We have investigated the electrical characteristics of a MOSFET-structured silicon field emitter by employing Maxwell 2D and Silvaco simulators. The potential distribution is obtained by Maxwell 2D simulator and the field emission current is calculated by Fowler-Nordheim equations. The characteristics of MOSFET is simulated by Silvaco simulator. Simulated results are almost identical to the experimental results. Also, we have studied the emission characteristics as funtions of several geometric parameters.
본 논문에서는 고성능의 극소형, 솔레노이드 형태의 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 제작된 RF 칩 인덕터의 크기는 1.0×0.5×0.5㎣ 이었다. 코아의 재료 (96% Al₂O₃)와 모양 (I-type)은 인덕터의 성능을 극대화시키도록 Maxwell three-dimensional field simulator를 이용하여 결정되었다. 40㎛의 직경을 가진 가는 구리(Cu)도선을 코일로 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스 (L), 품질계수 (Q), 그리고 커패시턴스 (C) 들에 대한 고주파 특성은 RF 임피던스/재료 분석기 (HP16193A 시험 fixture가 장착된 HP4291B)를 사용하여 측정되었다. 개발된 인덕터들은 230MHz - 1 GHz의 주파수 영역에서 11 - 39 nH 범위의 인덕턴스 값과 28 - 50 범위의 품질계수 값을 가지는데 이는 전 세계적으로 가장 좋은 칩 인덕터 업체 중의 하나인 CoilCraft/sup Tm/에 의해 생산된 인덕터들의 특성과 유사한 결과를 나타내고 있다. 시뮬레이션 데이터는 개발된 인덕터의 L, Q, C 등의 고주파 특성을 잘 예측하고 있다.
In high frequency range, RF circuit design without considering shielding effect can cause several significant changes due to increase in parasitic capacitance and inductance between RF signal lines and shielding box. In this paper, bandpass filter has been made to measure the shielding effect and its s-parameter has been measured by Vector Network Analyzer (VNA). Equivalent circuit model including the shielding effect has been constructed with the lumped elements extracted from the 3D electromagnetic simulator, Maxwell SI. Then, the validity of the model is verified using microwave circuit simulator, ADS (Advanced Design System).
In this study, the optimum structure of a magnetic thin film inductor was designed for application of DC-DC converters. The Ni$\sub$81/Fe$\sub$19/ (at%) alloy was selected as a high-frequency($\geq$MHz) magnetic thin film magnetron sputtering system. As-deposited NiFe thin films show similar magnetic properties compared to bulk NiFe alloys, indicating that they have a good film quality. The optimum design of dolenoid-type magnetic thin film inductors was performed utilizing a Maxwell computer simulator (Ansoftt HFSS V7.0 for PC) and parameters obtained from the magnetic properties of magnetic core materials selected. The high-frequency characteristics of the inductance(L) and quality factor(Q) obtained for the designed inductors through simulation agreed well with those obtained by theoretical calculations, confirming that the simulated result is realistic. The optimum structure of high-performance (Q$\geq$60, L = 1${\mu}$H, efficiency $\geq$90%), high-frequency ($\geq$5MHz), and solenoid-type magnetic thin film inductors was designed successfully.
In this paper, the low power (1.5 W) solenoid-type magnetic thin-film transformers utilizing a $Ni_{81}Fe_{19)$ core material were designed and fabricated for 5 MHz-drive DC-DC converter application. The $20\mum$ thick copper films were used as the coils. The transformers fabricated in this work have the sizes of $3.08 mm\times25.5 mm\; and\; 6.15 mm\times12.75 mm.$ The optimum design of solenoid-type magnetic thin film transformers was performed utilizing the conventional equations, a Maxwell computer simulator (Ansoft HFSS V7.0 for PC), and parameters obtained from the magnetic properties of NiFe magnetic core materials. frequency characteristics of inductance, dc resistance (R), coupling factor (k) and gain of developed transformers were measured using HP4194A impedance and gain-phase analyzer. The fabricated transformers with the size of $6.15 mm\time12.75 mm$ exhibit the inductance of $0.83 \muH$, the dc resistance of $2.3\Omega$$\Omega$, the k of 0.91 and the gain of -1 dB at 5 MHz, which show the comparable results to those reported in the recent literatures. The measured high-frequency characteristics for the fabricated transformers agreed well with those obtained by theoretical calculations .
In the present work, we have developed the simulator to optimize the process conditions of the AR(antireflection) and HR(high-reflection) coatings for the high power laser diode. The simulator can run on the PC. After making the simple optical model, we establish the Maxwell equations for the model by the operator conversion. By using the Mathematica, we derive a matrix for the multilayer system by applying the equations to the model and optimize the AR and HR coating process conditions by obtaining the reflection rate from the matrix. We also prove the validity of the simulator by comparing the simulation with the characteristics of the laser diode which is AR and HR coated according to the optimized conditions.
As the power demands increases, one of the most important data is inside electric field of equipment in designing of insulators ami insulated wire for EHV distribution line. So far finite element analysis method is widely used to calculate this electric field. However as the shape of insulator becomes complicated, it is difficult in producing the mesh which suitable the shape. Especially, we have many difficulty that produce dense fine mesh only where the electric field is concentrated. Therefore in this paper, we perform the each conditional analysis of electric field using the Maxwell 3D Simulator to recover this defects. And we try to analyze electric field through the conventional 2 dimensional and 3 dimensional analysis in case of salt contamination on the surface of a insulator.
In this paper, a new structure and fabrication method for the wafer level package(WLP) is presented. A packaged VLSI chip is encapsulated by a parylene(which is a low k material) layer as a dielectric layer and is molded by SUB photo-epoxy with dielectric constant of 3.0 at 100 MHz. The electrical parameters (R, L, C) of package traces are extracted by using the Maxwell 3-D simulator. Based on HSPICE simulation results, the proposed wafer level package can operate for frequencies up to 20GHz.
This paper describes electric field analysis and design of direct current arresters for electric traction vehicles. Generally, DC arresters are used to protect the electric traction to limit the overvoltage invading into its inner electrical circuits. We could proposed operating voltage(Uc), the rated voltage(Ur). Finally maxwell 2D simulator based on the boundary element method was also introduced in order to verify the reliability of the DC arresters.
시설물이나 장비로 surge wave가 유입되는 것을 방지하기 위해서는 접지시스템의 접지저항을 수 $\Omega$ 정도로 낮추어야 하지만 시공비를 낮추기 위하여 적절한 접지저항 값을 결정하는 것이 중요한 문제이다. 본 연구에서는 접지저항 simulator를 이용하여 최적화된 경제적 접지저항(임피던스) 값을 설정하였으며 수용성 알칼리족 원소와 활성탄소를 주성분으로 하는 새로운 접지충진제를 개발하여 접지품질을 개선하기 위한 전기적 특성을 평가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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