• Title/Summary/Keyword: M&V 적용

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ESCO 에너지절약 M&V 방법의 선택 및 적용방안 연구 (A Survey on the M&V to guarantee the energy saving performance of ESCO)

  • 임기추
    • 에너지공학
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    • 제23권4호
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    • pp.123-129
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    • 2014
  • 국내에서도 에너지절약성과 보증계약 방식 위주의 역량강화를 위한 측정 검증(M&V)이 중요한 과제로 부각됨에 따라 선진국과 같은 M&V 방법의 선택과 적용이 필요하다. 국내 ESCO 산업의 역량강화를 촉진하기 위해 에너지절약성과에 대한 M&V를 위해서, 적합한 M&V 선택 및 적용방안의 제시가 요청되고 있다. 본고에서는 IPMVP, 미국 및 일본 사례를 참조하여 국내의 M&V 적용목표 및 적용방향을 설정하고, 적용절차 및 유의사항을 설명한 뒤 M&V 방안(A, B, C, D)의 선택 및 검증방안을 제시하였다. 향후 연구과제로 앞에 제시된 M&V 선택 및 적용방안을 기초로 한 M&V 계획서 및 결과서 작성을 위한 가이드라인 제시방안이 마련될 필요가 있다.

ESCO 에너지절약 성과보증의 M&V 적용사례 분석 (A Survey on the M&V to guarantee the energy saving performance of ESCO)

  • 임기추
    • 에너지공학
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    • 제23권2호
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    • pp.199-206
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    • 2014
  • ESCO 업계는 2013년 ESCO 규정의 개정으로 에너지절약성과 보증계약에 대한 역량을 강화하여야 한다. 이러한 시점에서 에너지절약성과에 대한 측정 검증(M&V)이 중요한 과제로 부각되고 있다. 이에 따라, 선진국의 M&V 적용사례 파악이 필요하다. 에너지사용자와 ESCO 기업 간의 에너지절약성과 보증계약 체결에 의한 에너지절약설치로 발생되는 에너지절감량을 측정 평가하는 방안을 제공하는 것이 무엇보다 중요하다고 할 수 있다. 2013년부터 성과보증계약 방식 위주의 ESCO 사업이 추진되기 시작하였다. 따라서 이러한 이유로 IPMVP에서 권고하고 미국이나 일본에서 적용하고 있는 M&V 사례 를 활용하여 우리나라의 ESCO 여건에 적합한 M&V 적용방안의 마련이 필요한 것으로 판단된다.

PET/CT 검사 시 CT 피폭선량 감소 방법들의 최적화 평가 (Evaluation for Optimization of CT Dose Reduction Methods in PET/CT)

  • 도용호;이홍재;김진의
    • 핵의학기술
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    • 제19권2호
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    • pp.55-62
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    • 2015
  • PET/CT 검사 시 피폭 선량 감소를 위한 방법들이 지속적으로 개발되고 있다. 본 논문에서는 사용자에 의해 parameter 변경이 가능한 3가지 방법인 automatic exposure control(AEC), automated dose-optimized selection of X-ray tube voltage(CAREkV), sinogram affirmed iterative reconstruction(SAFIRE) 적용 시 각 방법의 적용 시와 3가지 방법의 조합에 따른 피폭선량 감소효과와 영상의 질 그리고 SUV 변화 유무를 평가하였다. Bograph mCT64 (Siemens, Germany)장비를 사용하여 anthropomorphic head, chest, pelvis phantom을 torso 모형으로 접합하여 스캔하였다. 120 kV, 40 mAs 조건으로 AEC의 적용 유무와 120 kV, 40 mAs AEC 조건으로 CAREkV의 적용 유무에 따른 피폭 선량 감소 효과를 평가 하였다. 120 kV, 25 mAs SAFIRE 조건에서 영상을 획득하여 120 kV, 40 mAs SAFIRE 미적용 시 대비 노이즈와 피폭선량 감소효과가 평가되었다. 120 kV, 40 mAs AEC 적용, 120 kV, 25 mAs 3가지 방법의 조합 조건으로 AAPM perfomance, anthropomorphic, IEC body phantom을 스캔하여 노이즈, 공간 분해능, 피폭선량 감소효과 그리고 PET SUV의 변화 유무를 평가하였다. AEC 적용 시, 미적용 대비 CTDIvol 50.52%, DLP 50.62% 감소하였다. CAREkV 적용 시 100 kV가 적용됨에 따라 mAs가 61.5% 증가하였으나 CTDI 6.2%, DLP 5.5% 감소하였다. Reference mAs를 낮게 지정할수록, strength값을 높게 지정할수록 피폭선량 감소 효과는 증가하였다. SAFIRE의 경우 40 mAs에서 25 mAs로 tube current를 37.5% 감소시켰음에도 불구하고 mean SD 2.2%, DLP 38% 감소하였다. AAPM phantom에서는 3가지 방법의 조합 시 AEC 대비 SD는 5.17% 감소하였으며 공간 분해능의 경우 유의한 차이가 없었다. Torso phantom의 경우 3가지 조합에서 AEC 대비 mean SD 6.7% 증가, DLP 36.9% 감소하였으며 IEC phantom 실험에서 PET SUV는 통계적으로 유의한 차이가 없었다(P>0.05). 본 논문에서 CT선량 감소를 위한 각 방법들 모두 피폭 선량 감소 효과를 보였으며 3가지 방법의 조합을 통하여 화질 저하와 PET SUV 변화 없이 AEC만 적용 시 대비 36.9%의 선량감소 효과가 있는 것으로 나타났다. 선량 감소 방법들의 최적화를 통하여 환자 피폭선량 저감화를 위한 지속적인 노력이 필요하며 특히 방사선 감수성이 높은 소아 환자에 적극적으로 적용되어야 할 것으로 사료된다.

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검증 및 확인(V&V) 절차를 통한 무기체계 M&S 신뢰도 확보에 관한 연구 (Study of Acquiring the Credibility for Weapon System M&S with V&V Process)

  • 김석우;박상혁
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제24권3호
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    • pp.1-8
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    • 2015
  • M&S 결과의 신뢰도를 확보하기 위한 방법으로, 선진국을 중심으로 개발된 VV&A(검증 확인 및 인정) 절차가 국내에도 소개되어 다양한 분야에 적용되고 있다. VV&A는 가용한 자원과 필요에 따라 그 절차를 선택적으로 적용하도록 가이드라인에 명시되어 있고, 방위사업청 무기체계 개발에 VV&A 관한 규정에도 인정(A)은 필요시 수행하도록 권고하고 있다. 본 연구에서는 V&V 절차를 소개하고, 이를 통해 무기체계 M&S 도구에 대한 신뢰도를 확보할 수 있는 방안에 대해 서술하였다. 또한 체계개발 중인 보병용 중거리 유도무기 '현궁'의 체계통합시뮬레이터에 V&V 절차를 적용하여 신뢰도를 확보한 사례를 제시하였다.

PTWS를 적용한 웨어러블 AMOLED용 고집적화 3-채널 DC-DC 변환기 설계 (Design of Highly Integrated 3-Channel DC-DC Converter Using PTWS for Wearable AMOLED)

  • 전승기;이희진;최호용
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.1061-1067
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    • 2019
  • 본 논문에서는 PTWS 방식을 이용한 고집적화된 AMOLED용 3-채널 DC-DC 변환기의 설계한다. 양의 전압 $V_{POS}$는 경부하에서 효율을 제고하기 위해 SPWM 듀얼모드와 PTWS 방식을 적용한 부스트 변환기로 설계한다. 음의 전압 $V_{NEG}$는 전력 손실을 줄이기 위해 PSM 방식을 적용한 0.5x 인버팅 차지펌프를 이용해 설계하고, 추가적인 전압 $V_{AVDD}$는 LDO를 이용하여 설계한다. 제안된 DC-DC 변환기는 $0.18{\mu}m$ BCDMOS 공정을 사용하여 시뮬레이션을 한 결과 부하전류 1mA~70mA에서 전력효율 56.9%~90.2%를 가지고, 양의 전압 $V_{POS}$에서 최대 5mV의 출력 리플을 가졌다.

전자선 직접묘사에 의한 Deep Submicron $p^+$Poly pMOSFET 제작 및 특성

  • 김천수;이진호;윤창주;최상수;김대용
    • ETRI Journal
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    • 제14권1호
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    • pp.40-51
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    • 1992
  • $0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

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vMOS 기반의 DLC와 MUX를 이용한 용량성 감지회로 (Design of a Capacitive Detection Circuit using MUX and DLC based on a vMOS)

  • 정승민
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.63-69
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    • 2012
  • 본 논문에서는 용량성 지문센서의 회색조 이미지를 얻기 위한 새로운 회로를 제안하고 있다. 기존의 회로는 회색조 이미지를 얻기 위해 많은 칩 면적을 차지하는 DAC를 적용하거나 전력소모가 많고 전역 클럭을 적용하는 비휘발성 메모리에 적용되는 승압회로를 픽셀별로 적용하였다. 개선된 전하분할 방식의 용량성 지문센서 감지회로는 뉴런모스(vMOS) 기반의 DLC(down literal circuit) 회로와 단순화된 아날로그 MUX(multiplexor)를 적용하였다. 설계된 감지회로는 0.3V, $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 적용하여 동작을 검증하였다. 제안된 회로는 기존의 비교기와 주변회로를 필요로하지 않으므로 단위 픽셀의 레이아웃 면적을 줄이고 이미지의 해상도를 향상 시킬 수 있다.

전자선 직접묘사에 의한 Deep Submicron NMOSFET 제작 및 특성

  • 이진호;김천수;이형섭;전영진;김대용
    • ETRI Journal
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    • 제14권1호
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    • pp.52-65
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    • 1992
  • 전자선 직접묘사 (E-beam direct writing lithography) 방법을 이용하여 $0.2\mum$$0.3\mum$ 의 게이트길이를 가지는 NMOS 트랜지스터를 제작하였다. 게이트만 전자선 직접묘사 방법으로 정의하고 나머지는 optical stepper를 이용하는 Mix & Match 방식을 사용하였다. 게이트산화막의 두께는 최소 6nm까지 성장시켰으며, 트랜지스터구조로서는 lightly-doped drain(LDD) 구조를 채택하였다. 짧은 채널효과 및 punch through를 줄이기 위한 방안으로 채널에 깊이 붕소이온을 주입하는 방법과 well을 고농도로 도핑하는 방법 및 소스와 드레인에 $p^-$halo를 이온주입하는 enhanced lightly-doped drain(ELDD) 방법을 적용하였으며, 제작후 성능을 각각 비교하였다. 제작된 $0.2\mum$의 게이트길이를 가지는 소자에서는 문턱전압과 subthreshold기울기는 각각 0.69V 및 88mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance와 포화 드레인전류는 각각 200mS/mm, 0.6mA/$\mum$이었다. $0.3\mum$소자에서는 문턱전압과 subthreshold 기울기는 각각 0.72V 및 82mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance는 184mS/mm이었다. 이러한 결과는 전원전압이 3.3V일 때 실제 ULSI에 적용가능함을 알 수 있다.

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세라믹막을 이용한 미생물연료전지의 전기화학적 특성 연구 (Electrochemical Characteristics of the MFCs using the Ceramic Membrane as a Separator)

  • 임지영;박대석;김진한
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제16권8호
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    • pp.5728-5735
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    • 2015
  • 단일챔버 미생물연료전지에 분리막으로 세라믹막과 나피온막을 적용하여 전기발생특성을 분석함으로써 세라믹막의 적용가능성을 구명하고자 하였다. 또한 환원전극으로서 백금촉매가 도포된 탄소천과 일반 탄소천을 사용하여 백금촉매 효과 및 전기발생특성을 비교하였다. 회분식 실험에서 전기발생특성이 가장 안정적인 것은 acetate를 기질로 사용하였을 때였다. Formate는 전기발생특성이 acetate보다 다소 높았으나 불안정하였고 propionate와 butyrate는 acetate에 비하여 전기발생량이 상대적으로 낮았다. 환원전극으로서 백금촉매가 도포되어 있는 탄소천과 일반 탄소천을 비교한 결과 백금촉매가 도포된 탄소천의 전력발생량이 일반 탄소천에 비하여 1.2배 높게 나타났지만 약 5배 정도 비용 차이가 있음을 고려하면 미생물연료전지의 적용에 있어 효율성과 경제성은 함께 고려되어야 할 것으로 판단된다. 분리막으로서 세라믹막과 나피온막을 적용한 미생물 연료전지에서 발생한 평균 전압은 합성폐수를 이용한 실험에서 각각 $523.67mV{\pm}49.41mV$, $424.09mV{\pm}79.95mV$이었다. 미생물연료전지에 분리막으로 세라믹막과 나피온막을 적용하여 전력발생 및 유기물제거효율을 비교한 결과, 세라믹막이 나피온막의 대안이 될 수 있음을 확인하였다.

압저항형 온·습도 복합 센서 제작 및 특성 분석 (Characteristics analysis and Fabrication of Integrated Piezoresistive Temperature & Humidity Sensors)

  • 류정탁
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.31-36
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    • 2014
  • 본 논문에서는 나노기술을 적용한 압저항형 온 습도복합센서를 개발하여 특성을 평가 분석 하였다. 온도 변화에 대한 출력 감도는 $20{\sim}80^{\circ}C$에 이르는 측정구간에서 약 0.75mV/$1^{\circ}C$의 출력 값을 보였다. 습도 변화에 대한 감도는 약 1.35mV/10%(RH)의 결과를 나타내었다. 이와 같은 결과에 의하여 본 논문에서 개발한 센서는 일반적인 생활 주거 환경에 적용이 가능함을 시사해 준다.