• 한국진공학회지
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• 제19권2호
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• pp.155-160
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• 2010

상변화 메모리 소자 제작 공정의 단위 스텝인 최종 열처리의 온도가 상변화 메모리 소자 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) 박막을 활성 물질로 하는 기공(pore) 구조의 단위 상변화 메모리 소자를 제작하고, $160^{\circ}C$에서 $300^{\circ}C$까지의 온도 범위에서 최종 열처리를 실시하였다. 상변화 메모리 소자의 SET 저항에서 RESET 저항으로의 셀 저항 변화 양상은 최종 열처리 온도에 따라 큰 차이를 나타내었다. 정상적인 상변화 메모리 동작 특성을 얻을 수 있는 임계 열처리 온도가 존재하며, 열처리 온도가 그 온도에 비해 상대적으로 높거나 낮은 경우에는 소자가 오동작하거나 불안정하게 동작하는 것을 확인하였다. 이러한 열처리 온도의 효과는 열에너지에 따른 상부전극-GST 박막-발열층 다층 구조의 열적 안정성과 밀접한 관련이 있는 것으로 보인다.

• 한국식품과학회지
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• 제24권2호
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• pp.122-126
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• 1992

츄잉껌의 shelf-life 예측을 위하여 유통중인 제품과 동일한 시료를 조제하여 상대습도를 달리한 저장조건에서 포장된 츄잉껌의 수증기투과율, 흡탈습곡선의 온도의존성을 고찰하고 츄잉껌의 상품적 가치를 유지하는 수분함량 $2.17{\sim}3.16%(dry\;basis)$을 기준으로 품질수명을 예측하였다. 포장된 츄잉껌 1통 (7 sticks)의 수증기 투과율은 0.00045g water/pack day mmHg였으며 25, 30 및 $40^{\circ}C$에서 얻은 등온흡습곡선의 온도의존성은 Clausius-Clapeyron 식으로 표현될 수 있었다. 서울지역 기후변동에 따른 츄잉껌 1통의 수분변화량을 simulation 시켜 위험수분함량에 도달하는 품질수명을 예측한 결과 10, 11월에 생상된 제품의 품질수명은 7개월 정도로 가장 길었고 6, 7월에 생산된 제품은 평균 40일로 나타났으며 1년중 7월의 기후가 제품 보관에 가장 큰 영향을 주었다.

• 한국기록관리학회지
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• 제16권2호
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• pp.113-142
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• 2016

사회의 다양한 모습을 기록으로 남기려는 민간 공동체 아카이브 구축이 증가함에 따라 사회적 소수자들에 대한 아카이브 구축에 대한 관심도 증가하였다. 이에 성적 소수자들의 기록에 초점을 맞추어 국내 퀴어 아카이브인 '퀴어락(Queerarch)'을 중심으로 기록물 구축현황을 알아보고 퀴어기록의 특성과 퀴어락 기술요소의 문제점을 파악하였다. 퀴어락 기술요소의 문제점으로 제시된 집합적 기술과 다계층 기술의 부재, 퀴어 기록의 특성을 충분히 반영하지 못했다는 점을 보완할 수 있는 방안을 마련하고자 ISAD(G), MAD, RAD 등의 기술규칙을 참고하여 새로운 기술요소를 제안하였다.

• Biotechnology and Bioprocess Engineering:BBE
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• 제3권1호
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• pp.1-5
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• 1998

One cervical cancer cell line, C9, carrying human papillomavirus type 18 (HPV18) genes that is one of the major etiologic concoviruses for cervical cancer was characterized. This cell line was further characterized for its capacity related to the epithelial cell proliferation, stratification and differentiation in reconstituted artificial epithelial tissue. The in vitro construction of three dimensional artificial cervical opithelial tissue has been engineered using C9 epithelial cancer cells, human foreskin fibroblasts and a matrix made of type I collagen by organotypic culture of epithelial cells. The morphology of paraffin embedded artificial tissue was examined by histochemical staining. The artificial epithelial tissues were well developed having multilayer. However, the tissue morphology was similar to the cervical tissus having displasia induced by HPV infection. The characteristics of the artificial tissues were examined by determinining the expression of specific marker proteins. In the C9 derived artificial tissues, the expression of EGF receptor, as epithelial proliferation marker proteins for stratum basale was observed up to the stratum spinosum. Another epithelial proliferation marker for stratum spinosum, cytokerations 5/6/18, were observed well over the stratum spinosum. For the differentiation markers, the expression of involucrin and filaggrin were observed while the terminal differentiation marker, cytokeratins 10/13 was not detected at all. Therefore the reconstituted artificial epithelial tissues expressed the same types of differentiation marker proteins that are expressed in normal human cervical epithelial tissues but lacked the final differentiation capacity representing characteristics of C9 cell line as a cancer tissue devived cell line. Expression of HPV18 E6 oncoprotein was also observed in this artifical cervical opithelial tissue though the intensity of the staining was weak. Thus this artificial epithelial tissue could be used as a useful model system to examine the relationship between HPV-induced cervical oncogenesis and epithelial cell differentiation.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권10호
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• pp.1040-1048
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• 1998

Ferroelectric properties of{{{{ { { { {SrBi }_{2 }Ta }_{2-x }Nb }_{x }O }_{9 } }} (SBIN) thin films were affected by the amount of Bi content in SBTN. The addition of Bi into the SBTN films could be accomplished by heat treating SBTN/Bi2O3/SBTN het-erostructures fabricated by r.f. magnetron sputtering method. The variation of Bi content was controlled by changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in SBTN/Bi2O3/SBTN heterostructure from 50 to 400$\AA$. As changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in Bi2O3 films was increased from 0 to 100$\AA$ the grain grew faster and the ferroelectric pro-perties were improved. On the other hand when the thickness of Bi2O3 films was thicker than 150$\AA$ the fer-roelectric properties were deteriorated Especially for SBTN thin films inserted by 400$\AA$ Bi2O3 layer a Bi2Phase appeared as a second phase resulting in poor ferroelectric properties. The maximum remanent po-larization (2Pr) and coercive field(Ec) were obtained for the SBTN/Bi2O3/(100$\AA$)/SBTN thin films. In this case 2Pr and Ec were 14.75 $\mu$C/cm2 and 53.4kV/cm at an applied voltage of 3V respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제49권6호
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• pp.631-636
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• 2012

Conventional SONOS (poly-silicon/oxide/nitride/oxide/silicon) type memory is associated with a retention issue due to the continuous demand for scaled-down devices. In this study, $Al_2O_3/Y_2O_3/SiO_2$ (AYO) multilayer structures using a high-k $Y_2O_3$ film as a charge-trapping layer were fabricated for nonvolatile memory applications. This work focused on improving the retention properties using a $Y_2O_3$ layer with different tunnel oxide thickness ranging from 3 nm to 5 nm created by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The electrical properties and reliabilities of each specimen were evaluated. The results showed that the $Y_2O_3$ with 4 nm $SiO_2$ tunnel oxide layer had the largest memory window of 1.29 V. In addition, all specimens exhibited stable endurance characteristics (program/erasecycles up to $10^4$) due to the superior charge-trapping characteristics of $Y_2O_3$. We expect that these high-k $Y_2O_3$ films can be candidates to replace $Si_3N_4$ films as the charge-trapping layer in SONOS-type flash memory devices.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권4호
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• pp.47-53
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• 2002

본 연구에서는 습식법으로 합성된 초미세분말을 원료로 사용하여 제조된 (NiCuZn)-ferrite와 시약급원료를 사용하여 제조된 (NiCuZn)-ferrite의 저온소결 특성 및 전자기적 특성을 고찰하고, 상호 비교 분석하였다. 조성은$(Ni_{0.4-x}Cu_xZn_{0.6})_{1+w}(Fe_2O_4)_{1-w}$에서 x의 값을 0.2, w의 값은 0.03으로 고정하였고, 소결은 습식법으로 합성된 분말의 경우, 초기열처리과정을 거쳐 최종적으로 $900^{\circ}C$에서, 건식법의 경우 $1150^{\circ}C$의 온도에서 진행하였다. 그 결과, 습식법으로 제조된 (NiCuZn)-ferrite는 건식법으로 제조된 (NiCuZn)-ferrite보다 $200^{\circ}C$이상 낮은 소결온도에서 높은 소결밀도 값을 가졌으며, 품질계수 등 칩인덕터에서 중요한 요소인 전자기적 특성이 우수하게 나타났다. 또한, 습식법으로 합성된 페라이트는 분말의 초기열처리온도에 따라 최종소결 특성이 크게 변하였다. 그 밖에 습식법과 건식법으로 합성한(NiCuZn)-ferrite의 결정성, 미세구조들을 XRD, SEM, TEM을 이용하여 비교 고찰하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.285-288
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• 2005

신경회로망은 지능제어알고리즘 중의 하나로 학습능력을 가지고 있다. 이러한 학습능력 때문에 많은 분야에서 널리 사용되고 있으나, 지능제어의 단점인 안정도 문제를 수학적으로 증명하기 어렵다는 문제점을 갖고 있다. 본 논문에서는 신경회로망의 한 종류인 RBFN과 적응제어기법을 이용하여 로봇 매니퓰레이터 궤적 제어기를 구성하고 자 한다. 본 논문에서는 RBFN의 파라메터들을 적응제어기법을 이용하여 수학적으로 구하였고, 시스템의 안정도를 수학적으로 UUB를 만족한다는 것을 증명하였다. 그리고 수평다관절로봇 매니퓰레이터 궤적제어기에 적용하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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• pp.65-67
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• 1990

In this study, (0.80-x)Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-$PbTiO_3$-Pb($Ni_\frac{1}{2}W_\frac{1}{2}$)$O_3$ 0.05$\leq$x$\leq$0.20) ceramics were fabricated by the mixed oxide method, the sintering temperature and time were 950∼1200[$^{\circ}C$], 2[hr], respectively. The dielectric and structural properties with composition and sintering temperature were investigated for the application as multilayer ceramic capacitors. Dielectric constant of 0.70PMN-0.2PT-0.10PNW composition with repeated calcination was increased rapidly. Increasing the Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-$PbTiO_3$-Pb($Ni_\frac{1}{2}W_\frac{1}{2}$)$O_3$ contents from 0.05 to 0.20 [mol], phase transition temperature was shifted from 68 to 2[$^{\circ}C$] and dielectric constant was decreased while sintered density was increased. In the specimens containing 0.10, 0.15[mol] of PNW, dielectri constants at room temperature were exhibited the highest values 11199, 10114, respectively. Resistivity of specimens were $10^{10}$ ∼ $10^{12}$($\Omega$.m) and there was no dependence on sintering temperature and composition.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.1393-1402
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• 1999

본 논문에서는 새로운 학습알고리즘의 3층 전향 신경망을 이용한 입력데이터의 주요 특징추출에 대해서 제안하였다. 제안된 학습알고리즘에서에서는 빠른 수렴속도의 최적화가 가능하도록 하기 위하여 기울기하강의 역전파 알고리즘을 이용하고, 국소최적해를 만났을 때 이를 벗어난 새로운 연결가중치의 설정을 위하여 동적터널링의 역전파 알고리즘을 이용함으로써 빠른 수렴속도로 전역최적해로에 수렴되도록 학습시킬 수 있다. 제안된 학습 알고리즘을 이용한 다층신경망을 $12{\times}12$ 픽셀의 영상 데이터들과 $128{\times}128$ 픽셀의 Lenna 영상데이터를 대상으로 시뮬레이션한 결과, 단층신경망을 이용하는 Sanger 방법이나 측면연결을 가지는 단충신경망을 이용하는 Foldiak 방법 및 기울기하강에 기초를 둔 기존의 역전파 알고리즘을 이용한 다층신경망에 의한 결과와 비교할 때 더욱 우수한 수렴성능과 추출성능이 있음을 확인할 수 있었다.