For design of cryogenic propellant feeding system, one of the main requirements is to meet temperature requirement for satisfying turbo-pump NPSH requirement. In this paper improved method of estimating the thermal stratification in liquid oxygen tank is presented to help design. In the case of liquid rocket using turbo-pump, the inner pressure of liquid oxygen tank is maintained low, so vaporization of liquid oxygen is generally occurred. In this paper, inner process of LOX tank is analyzed by two phase flow modeling. The vaporization rate and required helium mass is investigated.
Low pressure inductively coupled plasma characteristics of argon and oxygen are numerically simulated for a 400 mm rectangular type system with a plasma fluid model. The results showed lower power absorption profile at the corner than a circular one in a 13.56 MHz driven 1.5 turn antenna system with a drift-diffusion and quasi-neutrality assumption. Ions controlled by electric field are more non-uniform than metastables and the power absorption profile of oxygen plasma is affected by horizontal gas flow pattern to show 25% lower power absorption at the pumping flange side. Oxygen negative ions which are generated in electron collisional dissociation of oxygen molecules was calculated as 0.1% of oxygen atoms with similar spatial profile.
To prepare the transparent electrode for electronic devices such as flat panel or flexible displays, solar cells, and touch panels; tin doped $In_2O_3$ (ITO) films with low resistivity and a high transparency were fabricated using a facing target sputtering (FTS) system at the various oxygen gas flow rate. The carrier concentration and mobility of ITO films were measured by Hall Effect measurement. And the transmittance was measured using the UV-VIS spectrometer. As a result, we can obtain the ITO thin films prepared at 10% oxygen gas flow ratio, thickness 150 nm with transmittance 85% and resistivity $8.1{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and surface roughness 5.01 nm.
The $La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$ was deposited on $SiO_2/Si$ substrate by RF magnetron sputtering. The oxygen gas flow rate was changed from 0 to 80 sccm and the substrate temperature was $350^{\circ}C$. The oxygen gas flow rate was changed to control the growth orientation and crystalline state of the film. Relatively high TCR (temperature coefficient of resistance) value (-2.33%/K) was obtained when comparing with the reported values of the films prepared by using high substrate anneal temperature. The decrease in the sheet resistance and TCR value were observed when grain size of the film increased with the increase of oxygen gas flow rate.
In this study we investigated the oxygen effect on the nucleation and its residual stress during unbalanced magnetron sputtering. Up to 0.5% in oxygen flow rate, cubic phase (c-BN) was dominated with extremely small fraction of Hexagonal phase (h-BN) of increasing trend with oxygen concentration, whereas hexagonal phase is dominated beyond 0.75% flow rate. Interestingly, the residual stress in cubic-phase-dominated films was substantially reduced with small amount of oxygen (${\sim}0.5%$) down to a low value comparable to the h-BN case. This may be because oxygen atoms break B-N $sp^3$ bonds and make B-O bonds more favorably, increasing $sp^2$ bonds preference, as revealed by FTIR and NEXAFS. It was confirmed by experimental facts that the threshold bias voltage for nucleation and growth of cubic phase were increased from -55 V to -70 V and from -50 V to -60 V respectively. The reduction of residual stress in O-added c-BN films is seemingly resulting from the microstructure of the films. The oxygen tends to increase slightly the amount of h-BN phase in the grain boundary of c-BN and the soft h-BN phase of 3D network including surrounding nano grains of cubic phase may relax the residual stress of cubic phase.
With an increase in the use of low rank coals in power plants, various operational issues were raised in the fuel storage and supply, combustion, boiler and flue gas treatment systems. In the fuel storage and supply system, the main issue is the self-heating propensity of low rank coals leading to spontaneous combustion in yard storage, transport and pulverization. This study evaluated the reactivity of various sub-bituminous and bituminous coals with oxygen at low temperatures by analyzing the temperature increase characteristics of coals under a constant flow rate of oxygen supply. The results were quantified to a self-heating index and the relation with the fuel properties were evaluated.
Highly transparent conductive pure and fluorine-doped tin oxide(FT0, $SnO_2$ : F) films have been prepared by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) from various mixtures of tetramethyitin(TMT) with oxygen or oxygen containing ozone. The properties of TO films have been changed with the variation of gases, flow rate, and substrate temperature. The nsing of oxygen containing ozone instead of pure oxygen, reduced substrate temperature by 100-$150^{\circ}C$ while maintaining same thickness. The films prepared by using ozone showed the resistivity in the range from $10^~2$ to $10^{~3}\Omega$cm, and the mobiiity from 10 to $14\textrm{cm}^2$/Vs. Fluorine-doped tin oxide films had properties such as the resistivity about $10^{-4}\Omega$cm, and the mobility from 14 to $19\textrm{cm}^2$/Vs.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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pp.122-123
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2006
Tin oxide nanoparticles (n-SnO and $n-SnO_2$) were synthesized by the inert gas condensation (IGC) method under dynamic gas flow of oxygen and argon at various conditions. Transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) method were used to analysis the size, shape and crystal structure of the produced powders. The synthesized particles were mostly amorphous and their size increased with increasing the partial pressure of oxygen in the processing chamber. The particles also became broader in size when higher oxygen pressures were applied. Low temperature annealing at $320^{\circ}C$ in air resulted to crystallization of the amorphous n-SnO particles to $SnO_2$.
Recently industry has voiced a need for optimally designing the production process of low-cost, high-quality ingots by improving productivity and reducing production costs with the Czochralski process. Crystalline defect control is important for the production of high-quality ingots. Also oxygen is one of the most important impurities that influence crystalline defects in single crystals. Oxygen is dissolved into the silicon melt from the silica crucible and incorporated into the crystalline a far larger amount than other additives or impurities. Then it is eluted during the cooling process, there by causing various defect. Excessive quantities of oxygen degrade the quality of silicone. However an appropriate amount of oxygen can be beneficial. because it eliminates metallic impurities within the silicone. Therefore, when growing crystals, an attempt should be made not to eliminate oxygen, but to uniformly maintain its concentration. Thus, the control of oxygen concentration is essential for crystalline growth. At present, the control of oxygen concentration is actively being studied based on the interdependence of various factors such as crystal rotation, crucible rotation, argon flow, pressure, magnet position and magnetic strength. However for methods using a magnetic field, the initial investment and operating costs of the equipment affect the wafer pricing. Hence in this study simulations were performed with the purpose of producing low-cost, high-quality ingots through the development of a process to optimize oxygen concentration without the use of magnets and through the following. a process appropriate to the defect-free range was determined by regulating the pulling rate of the crystals.
저압 플라즈마와 대기압 플라즈마를 사용하여 폴리카보네이트를 처리한 후 표면 개질 효과를 접촉각 측정을 통하여 비교 분석하였다. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 $82.31^{\circ}$이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 $9.17^{\circ}$의 최소 접촉각을 얻을 수 있었다. 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가에 따른 접촉각의 변화는 크지 않았으나 지속적으로 감소하는 특성을 보였다. 플라즈마 처리 후 경과시간에 따라 접촉각의 증가 현상을 보여 플라즈마 처리 후 후속 공정은 가급적 빨리 진행하는 것이 표면에너지 증가에 따른 효과를 이용하는데 효율적이다. 표면 화학결합 분석에서 산소분위기의 플라즈마 처리는 표면에 상대적으로 많은 극성 작용기를 형성하였다. 전반적으로 폴리카보네이트의 표면 개질에서 저압 산소플라즈마를 사용하여 처리하는 것이 대기압 플라즈마보다 효과적으로 친수성 표면을 만들 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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