• 대한전자공학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.1-8
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• 1976

게이트의 길이가 2mm인 GaAb 금속반도체전계치과트랜지스터를 HP8545 자동회로망분석기에 의하여 주파수 1∼2GHz 사이에서 산란계수를 측정하였고, 산란계수의 도움으로 완전한 등가회로를 구현하였다. 본 논문에서는 50Ω의 높은 입출력 Impedance로 정합시키기 위하여 Microstrip을 사용하여 GaAs MESFET증폭기를 개발하였으며 전력이득이 8dB, 정재파비가 1.5보다 적은 결과를 얻었다. Microwave GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistors (MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain is less than 8dB and VSWR is less than 1.5 in L-Band.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.969-977
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• 1996

본고에서는 여러가지 Wide Band-gap중에서 특히 최근에 많은 관심을 끌고 있는 GaN와 4H-SiC, 6H0SiC의 전자기적 물성을 소개하고 현재 이들로부터 제작된 prototype소자들의 성능을 비교함으로써 그 발전현황을 알아보기로 한다. 본고에서 관심을 두는 소자분야는 광전소자(optoelectronic devices)라기보다는 고주파 고출력용 전력소자임을 밝힌다. 아울러 GaN로부터 제작된 MESFET(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)소자의 고주파 대역에서의 Large-Signal특성을 Device/Circuit Model을 통하여 실험치와 비교하여보고 이로부터 최적화된 channel 구조를 갖는 소자구조에서의 RF특성을 조사한다.

• ETRI Journal
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• 제16권4호
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• pp.1-11
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• 1995

A GaAs power metal semiconductor field effect transistor (MESFET) operating at a voltage as low as 3.3V has been developed with the best performance for digital handheld phone. The device has been fabricated on an epitaxial layer with a low-high doped structure grown by molecular beam epitaxy. The MESFET, fabricated using $0.8{\mu}m$ design rule, showed a maximum drain current density of 330 mA/mm at $V_{gs}$ =0.5V and a gate-to-drain breakdown volt-age of 28 V. The MESFET tested at a 3.3 V drain bias and a 900 MHz operation frequency displayed an output power of 32.5-dBm and a power added efficiency of 68%. The associate power gain at 20 dBm input power and the linear gain were 12.5dB and 16.5dB, respectively. Two tone testing measured at 900.00MHz and 900.03MHz showed that a third-order intercept point is 49.5 dBm. The power MESFET developed in this work is expected to be useful as a power amplifying device for digital hand-held phone because the high linear gain can deliver a high power added efficiency in the linear operation region of output power and the high third-order intercept point can reduce the third-order intermodulation.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.678-686
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• 2001

CaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 소자의 전달컨덕턴스 분산 (transconductance dispersion) 현상과 게이트 누설 전류의 원인을 capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) 측정을 이용하여 해석하였다. DLTS 스펙트럼에서는 활성화 에너지가 각각 0.65×0.07 eV와 0.88 × 0.04 eV인 두개의 표면 결함과 0.84 × 0.01 eV의 활성화 에너지를 갖는 EL2를 관찰하였다. 전달컨덕턴스 분산 측정 결과, 전달컨덕턴스는 5.5 Hz ∼ 300 Hz의 주파수 영역에서 감소하였다. 전달컨덕턴스 분산을 온도의 함수로 측정한 결과, 온도가 증가할수록 전이 주파수는 증가하였고 전이 주파수의 온도 의존성으로부터 0.66 ∼ 0.02 eV의 활성화 에너지를 구할 수 있었다. 게이트 누설 전류 측정에서는 0.15 V 이하의 게이트 전압에서 순 방향과 역 방향 게이트 전압이 일치하는 오믹 전류-전압 특성을 나타내었고 게이트 누설 전류의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지는 0.63 ∼ 0.01 eV로 계산되었다. 서로 다른 방법으로 구한 활성화 에너지의 비교로부터 표면 결함 H1이 주파수에 따라서 감소하는 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 누설 전류의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제8권4B호
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• pp.536-540
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• 1999

We have developed a refractory WNx self-aligned gate GaAs metal-semiconductor field-effect transistor(MESFET) using $SiO_2$ side-wall process. The MESFET hasa fully ion-implanted, planar, symmetric self-alignment structure, and it is quite suitable for integration. The uniform trans-conductance of 354nS/mm up to Vgs=+0.6V and the saturation current of 171mA/mm were obtained. As high as 43GHz of cut-off frequency hs been realized without any de-embedding of parasitic effects. The refractory WNx self-aligned gate GaAs MESFET technology is one of the most promising candidates for realizing linear power amplifier ICs and multifunction monolithic ICs for use in the digital mobile communication systems such as hand-held phone(HHP), personal communication system (PCS) and wireless local loop(WLL).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.895-900
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• 2000

In this paper, C-V characteristics based on the structure of GaAs MESFET’s has been proposed with wide range of applied voltages and temperatures. Small signal capacitance; gate-source and gate-drain capacitances are represented by analytical expressions which are classified into two different regions; linear and saturation regions with bias voltages. The expression contains two variables; the built-in voltage( $V_{vi}$ )and the depletion width(W). Submicron gate length MESFETs has been selected to prove the validity of the theoretical perdiction and shows good agreement with the experimental data over the wide range of applied voltages.

• ETRI Journal
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• 제10권1호
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• pp.64-75
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• 1988

GaAs 등 화합물 반도체는 그 표면구조가 아직 확립되어 있지 않고, 표면조건이 소자특성에 큰 영향을 미친다. 소자공정중 이온주입 공정은 self-aligned MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 제작에 필수적인 기술이나, 이온 주입시 수 $\AA$ 크기의 vacancy 등 격자결함이 발생하며 이들 결함을 제어할 수 있는 기술이 필요하다. 에너지 가변 양전자 소멸기술은 표면에서 $1\mum$정도내에 존재하는 vacancy 형태의 격자결함을 감지해 낼 수 있으며 이들 격자결함의 depth profiling을 할 수 있는 기술이다. 본 고에서는 에너지 가변 양전자 소멸기술의 원리 및 최근 연구결과에 대해서 살펴보기로 한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권6호
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• pp.41-50
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• 1995

A state-of-the-arts GaAs power metal semiconductor field effect transistor (MESFET) for 3.3V operation digital hand-held phone at 900 MHz has been developed for the first time, The FET was fabricated using a low-high doped structures grown by molecular beam epitaxy (MBE). The fabricated MESFETs with a gate width of 16 mm and a gate length of 0.8 .mu.m shows a saturated drain current (Idss) of 4.2A and a transconductance (Gm) of around 1700mS at a gate bias of -2.1V, corresponding to 10% Idss. The gate-to-drain breakdown voltage is measured to be 28 V. The rf characteristics of the MESFET tested at a drain bias of 3.3 V and a frequencyof 900 MHz are the output power of 32.3 dBm, the power added efficiency of 68%, and the third-ordr intercept point of 49.5 dBm. The power MESFET developed in this work is expected to be useful as a power amplifying device for digital hand-held phone because the high linear gain can deliver a high power added efficiency in the linear operation region of output power and the high third-order intercept point can reduce the third-order inter modulation.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.53-56
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• 2003

전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1dB가 12.1dB이고 P1dB가 30dBm인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850 MHz와 1851.23 MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22dB 개선되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권7호
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• pp.1369-1373
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• 2003

전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형 전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1㏈가 12.1㏈이고 P1㏈가 30㏈m인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850MHz와 1851.23MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22㏈ 개선되었다.