• 제목/요약/키워드: MESA

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2.5Gbps 광통신용 1.55$\mu\textrm{m}$ InGaAsP/InP PBH-DFB-LD 제작 및 특성 (Fabrication and Characteristics of 1.55$\mu\textrm{m}$ InGaAsP/InP PBH-DFB-LD for 2.5Gbps Optical Fiber Communication)

  • 이중기;장동훈;조호성;이승원;박경현;김정수;김홍만;박형무
    • 전자공학회논문지A
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    • 제31A권9호
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    • pp.139-145
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    • 1994
  • InGaAsP/InP PBH-DFB-LD emitting at 1.55${\mu}$m wavelength has been fabricated for 2.5Gbps optical fiber communcations. For fabrication of PBH-DFB-LD, Interference expose for grating formation 3-step LPE epitaxial growth were used. Fabricated PBH-DFB-LD operates in single longitudinal mode with larger than 35dB SMSR and wider than 3dB bandwidth of 3GHz. A 8${\mu}$m mesa structure was introduced by channel etching to reuce parasitic capacitance. To reduce pad capacitance, we designed a small electrode. 0.27mW/mA in the case of spectrum shows single logitudinal mode operation with larger thatn 30dB SMSR measured at 5mW.

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누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드

  • 김민기;임지용;최영환;김영실;석오균;한민구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.21-22
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    • 2009
  • We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AlGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3.5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.

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월드컵 경기장 주변 한식당의 고객만족도 (Satisfaction of Korean Restaurant near World Cup Stadium)

  • 강명숙
    • 한국조리학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.117-132
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    • 2002
  • The world's greatest single event the 2002 World Cup, will be co-hosted by Korea and Japan. This will be the first time an interactional mesa-event is held in two countries simultaneously. Pertaining to every aspect, competition between the Korean foodservice industries will intensify in the near future. Generally, a sporting event contributes positively to n hosting county as well. For this reason we cannot expect the 2002 World Cup to be a complete success. A wrongly planned event could be a burden to our countries economy and create various negative effects. This study was prepared predominantly using field research methods including the collection of data through questionnaires. This study is based on a sample of 212 who have visiting Korean Restaurant near World Cup Stadium. These questionnaires were distributed by 5 students. This research us conducted from April 1 to 20, 2002 at Suwon.

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현대 패션디자인에 나타난 메가 트렌드의 영향에 관한 연구 (A Study on the Effect of the Mega trend on the Modern Fashion Design)

  • 전혜정;하지수
    • 복식
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    • 제57권4호
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    • pp.110-125
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    • 2007
  • The purpose of this study is to analyze efforts of the mesa trends on the modern fashion design. For the study documentary research and qualitative content analysis have been carried out. Articles in magazines, seminar reports, and news related to trends were collected and analyzed to develop mega trends nowadays. As results, $2002{\sim}2006$ mega trends were extracted to Co-divergence, Emotional tech, Bi-dentity, Private+One and $2002{\sim}2006$ design trends extracted to Camouflage, Transformation, Modular system, Blur, Ease. The influences of mega trends and design trends on the modern fashion design have been proved. Those were expressed as eclectic style, deconstructionist style, reductive style and functionalist style in fashion design. The present era could be defined as cultural pluralism blended with various cultures and styles. Fashion as the essential display of contemporary culture and society has been successfully confirmed in this study.

Si(100) 메사 구조위에 성장시킨$ Ge_xSi_{1-x}$ 층에서의 응력 풀림 (Strain Relief of$ Ge_xSi_{1-x}$ (100) Mesa Structure)

  • 강윤호;국양
    • 한국진공학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.337-340
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    • 1994
  • 기판의 크기에 따른 Strained Layer에서의 응력 풀림 현상을 연구하기 위하여 마이크론 이하에 서 50 마이크론의 크기를 가지는 메사 구조를 제작하였다. 제작된 메사 구조위에 성장시킨 GeSi층은 마 이크로 Raman, XPS, I-V와 C-V측정에 의하여 응력의 풀림현상을 관찰하였다. 이 실험을 통하여 메사 구조 위에 성장시킨 GexSi1-x 층에서의 응력풀림이 편평한 기판위에 성장시킨 경우에 비하여 원활하였 다. 이것은 메사 구조의 가장자리에 Strain Dislocation 이 편중되는 것으로 이해될수 있다.

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외부 베이스표면을 에미터 ledge로 포장한 InGaP/GaAs HBT의 신뢰도 향상 (High Reliable GaAs HBT with InGaP Ledge Emitter Structure)

  • 박재홍;박재운
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제5권4호
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    • pp.102-105
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    • 2000
  • 외부 베이스 표면에 형성되는 표면 재결합 상태의 불안정성을 개선하기 위해 에미터 ledge 구조로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 신뢰도 측정을 위해 고온에서 오랜 시간동안 정전류 스트레스를 인가하였다. 553K, 533K, 513K에서 콜렉터 전류 24㎃로 스트레스를 인가해 전류이득의 열화를 관찰하였다. 그 결과 EA=1.97eV, WTTF=4.8$\times$108시간(14$0^{\circ}C$)을 구하였다. InGaP/GaAs HBT의 열화 원인은 베이스 도펀트인 C의 확산으로 추정된다.

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위성 재난통신 기술동향 (Technology Trends in Satellite Communication for Disaster)

  • 박만규;유준규;신민수;오덕길;이한덕;주낙동
    • 전자통신동향분석
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    • 제27권6호
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    • pp.83-93
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    • 2012
  • 홍수, 쓰나미와 같은 자연재해를 비롯하여 9.11 테러, 최근의 불산가스 유출 등과 같은 대규모 사고는 순식간에 해당 지역의 지상 통신 시스템을 마비시키곤 한다. 하지만 이런 긴급한 상황일 때 오히려 통신망은 지휘통제, 구조 요청 및 재난 복구 등을 위해 더욱 신속하고 끊김 없는 데이터 전달이 이뤄져야만 하며 이는 발생된 재난으로부터 피해를 최소화할 수 있는 근본 수단이 된다. 그러므로 지상 통신망이 붕괴되는 긴급 상황을 대비해서 위성을 이용한 재난통신 시스템은 없어서는 안 되는 국가의 가장 기본적인 통신 인프라인 것이다. 본고에서는 일본, 중국 그리고 유럽 등의 해외 여러 나라에서 위성을 재난 상황 발생 시 긴급 통신으로 사용한 사례, 국내의 위성 재난통신망 활용 사례를 살펴보고 더불어 ITU(International Telecommunication Union), MESA(Mobility for Emergency & Safety Applications), APT(Asia-Pacific Telecommunity)와 같은 국제 표준 단체에서 수행 중인 위성 재난통신망 표준화 동향을 살펴보고자 한다.

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Searching for Eccentricity Preserving Mass Transfer Mechanism during Binary Star Evolution

  • Lee, Hyun Taek;Kwak, Kyujin
    • 천문학회보
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    • 제41권1호
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    • pp.78.1-78.1
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    • 2016
  • 상호작용 하는 쌍성계의 진화과정 중 질량이동에 의한 궤도 변화에는 아직 풀리지 않은 수수께끼가 남아있다. 예를 들면 바륨별 (Ba Star)의 경우, 관측된 궤도 이심률은 평균 0.2, 1000일 단위의 주기를 보여주고 있다. Population Synthesis시뮬레이션으로 이를 재현할 경우 관측된 궤도 성질을 맞추지 못하거나, 바륨별의 형성 개수를 맞추지 못하는 문제점이 있다. 비슷한 문제가 청색낙오성 (Blue Straggler Star)의 시뮬레이션 결과에서도 나타나고 있는데, 이 문제의 핵심은 Roche Lobe Over Flow (RLOF)를 통한 질량 이동이 결과적으로 Common Envelope (CE)으로 이어지기 때문에 각운동량을 크게 잃게 되어 궤도가 원형화 되기 때문인 것으로 판명이 되었다. 따라서 이번 연구에서는 RLOF를 통한 질량이동 중 CE 과정을 효과적으로 피해갈 수 있는 질량이동 과정을 제안하고, 이를 시뮬레이션에 적용하여 관측자료를 설명할 것이다. 최종적으로는, 위의 질량이동 과정을 오픈 소스 항성진화 프로그램인 MESA에 포함시켜, 쌍성계 궤도와 그 별들의 표면 원소 분포 사이의 상관관계를 정량적으로 설명하려고 한다.

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누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드 (Low Leakage Current Circular AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode)

  • 김민기;임지용;최영환;김영실;석오균;한민구
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권9호
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    • pp.751-755
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    • 2009
  • We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AIGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3,5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.

연산증폭기와 온도보상 다이오드에 의한 D-A 변환기의 특성개선 (On Improvement of D-A Converter)

  • 이희두;안수길
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.21-25
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    • 1970
  • 같은 특성의 다이오드를 스위칭 용과 기준 전원 온도보상에 사용하여 온도특성을 개선한 디지탈-아나로그변환기를 연구하였다. 연산 증폭기를 사용함으로써 가산용 체형회로망을 제거금하고 담선된 직선성을 얻었다. Slewing rate 증가를 꾀하여 1.5 mega bit 속도의 디지트 정보를 수신하여 출력전과의 안정된 신호부분이 전주간의 80% 이상 특매도록 하였다.

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