• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.31-36
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• 2024

최근 AI 기술을 활용하는 모바일 앱이 늘고 있다. 개인용 모바일 환경에서는 메모리 용량의 제약으로 인해 대용량 데이터로 구성된 워크로드의 학습 시 극심한 성능 저하가 발생할 수 있다. 본 논문에서는 이러한 현상을 규명하기 위해 AI 워크로드의 메모리 참조 트레이스를 추출하고 그 특성을 분석하였다. 그 결과 AI 워크로드는 메모리 쓰기 연산시 약한 시간지역성과 불규칙한 인기편향성 등으로 인해 잦은 스토리지 접근을 발생시켜 모바일 기기의 성능을 저하시킬 수 있음을 확인하였다. 이러한 분석을 토대로 본 논문에서는 AI 워크로드의 메모리 쓰기 연산을 영속 메모리 기반의 스왑 장치를 이용해서 효율적으로 관리할 수 있는 방안에 대해 논의하였다. 시뮬레이션을 통해 본 연구에서 제안한 구조가 기존의 모바일 시스템 대비 80% 이상 입출력 시간을 개선할 수 있음을 보였다.

• Journal of Magnetics
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• 제21권2호
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• pp.159-163
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• 2016

Antiferromagnet (AFM)/ferromagnet (FM) bilayer structures are widely used in the magnetic devices of sensor and memory applications, as AFM materials can induce unidirectional anisotropy of the FM material via exchange coupling. The strength of the exchange coupling is known to be sensitive to quality of the interface of the AFM/FM bilayers. In this study, we utilize proton irradiation to modify the interface structures and investigate its effect on the magnetic properties of AFM/FM structures, including the exchange bias and magnetic thermoelectric effect. The magnetic properties of IrMn/CoFeB structures with various IrMn thicknesses are characterized after they are exposed to a proton beam of 3 MeV and $1{\sim}5{\times}10^{14}ions/cm^2$. We observe that the magnetic moment is gradually reduced as the amount of the dose is increased. On the other hand, the exchange bias field and thermoelectric voltage are not significantly affected by proton irradiation. This indicates that proton irradiation has more of an influence on the bulk property of the FM CoFeB layer and less of an effect on the IrMn/CoFeB interface.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권1호
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• pp.13-18
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• 1999

본 논문은 서로 두께가 다른 실리콘 산화막의 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도를 조사하였다. 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도는 인가 시간 동안의 전류와 인가 후의 전류로 구성되어 있다. 인가 시간 동안의 트랩밀도는 직류 전류로 구성되었으며 인가 후의 트랩 밀도는 계면에서 트랩의 충전과 방전에 의한 터널링에 희해 야기되었다. 스트레스 인가 동안의 트랩밀도는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용되며 스트레스 인가 후의 트랩밀도는 비휘발성 기억소자의 데이터 유지 특성을 평가하는데 사용된다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1990년도 한국자동제어학술회의논문집(국제학술편); KOEX, Seoul; 26-27 Oct. 1990
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• pp.1222-1227
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• 1990

The problem of identification of continuous systems is considered when both the discrete input and output measurements are contaminated by white noises. Using a predesigned digital low-pass filter, a discrete-time estimation model is constructed easily without direct approximations of system signal derivatives from sampled data. If the pass-band of the filter is designed so that it includes the main frequencies of both the system input and output signals in some range, the noise effects are sufficiently reduced, accurate estimates can be obtained by least squares(LS) algorithm in the presence of low measurement noises. Two classes of filters(infinite impulse response(IIR) filter and finite impulse response(FIR) filter) are employed. The former requires less computational burden and memory than the latter while the latter is suitable for the bias compensated least squares(BCLS) method, which compensates the bias of the LS estimate by the estimates of the input-output noise variances and thus yields unbiased estimates in the presence of high noises.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.153-156
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• 2005

원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한 $Al_2O_3$의 건식식각 특성을 연구하였다. 전자 싸이클로트론 공진 (electron cyclotron resonance : ECR) 방식의 건식식각장치에서 source power, bias power, 압력 그리고 $Cl_2$ 가스를 변수로 하여 $Al_2O_3$의 식각속도와 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비를 측정하였다. bias power가 감소할수록 그리고 압력이 증가할수록 $Al_2O_3$의 식각속도는 감소하였고 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비는 증가하였다. 이 특성을 이용하여 TiN/$Al_2O_3$/Poly-Si 구조의 캐패시터와 Periphery 회로영역의 레지스터를 $Al_2O_3$를 식각 정지막으로 이용하여 구현하였다.

• 한국심리학회지 : 문화 및 사회문제
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• 제23권2호
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• pp.271-293
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• 2017

그동안 행복에 있어 가장 활발하게 논의된 것은 다른 이들과의 사회적 상호작용이다. 그러나 사람들은 삶의 약 삼분의 일 가량을 잠을 자는데 사용하며, 자는 동안 우리는 본질적으로 홀로다. 이에 본 연구는 수면의 질이 행복에 미치는 영향 및 그 기제를 밝히는 데 목적을 두었다. 특히 수면이 기억의 응고화에 중요한 역할을 담당한다는 선행 연구를 토대로 수면의 질이 기억의 긍정성 편향을 이끎으로써 행복에 기여할 것이라고 가정하였다. 연구 결과, 수면의 질은 인구통계학적 변인, 사회적 변인 및 경제 수준을 통제하고서도 삶의 만족도와 유의한 정적 상관이 있었다(연구 1). 이어지는 연구에서는 인과관계를 검토하기 위해 시간 간격을 두고 설문을 두 차례 반복 실시하였다. 그 결과, 기저선 수준을 통제하고서도 2주 동안(연구 2) 그리고 하루 동안(연구 3)의 좋은 수면은 삶의 만족도를 높이는 데 기여하였다. 나아가 이러한 수면과 행복의 관련성은 부분적으로 기억의 긍정성 편향에 기인한 것으로 나타났다(연구 3). 즉, 잠을 잘 자는 것은 사람들로 하여금 일상의 기억을 보다 긍정적으로 재구성토록 이끌며, 이는 결과적으로 삶의 만족도를 높인다는 것이다. 본 연구는 수면이라는 다소 간과되어온 행복의 비사회적 원천에 대한 흥미로운 논의를 제공한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.67-68
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• 2006

Floating gate non-volatile memory devices with Au nano-particles embedded in SiON or $SiO_2$ dielectrics were fabricated by digital sputtering method. The size and the density of Au are 4nm and $2{\times}10^{-12}cm^{-2}$, respectively. The floating gate memory of MOSFET with 5nm tunnel oxide and 45nm control oxide have been fabricated. This devices revealed a memory effect which due to proGrainming and erasing works perform by a gate bias stress repeatedly.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.95-96
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• 2009

A fully depleted capacitorless 1-transistor dynamic random access memory (FD 1T-DRAM) based on a sSOI strained-silicon-on-insulator) wafer was investigated. The fabricated device showed excellent electrical characteristics of transistor such as low leakage current, low subthreshold swing, large on/off current ratio, and high electron mobility. The FD sSOI 1T-DRAM can be operated as memory device by the floating body effect when the substrate bias of -15 V is applied, and the FD sSOI 1T-DRAM showed large sensing margin and several milli seconds data retention time.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권8호
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• pp.813-818
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• 1996

Amorphous As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ device shows the memory switching characteristics under d.c. bias. In bulk material, a-As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ switching threshold voltage (V$_{th}$) is very high (above 100 volts), but in the case of thin film, V$_{th}$ decreases to a few or ten a few volts. The characteristics of V$_{th}$ depends on the physical dimensions such as the thickness of thin film and the separation between d.c. electrodes, and the annealing conditions. The switching threshold voltage decreases exponentially with increasing annealing temperature and annealing time, but increases linearly with the thickness of thin film and exponentially with increasing the separation between d.c. electrodes. The desirable low switching threshold voltage, therefore, can be obtained by the stabilization through annealing and changing physical dimensions.imensions.sions.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권5호
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• pp.290-292
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• 2015

We have reported about bipolar resistive switching effect on Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]:Graphene oxide composite films, which are sandwiched between aluminum and indium tin oxide electrodes. In this case, I-V sweep curve showed a hysteretic behavior, which varied according to the polarity of the applied voltage bias. The device exhibited excellent switching characteristics, with the ON/OFF ratio being approximately two orders in magnitude. The device had good endurance (10⁵ cycles without degradation) and long retention time (5 × 10³ s) at room temperature. The bistable switching behavior varied according to the trapping and de-trapping of charges on GO sites; the carrier transport was described using the space-charge-limited current (SCLC) model.