of SiC/Y2O3 and Mo/Y2O3 on graphite to study the feasibility of minimizing U-C interaction. The parameters are optimized to prepare SiC coating of about 70㎛ thickness using CVD technique on graphite coupons and subsequently Y2O3 coating of about 250㎛ thickness using plasma spray technique. Molybdenum and Y2O3 layers were deposited using plasma spray technique with 70㎛ and 250㎛ thickness, respectively. Interaction studies of the coated graphite with molten uranium at 1450℃ for 20 min revealed that Y2O3 coating with SiC interlayer provides physical barrier for uranium-graphite interaction, however, this led to the physical separation of coating layer. Y2O3 coating with Mo interlayer provided superior barrier effect showing no degradation and the coatings remained intact after interaction tests. Therefore, the Mo/Y2O3 coating was found to be a promising solution for minimizing carbon pick-up during uranium/uranium alloy melting.
A uniform chromium-free conversion coating treated with an alkaline phosphate- permanganate solution was formed on the AZ 31 magnesium alloy. The effect of acid pickling on the morphology and on the corrosion resistance of the alkaline phosphate-permanganate conversion coating was investigated. The chemical composition and phase structure of conversion coating layer were determined via optical microscopy, SEM, EDS, XPS and XRD. Results show that the conversion coatings are relatively uniform and continuous, with thickness 1.8 to $2.4\;{\mu}m$. The alkaline phosphate-permanganate conversion coating was mainly composed of elements Mg, O, P, Al and Mn. The conversion-coated layers were stable compounds of magnesium oxide and spinel ($MgAl_2O_4$). These compounds were excellent inhibitors to corrosion. The electrochemical corrosion behaviors of coatings in 3.5 wt.% NaCl solutions were evaluated by electrochemical impedance spectroscopy, potentiodynamic polarization technique. EIS results showed a polarization resistance of $0.1\;k{\Omega}$ for the untreated Mg and $16\;k{\Omega}$ for the alkaline phosphate-permanganate conversion treatment sample, giving an improvement of about 160 times. The results of the electrochemical measurements demonstrated that the corrosion resistance of the AZ 31 magnesium alloy was improved by the alkaline phosphate-permanganate conversion treatment.
Zhenzigou 연-아연 광상은 중국 동북지역에선 가장 규모가 큰 연-아연 광상 중의 하나로 지체구조상 Jiao Liao Ji belt내 Qingchengzi mineral field에 위치한다. 이 광상의 주변지질은 시생대의 그래뉼라이트(granulite)와 이를 관입한 고원생대의 미그마타이트질 화강암과 고-중원생대의 소딕(sodic) 화강암을 부정합으로 피복한 고원생대의 Liaohe 층군 및 이들을 관입한 중생대의 섬록암과 몬조나이틱 화강암으로 구성된다. 이 광상은 고원생대의 Liaohe 층군내 Langzishan 층 및 Dashiqiao 층내에서 층상 광체 및 맥상 광체로 산출되며 층준규제 퇴적분기형 또는 퇴적분기형 광상에 해당된다. 이 광상에서 산출되는 백색운모는 층상 광체에서만 산출되며 모암의 종류, 변질 정도, 광석광물의 유무 및 광체 형태에 따라 4 가지 형(I 형 백색운모 : 약변질(쇄설성 돌로마이트질 대리암), II 형 백색운모 : 강변질(돌로마이트질 쇄설성 암석), III 형 백색운모 : 층상광체(돌로마이트질 쇄설성 암석), IV 형 백색운모 : 층상 광체(쇄설성 돌로마이트질 대리암))으로 분류된다. I 형 백색운모는 약 변질정도를 갖는 쇄설성 돌로마이트질 대리암내 돌로마이트를 열수교대작용에 의한 돌로마이트화작용에 의해 형성된 돌로마이트와 함께 산출된다. II 형 백색운모는 강 변질정도를 갖는 돌로마이트질쇄설성 암석내 열수교대작용에 의한 칼리장석의 변질물이나 돌로마이트화작용에 의해 형성된 돌로마이트, 철백운석, 석영과 함께 산출된다. III 형 백색운모는 층상 광체를 갖는 돌로마이트질 쇄설성 암석내 열수교대작용에 의한 칼리장석의 변질물이나 돌로마이트화작용에 의해 형성된 철백운석, 방해석, 석영과 함께 산출된다. IV 형 백색운모는 층상 광체를 갖는 쇄설성 돌로마이트질 대리암내 열수교대작용에 의한 칼리장석의 변질물이나 돌로마이트, 석영과 함께 산출된다. 이들 백색운모의 화학조성은 각각 (K0.92-0.80Na0.01-0.00Ca0.02-0.01Ba0.00Sr0.01-0.00)0.95-0.83(Al1.72-1.57Mg0.33-0.20Fe0.01-0.00Mn0.00Ti0.02-0.00Cr0.01-0.00V0.00Sb0.02-0.00Ni0.00Co0.02-0.00)1.99-1.90(Si3.40-3.29Al0.71-0.60)4.00O10(OH2.00-1.83F0.17-0.00)2.00, (K1.03-0.84Na0.03-0.00Ca0.08-0.00Ba0.00Sr0.01-0.00)1.08-0.85(Al1.85-1.65Mg0.20-0.06Fe0.10-0.03Mn0.00Ti0.05-0.00Cr0.03-0.00V0.01-0.00Sb0.02-0.00Ni0.00Co0.03-0.00)1.99-1.93(Si3.28-2.99Al1.01-0.72)4.00O10(OH1.96-1.90F0.10-0.04)2.00, (K1.06-0.90Na0.01-0.00Ca0.01-0.00Ba0.00Sr0.02-0.01)1.10-0.93(Al1.93-1.64Mg0.19-0.00Fe0.12-0.01Mn0.00Ti0.01-0.00Cr0.01-0.00V0.00Sb0.00Ni0.00Co0.05-0.01)2.01-1.94(Si3.32-2.96Al1.04-0.68)4.00O10(OH2.00-1.91F0.09-0.00)2.00 및 (K0.91-0.83Na0.02-0.01Ca0.02-0.00Ba0.01-0.00Sr0.00)0.93-0.83(Al1.84-1.67Mg0.15-0.08Fe0.07-0.02Mn0.00Ti0.04-0.00Cr0.06-0.00V0.02-0.00Sb0.02-0.01Ni0.00Co0.00)2.00-1.92(Si3.27-3.16Al0.84-0.73)4.00O10(OH1.97-1.88F0.12-0.03)2.00 로써 이론적인 이중팔면체형 운모류 값보다 Si가 높고 K, Na, Ca는 낮으며 모두 백운모에 해당된다. 특히, Zhenzigou 연-아연 광상에서 산출되는 백색운모의 화학조성 변화는 팬자이틱 또는 Tschermark 치환[(Al3+)VI+(Al3+)IV <-> (Fe2+ 또는 Mg2+)VI+(Si4+)IV] 메카니즘에 의해 일어났으며 백색운모의 Fe는 Fe2+와 Fe3+ 로써 존재하지만 주로 Fe2+ 우세함을 의미한다. 따라서 Zhenzigou 연-아연 광상의 층상 광체에서 산출되는 백색운모들은 고원생대의 화성활동 및 녹색편암상의 변성작용에 의한 열수교대작용으로 기존에 산출되었던 광물들의 재용융 및 재침전 과정에서 형성되었으며 이들 백색운모의 화학조성 변화는 열수교대작용 동안 모암인 돌로마이트 및 쇄설성 암석의 함량 차이, 변질 정도 및 광석광물의 유무에 따른 팬자이틱 또는 Tschermark 치환[(Al3+)VI+(Al3+)IV <-> (Fe2+ 또는 Mg2+)VI+(Si4+)IV] 메카니즘에 의해 일어났음을 알 수 있다.
용융전로슬래그를 일반 포틀랜드 시멘트로 활용하기 위하여, 용융슬래그와 $C_3A(3CaO{\cdot}Al_2O_3)$가 반응하여 시멘트의 구성상인 $C_4AF$가 생성되는 기구와 생성속도를 조사하고자 한다. 전로슬래그에 소정의 $SiO_2$를 첨가하여 MgO도가니에 넣고 $1300^{\circ}C{\sim}1350^{\circ}C$에서 30분간 가열 용해하여 균질화 한 후, 같은 온도로 가열해 둔 소결 $C_3A$펠렛을 투입하여 $10{\sim}30$분간 반응시켰다. 반응 후, 급냉한 시편을 도가니의 직경방향으로 절단해서 펠렛 단면의 $C_3A$직경 변화를 측정하여 $C_3A$의 용해속도를 조사하고, 계면반응 생성상을 SEM/EDX로 관찰하였다. 그 결과 $C_3A$ 펠렛의 슬래그로의 용해속도는 $1300^{\circ}C$에서 $0.75{\times}10^{-4}(cm/sec)$으로부터 $1350^{\circ}C$에서 $1.67{\times}10^{-4}(cm/sec)$으로 증가하였으며, 슬래그와 $C_3A$ 펠렛 사이에 $C_4AF$와 $C_{12}A_7$의 혼합층이 생성됨을 알 수 있었다.
$Cr_{100-x}Ti_x$ amorphous texture-inducing layers (TIL) were investigated to realize highly (002) oriented $L1_0$ FePt-C granular films through hetero-epitaxial growth on the (002) textured bcc-$Cr_{80}Mn_{20}$ seed layer (bcc-SL). As-deposited TILs showed the amorphous phase in Ti content of $30{\leq}x(at%){\leq}75$. Particularly, films with $40{\leq}x{\leq}60$ kept the amorphous phase against the heat treatment over $600^{\circ}C$. It was found that preference of the crystallographic texture for bcc-SLs is directly affected by the structural phase of TILs. (002) crystallographic texture was realized in bcc-SLs deposited on the amorphous TILs ($40{\leq}x{\leq}70$), whereas (110) texture was formed in bcc-SLs overlying on crystalline TILs (x < 30 and x > 70). Correlation between the angular distribution of (002) crystal orientation of bcc-SL evaluated by full width at half maximum of (002) diffraction (FWHM) and a grain diameter of bcc-SL indicated that while the development of the lateral growth for bcc-SL grain reduces FWHM, crystallization of amorphous TILs hinders FWHM. $L1_0$ FePt-C granular films were fabricated under the substrate heating process over $600^{\circ}C$ with having different FWHM of bcc-SL. Hysteresis loops showed that squareness ($M_r/M_s$) of the films increased from 0.87 to 0.95 when FWHM of bcc-SL decreased from $13.7^{\circ}$ to $3.8^{\circ}$. It is suggested that the reduction of (002) FWHM affects to the overlying MgO film as well as FePt-C granular film by means of the hetero-epitaxial growth.
Lim, W.C.;Okamura S.;Tezuka N.;Inomata K.;Bae, J.Y.;Kim, H.J.;Kim, T.W.;Lee, T.D.
Journal of Magnetics
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제11권1호
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pp.8-11
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2006
Recently half-metallic full-Heusler alloy films have attracted significant interests for spintronics devices. As these alloys have been known to have a high spin polarization, very large TMR ratio is expected in magnetic tunnel junctions. Among these alloys, $Co_2MnSi$ full-Heusler alloy with a high spin polarization and a high Curie temperature is considered a good candidate as an electrode material for spintronic devices. In this study, the magnetic and structural properties of $Co_2MnSi$ Heusler alloy films were investigated. TMR characteristics of magnetic tunnel junctions with a $Co_2MnSi/SiO_2/CoFe$ structure were studied. A maximum MR ratio of 39% with $SiO_2$ substrates and 27% with MgO(100) substrates were obtained. The lower MR ratio than expectation is considered due to off-stoichiometry and atomic disorder of $Co_2MnSi$ electrode together with oxidation of the electrode layer.
Various fluoride films were investigated for a gate insulator of thin film transistor application. Conventional oxide containing materials like $SiO_2\;Ta_2O_5\; and \; Al_2O_3$ exhibited high interface states which lead to an increased threshold voltage and poor stability of TFT. In this paper, we investigated gate insulators using a binary matrix system of fluoride such as $CaF_2,\; SrF_2\; MgF_2,\; and\; BaF_2$. These materials exhibited an improvement in lattice mismatch, interface state and electrical stability. MIM and MIS devices were employed for an electrical characterization and structural property examination. Among the various fluoride materials, $CaF_2$ film showed an excellent lattice mismatch of 5%, breakdown electric field higher than 1.2MV/cm and leakage current density of $10^{-7}A/cm^2$. MIS diode having $Ca_2$ film as an insulation layer exhibited the interface states as low as $1.58\times10^{11}cm^{-2}eV^{-1}$. This paper probes a possibility of new gate insulator materials for TFT applications.
Identification of a soil microorganism strain X-8, producer of ${\beta}$-lactamase inhibitor, based on its morphological, physiological, biochemical and chemotaxonomical characteristics was performed. The strain X-8 was identified as Pseudomonas sp. The beta-lactamase inhibitor produced by this strain was highly achieved in fermentation medium contained glucose 0.5%, urea 0.25%, $K_2HPO_4{\cdot}3H_2O\;0.5%,\;MgSO_4{\cdot}7H_2O\;0.5%,\;FeSO_4{\cdot}7H_2O\;0.01%,\;CuSO_4,\;ZnSO_4,\;MnSO_4\;0.02%$. The beta-lactamase inhibitor was not extracted by organic solvent such as n-butanol and ethyl acetate but remained in aqueous layer. The n-butanol extract showed antimicrobial activity against M. smegmatis. The ${\beta}$-lactamase inhibitor was stable at pH 7.0~8.0 and 4$^{\circ}C$ for 24h. The ${\beta}$-lactamase inhibitor was bound on ion exchanger Diaion WA-30 and HP-20 and eluted with 2N-$NH_4OH$ and acetone, respectively.
무기EL 디스플레이는 고체재료에 전계를 가했을 때 발광하는 현상을 이용한소자로서, 급속도로 발전을 거듭하고 있으나, 유전체층에 강한전계를 가하여 발광하여야 하므로 낮은 Breakdown voltage와 효율의 한계로 인하여 휘도가 낮고 풀 컬러화 디스플레이 등 의 응용에는 적용되고 있지 못하는 실정이다. 본 연구에서는 강유전체 Perovskite 구조를 가지는 ABO3 물질 중 PMN(Lead Magnesium niobate) 과 PZT (Lead Zirconate titanate) 후막을 제조하여 Inorganic EL(Electro Luminance)에 적용하고 소자의 광전특성을 평가하였다. 소자에 사용된 기판은 고온소성에 알맞은 알루미나(Al2O3)기판을 채택 하였으며, 그 위 하부전극으로는 고온소성에 따른 화학적 안정성이 우수한 Au전극을 Screen Printing 하였다. 제조 되어진 PMN후막 페이스트는 PMN(Pb(Mg1/2 Nb2/3)O3) + Glass Frit(Pb-Zn-B) + BaTiO3(99.99%) 로 합성되었으며 하부전극위에 인쇄하였다. 그 다음 PZT sol-gel을 Spin coating으로 도포 하였다. 형광체로 ZnS:Cu.Cl 을 Screen Printing을로 형성하였으며, 평탄화를 위하여 유기물 충을 Screen Printing 공정으로 성막 하였다. 상부전극으로는 DC sputter로 ITO를 증착하여 EL소자 완성 후 Spectro - Chroma meter로 소자특성을 측정하였다. 평탄화를 통한 유기물층에 변화되는 Capacitance를 Oscilloscope로 전압 전류 pulse의 변화에 따른 opto-electronic 특성을 평가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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