Journal of the Korean Data and Information Science Society
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제16권4호
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pp.769-780
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2005
Recently, the discretization algorithms for continuous data have been actively studied. But there are few articles to compare the efficiency of these algorithms. In this paper we introduce the principles of some binary discretization algorithms including C4.5, CART and QUEST and investigate the efficiency of these algorithms through numerical study. For various underlying distribution, we compare these algorithms in view of misclassification rate and MSE. Real data examples are also included.
We have successfully demonstrated of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors with $Al_2O_3/p-Si$ structures. The $Al_2O_3$ film was grown at $200^{\circ}C$ on H-terminated Si wafer by atomic layer deposition (ALD) system. Trimethylaluminum [$Al(CH_3)_3$, TMA] and $H_2O$ were used as the aluminum and oxygen sources. A cycle of the deposition process consisted of 0.1 s of TMA pulse, 10 s of $N_2$ purge, 0.1 s of $H_2O$ pulse, and 60 s of $N_2$ purge. The 5 nm thick $Al_2O_3$ layer prepared on Si substrate by ALD exhibited excellent electrical properties, including low leakage currents, no mobile charges, and a good interface with Si.
Journal of Information Technology Applications and Management
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제26권3호
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pp.19-27
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2019
In this study, we propose a methodology for predicting the movie audience based on movie information that can be easily acquired before opening and effectively distinguishing qualitative variables. In addition, we constructed a model to estimate the number of movie audiences at the time of data acquisition through the configured variables. Another purpose of this study is to provide a criterion for categorizing success of movies with qualitative characteristics. As an evaluation criterion, we used information gain ratio which is the node selection criterion of C4.5 algorithm. Through the procedure we have selected 416 movie data features. As a result of the multiple linear regression model, the performance of the regression model using the variables selection method based on the information gain ratio was excellent.
Schottky contacts on n-In$\_$0.53//Ga$\_$0.47//As have been made by metal deposition on substrates cooled to a temperature of 77K. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics showed that the Schottky diodes formed at low temperature had a much improved barrier height compared to those formed at room temperature. The Schottky barrier height ø$\_$B/ was found to be increased from 0.2eV to 0.6eV with Ag metal. The saturation current density of the low temperature diode was about 4 orders smaller than for the room temperature diode. A current transport mechanism dominated by thermionic emission over the barrier for the low temperature diode was found from current-voltage-temperature measurement. Deep level transient spectroscopy studies exhibited a bulk electron trap at E$\_$c/-0.23eV. The low temperature process appears to reduce metal induced surface damage and may form an MIS (metal-insulator-semiconductor)-like structure at the interface.
DRAM 커패시터에서 축정용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제잘하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 $Ta_2O_5$ 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다. MIS(metal-insulator-semiconductor) 구조의 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과, HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극에서 기존의 평평한 표면을 갖는 전극에 비하여 축전용량은 1.2~1.5배까지 증대하였으나, 주설전류는 표면적의 증가에 따라 함께 증가함을 보였다. TDDB 특성에서도 HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극들이 평평한 표면형상에 비하여 더 열화되었음을 보여주었다. 이상과 같은 결과는 $Ta_2O_5$ 유전박막을 이용한 차세대 DRAB 커패시터 연구에 기초자료로 이용될 수 있을 것으로 본다.
Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) devices using Pt/$LiNbO_3$/Si structure were successfully fabricated. The dielectric constant of the AIN film calculated from the capacitance in the accumulation region in the capacitance-voltage(C-V) curve was about 8.2. The gate leakage current density of MIS devices using a aluminum electrode showed the least value of 1$\times$$1O^{-8}$A/$cm^2$ order at the electric field of 500kV/cm. The dielectric constant of $LiNbO_3$film on AIN/Si structure was about 23 derived from 1MHz capacitance-voltage (C-V) measurement and the resistivity of the film at the field of 500kV/cm was about 5.6$\times$$1O^{13}$$\Omega$.cm.
본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.
기업의 부실 예측 모델은 기업의 재무 상태를 객관적으로 모니터링하는 데 필수적인 도구 역할을 한다. 적시에 경고하고 대응 조치를 용이하게 하며 파산 위험을 완화하고 성과를 개선하기 위한 효과적인 관리 전략을 수립할 수 있도록 지원한다. 투자자와 금융 기관은 금융 손실을 최소화하기 위해 부실 예측 모델을 이용한다. 기업 부실 예측을 위한 인공지능(AI) 기술 활용에 대한 관심이 높아지면서 이 분야에 대한 광범위한 연구가 진행되고 있다. 해석 가능성과 신뢰성이 강조되며 기업 부실 예측에서 설명 가능한 AI 모델에 대한 수요가 증가하고 있다. 널리 채택된 SHAP(SHapley Additive exPlanations) 기법은 유망한 성능을 보여주었으나 변수 수에 따른 계산 비용, 처리 시간, 확장성 문제 등의 한계가 있다. 이 연구는 전체 데이터 세트를 사용하는 대신 부트스트랩 된 데이터 하위 집합에서 SHAP 값을 평균화하여 변수 수를 줄이는 새로운 변수 선택 접근법을 소개한다. 이 기술은 뛰어난 예측 성능을 유지하면서 계산 효율을 향상시키는 것을 목표로 한다. 해석 가능성이 높은 선택된 변수를 사용하여 랜덤 포레스트, XGBoost 및 C5.0 모델을 훈련하여 분류 결과를 얻고자 한다. 분류 결과는 고성능 모델 설계를 목표로 soft voting을 통해 생성된 앙상블 모델의 분류 정확성과 비교한다. 이 연구는 1,698개 한국 경공업 기업의 데이터를 활용하고 부트스트래핑을 사용하여 고유한 데이터 그룹을 생성한다. 로지스틱 회귀 분석은 각 데이터 그룹의 SHAP 값을 계산하는 데 사용되며, SHAP 값 평균은 최종 SHAP 값을 도출하기 위해 계산된다. 제안된 모델은 해석 가능성을 향상시키고 우수한 예측 성능을 달성하는 것을 목표로 한다.
낙동강 삼각주 서부 지역의 시추 코아에 대한 퇴적상, 유공충 화석군집 및 AMS $^{14}C$ 연대측정을 수행하고 제4기 퇴적층의 고환경 변화를 분석하였다. 분석 결과, 연구지역의 제4기 후기 퇴적층은 네 개의 퇴적단위(하부로부터 Unit I, II, III, IV)로 구성된다. Unit I은 연구지역에 최초 해침이 일어나기 전 육성 환경에서 형성된 하도 퇴적층이다. Unit Ⅱ는 연안성 규조의 출현으로부터 천해에서 형성된 해성 퇴적층으로 판명되었으며, 퇴적층 상부에는 대기 노출에 의한 건조와 산화에 의한 균열이 발달하고 있어 상위 퇴적단위와 층서적으로 뚜렷하게 구분된다. 이 퇴적단위는 이전 간빙기(MIS 5)에 형성되었을 가능성이 매우 높다. Unit II를 부정합으로 피복하는 Unit III은 약 9,000 yr BP 경 홀로 세 해침이 시작되면서 담수의 영향을 받는 하구의 조간대에서 형성되기 시작하였으며, 해침이 좀 더 진행되면서 약 8,000 yr BP부터는 내대륙붕 환경에서 퇴적되었다. Unit IV는 해수면이 안정된 후, 약 5,000 yr BP를 전후로 한 시기에 낙동강 삼각주의 성장에 의해 형성되었다. 먼저 삼각주의 하부삼각주평원에 해당되는 조간대 퇴적층이 형성되고, 이후 삼각주의 전진에 따라 연구지역은 현재의 삼각주 평원의 배후 지역인 범람원 환경으로 변모하였다.
This study restores onshore paleo-shoreline records and establishes the nature and strain rate of neotectonism by investigating the existence and formative age of paleo-coastal sediments emerged around Sacheon-si in the Southern part of the Korean peninsula. As a result, paleo-sand bars representing 5m of the paleo-shoreline from high tide level are formed in Sacheon-si, and the formation age of these is confirmed as MIS 5c at approximately 100,000 year BP through rock surface luminescence dating to rounded gravels in paleo-sand bars. Although it is difficult to establish the uplift rate of crust precisely due to incomplete restoration of sea level records during the last interglacial stage, the uplift rate along the Southern coast of the peninsula was assumed approximately 0.72 lower than the Eastern coast during the late Quaternary in comparison to the 1st marine terrace along the Eastern coast.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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