• 한국정밀공학회지
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• 제30권3호
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• pp.340-348
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• 2013

In Projection Stereolithography Apparatus (PSLA), Digital Micromirror Device (DMD) and Liquid Crystal Display (LCD) are used as a beam pattern generator. The DMD shows high resolution, but it is mostly applied in micro stereolithography due to high cost and fabricable area. In LCD, the size of pattern beam is freely controlled due to various panel sizes. The LCD, however, has some limitations such as short life time by the high power light source, non-uniform light intensity of pattern beam and low transmittance of UV-light. To solve these problems in LCD-based PSLA, a Scanbeam-SLA with LCD of 19 inches and visible LED-array is developed. In this system, the light module works like a scanner for uniform illumination. The system configuration, working principle and fabrication examples are addressed in this study.

• 전자통신동향분석
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• 제30권6호
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• pp.42-49
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• 2015

질화물 반도체 기반 가시광 청색 Light Emitting Diode(LED) 기술은 디스플레이의 Back Light Unit(BLU)뿐 아니라 일반 조명에 활용되며 우리 실생활에서 매우 밀접하게 사용하고 있다. 가시광보다 짧은 파장을 가지는 자외선 LED의 경우 경화기 및 위폐감지기에 기존의 유해 가스를 사용하는 자외선 램프를 대체하고 있다. 자외선 광원의 또 다른 거대 시장으로 살균 및 정화, 의료 및 바이오 응용 시장에서 자외선 램프를 대체할 수 있는 자외선 LED 기술이 활발히 발전하고 있다. 본고에서는 이들 자외선광원 시장동향과 국내외 자외선 LED의 기술동향을 파악하므로 앞으로 연구개발의 방향을 모색하고자 한다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.32-36
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• 2016

본 논문에서는 LED(Light Emitting Diode)의 White 조명을 이용한 VLC(Visible Light Communication) 송 수신기를 구현하였다. 가시광 통신과 다양한 환경에서 고속 데이터 전송을 위한 무선 통신 방식의 차이점을 분석하였고 QAM 전송 기법을 이용하여 실제채널을 통과한 심벌의 수신을 확인하였다. 그리고 가시광 통신의 높은 데이터 속도를 얻기 위해 실험을 통해서 고려해야 되는 변수를 찾았다. 또한 주파수 대역을 정하고 거리에 따른 송수신간의 최적의 게인을 찾았다. 효율적인 가시광 통신의 신호 전송 및 검출을 위하여 직교 시퀀스를 이용한 효율적인 신호 검출 기법의 성능을 랩뷰를 이용하여 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.346.2-346.2
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• 2014

To use the GaN based light-emitting diodes (LEDs) as solid state lighting sources, the improvement of light extraction and internal quantum efficiency is essential factors for high brightness LEDs. In this study, we suggested the new materials system of a zinc tin oxide (ZTO) layer formed on blue LED epi-structures to improve the light extraction. ZTO is a representative n-type oxide material consisted of ZnO and SnO system. Moreover, ZTO is one of the promising oxide semiconductor material. Even though ZTO has higher chemical stability than IGZO owing to its SnO2 content this has high mobility and high reliability. After formation of ZTO layer on p-GaN layer by using the spin coating method, structural and optical properties are investigated. The x-ray diffraction (XRD) measurement results show the successful formation of ZTO. The photoluminescence (PL) and absorption spectrum shows that it has 3.6-4.1eV band gap. Finally, the light extraction properties of ZTO/LED chip using electroluminescence (EL) measurement were investigated. The experimental and theoretical analyses were simultaneously conducted.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제39권4호
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• pp.473-477
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• 2015

본 논문에서는 인광물질을 포함하는 조명용 백색 LED를 이용한 가시광 통신 시스템의 변조 대역폭을 늘리기 위한 등화기를 설계하고 실험적으로 결과를 보였다. 등화기의 성능을 분석하기 위한 해석적 방법으로 회로 시뮬레이터인 PSpice를 이용하였다. 등화기는 저항과 커패시터를 이용한 수동필터와 증폭기를 이용한 능동필터의 조합으로 구성하였다. 등화기를 수신단에 적용함으로써 3.5 MHz 부근의 인광성 백색 LED 변조 대역폭이 청색 광학필터를 사용하지 않고도 25 MHz 까지 확장되었다. 상용화된 라운드형 백색 LED 1개와 PIN형 광 다이오드 1개를 이용하여 구현한 가시광 통신 시스템에서 진폭편이변조 방식으로 변조된 LED의 가시광 신호는 1미터 거리에서 35 Mbit/s 데이터 전송률을 보였다. 이때의 비트 에러율은 $7.6{\times}10^{-4}$이었으며 이는 순방향 오류 정정의 한계인 $3.8{\times}10^{-3}$ 이하를 만족하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제37권5A호
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• pp.358-366
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• 2012

LED-ID (Light Emitting Diode - Identification) is one of the key technologies for identification, data transmission, and illumination simultaneously. This is the new paradigm in the identification technology environment. There are many issues are still now challenging to achieve high performance in LED-ID system. Collision issue is one of them. Actually this is the most significant issue in all identification system. LED-ID system also suffers from collision problem. In our system, collision occurs when two or more readers transmit data to tag at the same time or vice versa. There are many anti-collision protocols to resolve this problem; such as: Slotted ALOHA, Basic Frame Slotted ALOHA, Query Tree, Tree Splitting, and Q-Algorithm etc. In this paper, we propose modified Q-Algorithm to resolve collision at tag. The proposed protocol is based on Q-Algorithm and used the information of arrived readers to a tag from neighbor. The information includes transmitting slot number of readers and the number of readers that can be arrived in next slot. Our proposed protocol can reduce the numbers of collision slot and the successful time to identify all readers. In this paper our simulation and theoretical results are presented.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.167-170
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• 2004

A high light lantern system using LEDs is composed of power supply, flash controller, and daylight controller and proper case considering work condition. The performance of developed LED lantern is better than that of the existing marine lantern using an incandescent electric lamp and that of foreign products(Vega LED lantern made in New Zealand, Tideland system made in America). The electric consumption of our products is 30% compared with that of existing marine lantern using an incandescent electric lamp, and the luminous Intensity of them is 200% to 400% compared with that of existing marine lantern and foreign LED lantern. In addition, our LED lantern system is easy to repairing something wrong and changing the LED module and other controllers on the sea when they are in accident.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.18-18
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• 2009

최근 다양하게 연구되고 있는 무분극(nonpolar) 갈륨질화물(GaN) 소재는 자발분극(spontaneous polarization) 및 압전분극(piezoelectric polarization) 등이 발생하지 않아 높은 내부양자효율의 확보가 가능하며, 이러한 장점을 바탕으로 고효율 특성을 갖는 발광다이오드(light-emitting diode) 및 고속 전자소자 등으로의 적용을 위한 연구가 활발히 수행 중 이다. 하지만, 무분극 GaN LED의 구현 시, GaN 박막의 비등방성 성장으로 인한 박막의 막질 저하와 함께 표면에 혼재하는 Ga층과 N층에서 기인되는 절연층의 생성으로 인한 오믹전극 형성의 어려움이 대두되고 있다. 따라서, 고효율의 무분극 GaN LED 구현을 위해서는 무분극 GaN층의 질소층 제거를 위한 표면처리 공정과 더불어 금속/무분극 GaN층 간 발생되는 쇼트키 장벽층의 높이(Schottky barrier height)를 제어하는 연구가 선행되어야 한다. 본 논문에서는 무분극 GaN LED 적용을 위한 n-형 전극물질 및 오믹조건 구현을 위한 금속/무분극 GaN층간 SBH의 제어방법에 대한 연구를 수행하였다.

• 전기학회논문지
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• 제62권9호
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• pp.1290-1296
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• 2013

The light intensity which represents the relative amount of brightness and darkness is very important feature to discern the color hue and its relevant information. With this aim, we devise a new optical system and method to analyze the light intensity. Our suggested system including a phototransistor and white-high-brightness chip light-emitting diode intend estimate the contrast value utilizing Image Research Institute(I.R.I.) Hue & Tone samples which includes 120 color sheets arranged by the color hue and tone. As a result, we confirmed that the brightness of the color checker can be accurately estimated by a high-brightness light-emitting-diode optical system.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권3호
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• pp.12-17
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• 2011

본 논문에서는 기존의 대면적 수평형 GaN (Gallium Nitride) LED (Light-emitting diode) 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적 광학적 특성의 향상을 위하여 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 제안하였고, 범용적으로 사용되는 기본 전극패턴 및 그를 대칭적으로 개량한 전극패턴과의 특성을 비교 분석하였다. 상용 3차원 시뮬레이터 SpecLED/RATRO를 통한 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 갖는 LED 소자가 동일한 350 mA의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.34 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을 확인하였고, 광출력 또한 타 구조에 비하여 약 7.72 mW 정도 향상되는 광학적 특성을 확인하였다.