이중 금속 측면 결정화를 이용한 40$0^{\circ}C$ 다결정 실리콘 박막 트랜지서터 제작 및 그 특성에 관한 연구
(Fabrication and Characteristics of poly-Si thin film transistors by double-metal induced lteral crystallization at 40$0^{\circ}C$ )
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- 전자공학회논문지D
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- 제34D권4호
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- pp.33-39
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- 1997