Gate oxide 의 두께 감소는 gate의 캐패시턴스를 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압 동작을 가능하게 하기 때문에 gate oxide 두께는 MOS 공정 세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 이러한 얇은 산화막은 device design에 명시된 두께의 특성을 나타내야 한다. Gate oxide의 두께가 작아질수록 gate oxide와 crystalline silicon간의 계면효과가 박막의 두께의 결정에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵다. 이러한 영향과 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 나타난다. XTEM은 사용한 parameter에, Ellipsometer는 refractive index에, MEIS(Medium) Energy Ion Scattering)은 에너지 분해능에, Capacitor-Voltage 측정은 depletion effect에 의해 영향을 받는다. 우리는 계면의 원자분해능 분석에 통상 사용되어온 High Resolution TEM을 이용하여 약 30~70$\AA$ SiO2층의 두께와 계면 구조에 대한 분석을 하여 이를 MEIS와 0.015nm의 고감도를 가진 SE(Spectroscopy Ellipsometer), C-V 측정 결과와 비교하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.
Den Ausgangspunkt fur die Untersuchungen der Studie bildeten die Auswirkungen des Roll-enwandels auf das elterliche Verhalten. Um die praktische Durchfhrung im Rahmen einer Untersuchung zu ermoglichen, beschrankt The-men eine bestimmte Phase des Familienlebens namlich den Ubergang zur Elternschaft unterworfen sind. Die Ergebnisse hinsichtlich der Einstellungen vor der Geburt des Kindes zu Pflegetatigkeiten und den umgang mit dem Baby zeigten $da{\beta}$ diekoreanischen Eltern solche Tatigkeiten meis-tens als Aufgabe der Mutter ansehen. Die Differenzen zwischen Einstellungen(vor der geburty) und Verhalten(nach der Geburt) sind nicht signifikant Dies bedeutet $da{\beta}$ die Unterschiede zwischen Einstellungen und Verhalten in bezung auf Pflegetatigkeiten im Umgang mit dem Baby zwischen Erst-und Zweiteltern vor und nach der Geburt wenn uberhaupt dann nur schwach differenzieren. Es kann also feststellt werden $da{\beta}$ bei koreanichen Elten nur wnige Konflikte zwischen Einstellungen und Verhalten bezuglich der Pflegetatigkeiten im Umgang mit dem Baby existieren. Obwohl ein sozialer Wandel bzw. Rollenwnadel mit der Industrialisie-rung in Korea auch statgefunden hat bleibt bei koreanischen Eltern imer noch die traditione- lle Einstellung bestehen. Aber es gibt immerhin eine gewisse egalitare Tendenz dahingehend $da{\beta}$ bei jungen Ehepaaren gleichberechtige Rolleinstellungen zunehmen, In einer weiteren Fragestellung wurde der Zusammenhang zwischen rollenbezogenen Einstellung wahrend der Schwangerschaft und rollenbezogenen Verhyalten nach der Geburt untersucht. Der Zusamm-enhang erwies sich als eher gering. Dabei egben sich keine neuen Hinweise aug Grunde fur die Zusammenhangschwache.
Cu3AU(100) 단결정은 fcc 구조를 가지고 있으며 (100)면은 Cu와 Au가 1:1로 존재하고 가운데(200)면은 Cu만 존재한다. 따라서 Au 층은 (100)면에서만 존재하여 각 Au층은 서로 0.5nm 떨어져 있다. 이와 같은 Cu3Au(100) 단결정을 MEIS(Medium Energy Ion Scattering Spectroscopy) 실험 장비를 사용하여 0.35nm 떨어져 있는 Single unit cell의 윗면과 아래면, 즉 첫 층의 Au와 셋째층의 Au의 층분리를 통해서, 온도 변화에 따른 Cu3Au(100) 단결정의 표면 물리적 현상인 surface induced disorder을 밝혀내고자 한다. 우선 두 Au층의 분리 시도는 수소이온을 이용한 실험 조건에서는 extremely glancing exit angle 등 극한의 산란조거에서도 성공하지 못하였다. 깊이 분해능을 정해주는 electronic energy loss를 극대화하기 위해 수소이온이 아닌 질소 이온을 사용하여 energy spectra를 측정해 본 결과 아래 그림에서와 같이 표면 Au 층과 표면 셋째 Au층을 구분할 수 있었다. <110>으로 align된 조건에서는 셋째층의 Au 원자들이 완전히 shadow cone 내부에 존재하여 관측되지 않지만 9.75$^{\circ}$ tilt 한 경우 셋째층의 Au 원자들이 shadow cone 바깥으로 나오게 되어 그림에서와 같이 첫째 층과 셋째 층이 확실히 분리되어 측정되었다. 이를 바탕을 Cu3Au(100)의 온도변화에 다른 order disorder and segregation 현상을 측정하였다. ordered Cu3Au(100)은 28$0^{\circ}C$ 근처에서 surface층이 먼저 disordered상으로 바뀌는 surface induced disorder 현상이 일어나고 bulk transition 온도 39$0^{\circ}C$ 이하에서 R.T으로 온도를 낮추면 본래의 ordered 구조로 되돌아간다. 하지만 bulk transition 온도를 지나면 order-disorder transition이 비가역적이고 segregation 현상이 일어난다.
The sputtering yield change of an amorphous Si layer on Si(100) was measured quantitatively for 0.5 keV $O_2^{+}$ and $Ar^{+}$ ion bombardment with in suit MEIS. In the case of 0.5 keV $O_2^{+}$ ion bombardment, at the initial stage of sputtering before surface oxidation, the sputtering yield of Si was 1.4 (Si atoms/$O_2^{+}$) and then decreased down to 0.06 at the ion dose of $3\times10^{16}O_2\;^{+}\textrm{/cm}^2$. In the case of 0.5 keV $Ar^{+}$ ion bombardment, the sputtering yield of Si for the surface normal incidence was 0.56 at the ion dose of 2.5 ${\times}$ 10$^{15}$$Ar^{+}\textrm{cm}^2$, and rapidly saturated to 1.2 at dose of $7.5\times10^{15}Ar^+\textrm{cm}^2$. For the incidence angle of 80 from surface normal, the sputtering yield of Si was saturated to about 1.4 at the initial stage of sputtering. The surface transient effects, caused by change in sputtering yield at the initial stage of sputtering can be negligible when 0.5 keV $Ar^{+}$ ion at extremely grazing angle was used for sputter depth profiling.g.
The energy production of offshore wind farms plays an important role in expanding renewable energy. However, the development of offshore wind farms faces many challenges due to its incompatibility with marine environments and its social acceptability among the local community. In this study, we reviewed the marine environmental impact assessment status of offshore wind farm development projects for 2012-2019 in South Korea. A total of nine projects were selected for this study, all of which experienced considerable conflict with local fisheries resources. To appropriately respond to the underlying challenges faced by offshore wind farm development and in order to better support decision-making for future impact assessment, our findings identified: i) a need for adequate preliminary investigation and technical examination of fisheries resources; ii) a need to assess and estimate the impact of underwater noise, vibration, and electromagnetic waves on fisheries resources during wind farm construction and operation; and iii) a need for a bottom-up approach that allows for communication with local stakeholders and policy-makers to guarantee the local acceptability of the development.
본 연구는 장래 유입수질 변화로 해수담수화(Desalination) 역삼투압(Seawater Reverse Osmosis) 공정의 전력비 예측 모델을 개발하고 별도의 해수담수화 추가공정이 필요한지 검토하였다. 플랜트 시설은 한번 설치되면 오랜 기간 운영이 되고, 주요 공정의 시설물 변경이 어려우며, 특히 해수담수화 시설의 경우에는 생활용수 및 공업용수를 수요자에 상시 공급함으로서 중간에 추가 시설물을 증설하거나 변경하기가 쉽지 않다. 따라서 해수담수화 시설의 계획 초기부터 현재의 유입수질 및 장래의 수질 변화를 예측하여 해수담수화 공정을 계획하는 것이 필요하다. 금회 검토는 해수온도 및 염분도 변화를 고려하여 서해에 위치한 대산산업단지 해수담수화 시설의 해수담수화 공정 전력비를 예측하였고, 입력 자료(온도 및 염분도)는 국가해양환경정보통합시스템(MEIS, Marine Environment Information System) 22년 과거자료(1997~2018년)를 이용하였다. 개발된 모형에 적용하여, 해수담수화에 필요한 전력비의 변화를 예측할 수 있으며, 이를 바탕으로 해수담수화 시설물 공정계획을 검토할 수 있었다. 금회 연구에서는 장래 수질변화 예측모형의 결과를 기반으로 해수담수화 시설물 공정을 제시하였다는데 의의가 있다.
Enamel knot (EK)-a signaling center-refers to a transient morphological structure comprising epithelial tissue. EK is believed to regulate tooth development in early organogenesis without its own cellular alterations, including proliferation and differentiation. EKs show a very simple but conserved structure and share functions with teeth of recently evolved vertebrates, suggesting conserved signaling in certain organs, such as functional teeth, through the course of evolution. In this study, we examined the expression patterns of key EK-specific genes including Dusp26, Fat4, Meis2, Sln, and Zpld1 during mice embryogenesis. Expression patterns of these genes may reveal putative differentiation mechanisms underlying tooth morphogenesis.
본 연구에서는 서해에 위치한 대산산업단지 해수담수화 시설에 필요한 전력비를 계산하고, 해수온도 및 염분도 변화에 따른 안전도를 고려한 전력비 기준을 산정하였다. 입력 자료(온도 및 염분도)는 국가해양환경정보통합시스템(MEIS, Marine Environment Information System) 22년 자료(1997~2018년)를 이용하고, 해수공정에서 사용되는 전력량은 RO막 제조사에서 제공되는 프로그램(Q-Plus v3.0)을 활용하였다. 금회연구에서는 해수담수화 시설물 설계시 합리적인 전력비 운영 가이드라인을 제시했다는데 의의가 있다. 해수담수화 역삼투압 공정은 약 2.10~2.90 kWh/m3의 전력비가 소요되며, 에너지 안전도 95 % 기준으로 2.80 kWh/m3의 전력비가 해수담수화 시설을 운영할 때 고려되어야 하는 것으로 검토되었다.
최근 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화의 경향에 다라 MOSFET 소자 제작에 이동되는 게이트 산화막의 두께가 수 nm 정도까지 점점 얇아지는 추세이고 Giga-DRAM급 차세대 UNSI소자를 제작하기 위해 5nm이하의 게이트 절연막이 요구된다. 이런 절연막의 두께감소는 게이트 정전용량을 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압동작을 가능하게 하기 때문에 게이트 산화막의 두께는 MOS공정세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 따라서 절연막 두께는 소자의 동작 특성을 결정하는 중요한 요소이므로 이에 대한 정확한 평가 방법의 확보는 공정 control 측면에서 필수적이다. 그러나, 절연막의 두께가 작아지면서 게이트 산화막과 crystalline siliconrksm이 계면효과가 박막의 두께에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵고 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 난다. 따라서 차세대 반도체 소자의 개발 및 양산 체계를 확립하기 위해서는 산화막의 두께가 10nm보다 작은 1nm-5nm 수준의 박막 시료에 대한 두께 계측 방법이 확립이 되어야 한다. 따라서, 본 연구에서는 습식 산화 공정으로 제작된 3nm-7nm 의 게이트 절연막을 현재까지 알려진 다양한 두께 평가방법을 비교 연구하였다. 절연막을 MEIS (Medim Energy Ion Scattering), 0.015nm의 고감도를 가지는 SE (Spectroscopic Ellipsometry), XPS, 고분해능 전자현미경 (TEM)을 이용하여 측정 비교하였다. 또한 polysilicon gate를 가지는 MOS capacitor를 제작하여 소자의 Capacitance-Voltage 및 Current-Voltage를 측정하여 절연막 두께를 계산하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다
말초동맥질환은 고령의 환자들에게서 흔하게 발생하며, 하지 동맥 단층촬영 혈관조영술은 말초동맥질환을 발견하고 치료 계획을 세우는데 유용하다. 특히, 이중에너지 단층 촬영을 통해 낮은 kiloelectron volt (이하 KeV) 영상부터 높은 KeV 영상까지 단일 에너지 영상을 재구성하면, 말초동맥질환을 정확하게 평가하는데 도움이 된다. 일반적으로 낮은 KeV 영상은 높은 대조도를 제공해 주지만, 낮은 KeV 영상은 높은 KeV 영상보다 더 심한 잡음을 제공한다는 단점도 있다. 최근에 낮은 KeV 영상에서 잡음을 극복하기 위해 Mono+ 기술이 도입되었다. 따라서, 본 임상 화보에서는 Mono+ 기법으로 시행한 하지동맥 단층촬영 혈관조영술에서의 말초동맥질환의 영상 소견을 보여주며 낮은 KeV 영상과 높은 KeV 영상의 특성이 어떻게 다른지 비교하여 보여주고자 한다. 많은 사례에서, 전체적인 영상의 질과 말초동맥질환을 평가하고자 하는 구간에서의 영상의 질은 모두 높은 KeV에서 더 좋았고, 금속 인공물과 정맥 오염은 높은 KeV 영상에서 감소했다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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